A review of high ideality factor in gallium nitride-based light-emitting diode
Theory concerning the high ideality factor of gallium nitride (GaN) based light-emitting diode (LED) has been reviewed. The presence of a high ideality factor indicates a large forward voltage that results in efficiency reduction. The paper suggests that tunneling is the main reason defining the exp...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216093 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | A review of high ideality factor in gallium nitride-based light-emitting diode / A.S. Hedzir, N.F. Hasbullah // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 83-89. — Бібліогр.: 29 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!