New thermal small-signal model for FP-HEMT used in satellite communication applications
In this paper, we study a field plate high electron mobility transistor (FP-HEMT) device with Al₂O₃ passivation, InAlN/GaN lattice matched, and a gate of 30-nm length. We simulate its performance evaluation in function of the thermal effect mode. We also show the analysis and simulation of this devi...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216174 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | New thermal small-signal model for FP-HEMT used in satellite communication applications / Z. Kourdi, A. Hamdoune, M. Khaouani // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 2. — С. 210-217. — Бібліогр.: 31 назв. — англ. |