New thermal small-signal model for FP-HEMT used in satellite communication applications
In this paper, we study a field plate high electron mobility transistor (FP-HEMT) device with Al₂O₃ passivation, InAlN/GaN lattice matched, and a gate of 30-nm length. We simulate its performance evaluation in function of the thermal effect mode. We also show the analysis and simulation of this devi...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2021 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216174 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | New thermal small-signal model for FP-HEMT used in satellite communication applications / Z. Kourdi, A. Hamdoune, M. Khaouani // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 2. — С. 210-217. — Бібліогр.: 31 назв. — англ. |