Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon
The formation of complexes of impurity Mn atoms with group VI impurities (S, Se, Te) in the silicon crystal lattice has been studied. It has been experimentally found that the formation of electrically neutral molecules with an ionic-covalent bond between Mn atoms and group VI elements takes place,...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216231 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon / K.А. Ismailov, X.M. Iliev, M.O. Tursunov, B.K. Ismaylov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 3. — С. 255-260. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!