Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon
The formation of complexes of impurity Mn atoms with group VI impurities (S, Se, Te) in the silicon crystal lattice has been studied. It has been experimentally found that the formation of electrically neutral molecules with an ionic-covalent bond between Mn atoms and group VI elements takes place,...
Saved in:
| Published in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Date: | 2021 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216231 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon / K.А. Ismailov, X.M. Iliev, M.O. Tursunov, B.K. Ismaylov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 255-260. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862731005645815808 |
|---|---|
| author | Ismailov, K.А. Iliev, X.M. Tursunov, M.O. Ismaylov, B.K. |
| author_facet | Ismailov, K.А. Iliev, X.M. Tursunov, M.O. Ismaylov, B.K. |
| citation_txt | Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon / K.А. Ismailov, X.M. Iliev, M.O. Tursunov, B.K. Ismaylov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 255-260. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | The formation of complexes of impurity Mn atoms with group VI impurities (S, Se, Te) in the silicon crystal lattice has been studied. It has been experimentally found that the formation of electrically neutral molecules with an ionic-covalent bond between Mn atoms and group VI elements takes place, which possibly leads to the formation of new Si₂BVI ⁺⁺Mn binary unit cells in the silicon crystal lattice. It has been shown that in the samples Si⟨S, Mn⟩, Si⟨Se, Mn⟩, and Si⟨Te, Mn⟩, intense complex formation occurs at 1100, 820, and 650 °C, respectively.
Досліджено формування комплексів домішкових атомів Mn з домішковими атомами елементів VI групи (S, Se, Te) у кристалічній решітці кремнію. Експериментально виявлено, що має місце утворення електронейтральних молекул з іонно-ковалентним зв’язком між атомами Mn та елементами VI групи, що, можливо, призводить до формування нових бінарних елементарних комірок Si₂BVI ⁺⁺Mn у кристалічній решітці кремнію. Показано, що в зразках Si⟨S, Mn⟩, Si⟨Se, Mn⟩ та Si⟨Te, Mn⟩ відбувається інтенсивне комплексоутворення при температурах 1100, 820 та 650 °C відповідно.
|
| first_indexed | 2026-04-17T15:11:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216231 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-17T15:11:58Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ismailov, K.А. Iliev, X.M. Tursunov, M.O. Ismaylov, B.K. 2026-04-10T07:18:31Z 2021 Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon / K.А. Ismailov, X.M. Iliev, M.O. Tursunov, B.K. Ismaylov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 255-260. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 61.72.Cc, 81.40.Ef https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216231 https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.255 The formation of complexes of impurity Mn atoms with group VI impurities (S, Se, Te) in the silicon crystal lattice has been studied. It has been experimentally found that the formation of electrically neutral molecules with an ionic-covalent bond between Mn atoms and group VI elements takes place, which possibly leads to the formation of new Si₂BVI ⁺⁺Mn binary unit cells in the silicon crystal lattice. It has been shown that in the samples Si⟨S, Mn⟩, Si⟨Se, Mn⟩, and Si⟨Te, Mn⟩, intense complex formation occurs at 1100, 820, and 650 °C, respectively. Досліджено формування комплексів домішкових атомів Mn з домішковими атомами елементів VI групи (S, Se, Te) у кристалічній решітці кремнію. Експериментально виявлено, що має місце утворення електронейтральних молекул з іонно-ковалентним зв’язком між атомами Mn та елементами VI групи, що, можливо, призводить до формування нових бінарних елементарних комірок Si₂BVI ⁺⁺Mn у кристалічній решітці кремнію. Показано, що в зразках Si⟨S, Mn⟩, Si⟨Se, Mn⟩ та Si⟨Te, Mn⟩ відбувається інтенсивне комплексоутворення при температурах 1100, 820 та 650 °C відповідно. The authors express their deep and sincere gratitude to Academician M.K. Bakhadyrkhanov for valuable advice given during the performance of the work and discussion of the results obtained. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Semiconductor physics Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon Формування комплексів домішкових атомів Mn з елементами VI групи в кристалічній решітці кремнію Article published earlier |
| spellingShingle | Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon Ismailov, K.А. Iliev, X.M. Tursunov, M.O. Ismaylov, B.K. Semiconductor physics |
| title | Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon |
| title_alt | Формування комплексів домішкових атомів Mn з елементами VI групи в кристалічній решітці кремнію |
| title_full | Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon |
| title_fullStr | Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon |
| title_full_unstemmed | Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon |
| title_short | Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon |
| title_sort | formation of complexes consisting of impurity mn atoms and group vi elements in the crystal lattice of silicon |
| topic | Semiconductor physics |
| topic_facet | Semiconductor physics |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216231 |
| work_keys_str_mv | AT ismailovka formationofcomplexesconsistingofimpuritymnatomsandgroupvielementsinthecrystallatticeofsilicon AT ilievxm formationofcomplexesconsistingofimpuritymnatomsandgroupvielementsinthecrystallatticeofsilicon AT tursunovmo formationofcomplexesconsistingofimpuritymnatomsandgroupvielementsinthecrystallatticeofsilicon AT ismaylovbk formationofcomplexesconsistingofimpuritymnatomsandgroupvielementsinthecrystallatticeofsilicon AT ismailovka formuvannâkompleksívdomíškovihatomívmnzelementamivigrupivkristalíčníirešítcíkremníû AT ilievxm formuvannâkompleksívdomíškovihatomívmnzelementamivigrupivkristalíčníirešítcíkremníû AT tursunovmo formuvannâkompleksívdomíškovihatomívmnzelementamivigrupivkristalíčníirešítcíkremníû AT ismaylovbk formuvannâkompleksívdomíškovihatomívmnzelementamivigrupivkristalíčníirešítcíkremníû |