Simulation analysis to optimize the performance of a homojunction -- In₀.₇Ga₀.₃N solar cell
Simulation analysis has been carried out to determine the perfect structural parameters of a homojunction -- In₀.₇Ga₀.₃N solar cell to obtain maximum overall efficiency. It has been demonstrated that a -layer of 16 nm, an intrinsic layer (-layer) of 0.5-μm, and a -layer of 3-μm thickness with speci...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2021 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216176 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Simulation analysis to optimize the performance of homojunction -- In₀.₇Ga₀.₃N solar cell / S. Hussain, Md. T. Prodhan, Md. M. Rahman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 2. — С. 192-199. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |