Simulation analysis to optimize the performance of a homojunction -- In₀.₇Ga₀.₃N solar cell
Simulation analysis has been carried out to determine the perfect structural parameters of a homojunction -- In₀.₇Ga₀.₃N solar cell to obtain maximum overall efficiency. It has been demonstrated that a -layer of 16 nm, an intrinsic layer (-layer) of 0.5-μm, and a -layer of 3-μm thickness with speci...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216176 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Simulation analysis to optimize the performance of homojunction -- In₀.₇Ga₀.₃N solar cell / S. Hussain, Md. T. Prodhan, Md. M. Rahman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 2. — С. 192-199. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!