Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
In this theoretical work, the author has modified the current-voltage relationship of the field and thermionic–field emission models developed by Padovani and Stratton for the Schottky barrier diodes in the reverse bias conditions with account of the image force correction. Considered in this approa...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216103 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime / A. Latreche // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 16-21. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |