Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
In this theoretical work, the author has modified the current-voltage relationship of the field and thermionic–field emission models developed by Padovani and Stratton for the Schottky barrier diodes in the reverse bias conditions with account of the image force correction. Considered in this approa...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216103 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime / A. Latreche // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 16-21. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713089654259712 |
|---|---|
| author | Latreche, A. |
| author_facet | Latreche, A. |
| citation_txt | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime / A. Latreche // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 16-21. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | In this theoretical work, the author has modified the current-voltage relationship of the field and thermionic–field emission models developed by Padovani and Stratton for the Schottky barrier diodes in the reverse bias conditions with account of the image force correction. Considered in this approach is the shape of the Schottky barrier as a trapezoid. The obtained results show a good agreement between current densities calculated within the framework of these developed models and those calculated using the general model.
У цій теоретичній роботі автор модифікував співвідношення струм-напруга у моделях польового та термоіонно-польового випромінювання, розроблених Падовані та Страттоном для бар’єрних діодів Шотткі в умовах зворотного зміщення з урахуванням корекції сил зображення. У цьому підході розглянуто форму бар’єра Шотткі як трапецієподібну. Отримані результати добре узгоджуються з густинами струму, розрахованими в рамках цих розроблених моделей та тими, що розраховуються за загальною моделлю.
|
| first_indexed | 2026-04-17T10:27:12Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216103 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-17T10:27:12Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Latreche, A. 2026-04-06T08:47:10Z 2021 Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime / A. Latreche // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 1. — С. 16-21. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 85.30.De, 85.30.Kk, 85.30.Mn https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216103 https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.016 In this theoretical work, the author has modified the current-voltage relationship of the field and thermionic–field emission models developed by Padovani and Stratton for the Schottky barrier diodes in the reverse bias conditions with account of the image force correction. Considered in this approach is the shape of the Schottky barrier as a trapezoid. The obtained results show a good agreement between current densities calculated within the framework of these developed models and those calculated using the general model. У цій теоретичній роботі автор модифікував співвідношення струм-напруга у моделях польового та термоіонно-польового випромінювання, розроблених Падовані та Страттоном для бар’єрних діодів Шотткі в умовах зворотного зміщення з урахуванням корекції сил зображення. У цьому підході розглянуто форму бар’єра Шотткі як трапецієподібну. Отримані результати добре узгоджуються з густинами струму, розрахованими в рамках цих розроблених моделей та тими, що розраховуються за загальною моделлю. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Semiconductor physics Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime Модифіковані рівняння польового та термоіонно-польового випромінювання для бар’єрних діодів Шотткі у зворотному режимі Article published earlier |
| spellingShingle | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime Latreche, A. Semiconductor physics |
| title | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime |
| title_alt | Модифіковані рівняння польового та термоіонно-польового випромінювання для бар’єрних діодів Шотткі у зворотному режимі |
| title_full | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime |
| title_fullStr | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime |
| title_full_unstemmed | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime |
| title_short | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime |
| title_sort | modified expressions of field and thermionic-field emission for schottky barrier diodes in the reverse regime |
| topic | Semiconductor physics |
| topic_facet | Semiconductor physics |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216103 |
| work_keys_str_mv | AT latrechea modifiedexpressionsoffieldandthermionicfieldemissionforschottkybarrierdiodesinthereverseregime AT latrechea modifíkovanírívnânnâpolʹovogotatermoíonnopolʹovogovipromínûvannâdlâbarêrnihdíodívšottkíuzvorotnomurežimí |