Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation
In this work, we have investigated the features of electron transport in AlGaN/GaN transistor-like heterostructures with nanowires of different widths. These nanostructures are studied extensively because of their great electronic and sensing advantages for electronic biosensor applications. We stud...
Saved in:
| Published in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Date: | 2021 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216297 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation / A.V. Naumov, V.V. Kaliuzhnyi, S.A. Vitusevich, H. Hardtdegen, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 407-412. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862749547958108160 |
|---|---|
| author | Naumov, A.V. Kaliuzhnyi, V.V. Vitusevich, S.A. Hardtdegen, H. Belyaev, A.E. |
| author_facet | Naumov, A.V. Kaliuzhnyi, V.V. Vitusevich, S.A. Hardtdegen, H. Belyaev, A.E. |
| citation_txt | Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation / A.V. Naumov, V.V. Kaliuzhnyi, S.A. Vitusevich, H. Hardtdegen, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 407-412. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | In this work, we have investigated the features of electron transport in AlGaN/GaN transistor-like heterostructures with nanowires of different widths. These nanostructures are studied extensively because of their great electronic and sensing advantages for electronic biosensor applications. We study the depletion effects and impact of ultraviolet excitation on the electron transport in sets of nanowires of different widths from 1110 down to 185 nm. We have found a significant difference in the electrical characteristics’ behavior between wide (1110…480 nm) and narrow (280…185 nm) nanowires and have observed regions related to space-charge-limited transport for the narrowest nanowires. We also observed a clear dependence of the nanowire’s current-voltage characteristics on the wavelength and energy of UV excitation. External UV excitation allows us to control the depletion widths in nanowires and effectively tune space-charge-limited transport.
У цій роботі досліджено властивості електронного транспорту у транзисторних гетероструктурах AlGaN/GaN з нанодротами різної ширини. Такі структури широко вивчаються для застосування в електронній біосенсориці завдяки їх електронним та сенсорним перевагам. Досліджено явище збіднення та вплив ультрафіолетового збудження на електронний транспорт у наборах нанодротів різної ширини від 1110 до 185 нм. Виявлено значну відмінність у поведінці електричної характеристики між широкими (1110…480 нм) та вузькими (280…185 нм) нанодротами та спостережено області, що відповідають транспорту, обмеженому просторовим зарядом у випадку найтонших нанодротів. Також отримано явну залежність вольт-амперної характеристики нанодротів від довжини хвилі та енергії УФ-збудження. Зовнішнє УФ-збудження дозволяє керувати шириною збідненої зони у нанодротах і, таким чином, оперативно налаштовувати транспорт, обмежений просторовим зарядом.
|
| first_indexed | 2026-04-17T20:06:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-216297 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-17T20:06:41Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Naumov, A.V. Kaliuzhnyi, V.V. Vitusevich, S.A. Hardtdegen, H. Belyaev, A.E. 2026-04-13T09:13:38Z 2021 Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation / A.V. Naumov, V.V. Kaliuzhnyi, S.A. Vitusevich, H. Hardtdegen, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 407-412. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 62.23.Hj, 72.20.-i, 72.25.-b https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216297 https://doi.org/10.15407/spqeo24.04.407 In this work, we have investigated the features of electron transport in AlGaN/GaN transistor-like heterostructures with nanowires of different widths. These nanostructures are studied extensively because of their great electronic and sensing advantages for electronic biosensor applications. We study the depletion effects and impact of ultraviolet excitation on the electron transport in sets of nanowires of different widths from 1110 down to 185 nm. We have found a significant difference in the electrical characteristics’ behavior between wide (1110…480 nm) and narrow (280…185 nm) nanowires and have observed regions related to space-charge-limited transport for the narrowest nanowires. We also observed a clear dependence of the nanowire’s current-voltage characteristics on the wavelength and energy of UV excitation. External UV excitation allows us to control the depletion widths in nanowires and effectively tune space-charge-limited transport. У цій роботі досліджено властивості електронного транспорту у транзисторних гетероструктурах AlGaN/GaN з нанодротами різної ширини. Такі структури широко вивчаються для застосування в електронній біосенсориці завдяки їх електронним та сенсорним перевагам. Досліджено явище збіднення та вплив ультрафіолетового збудження на електронний транспорт у наборах нанодротів різної ширини від 1110 до 185 нм. Виявлено значну відмінність у поведінці електричної характеристики між широкими (1110…480 нм) та вузькими (280…185 нм) нанодротами та спостережено області, що відповідають транспорту, обмеженому просторовим зарядом у випадку найтонших нанодротів. Також отримано явну залежність вольт-амперної характеристики нанодротів від довжини хвилі та енергії УФ-збудження. Зовнішнє УФ-збудження дозволяє керувати шириною збідненої зони у нанодротах і, таким чином, оперативно налаштовувати транспорт, обмежений просторовим зарядом. This work is supported by BMBF Project 01 DK 13016, DAAD Project A/14/02428, and by the National Academy of Sciences of Ukraine (Project No. 6/20-H). A. Naumov gratefully acknowledges the support of the FP7 project MCAIRSES-294949 at the Riga Photonics Centre of the University of Latvia. The authors are grateful to V. Kochelap and V. Korotyeyev for valuable discussions. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Hetero- and low-dimensional structures Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation Електронний транспорт у нанодротах на основі AlGaN/GaN HEMT: вплив збіднення та УФ збудження Article published earlier |
| spellingShingle | Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation Naumov, A.V. Kaliuzhnyi, V.V. Vitusevich, S.A. Hardtdegen, H. Belyaev, A.E. Hetero- and low-dimensional structures |
| title | Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation |
| title_alt | Електронний транспорт у нанодротах на основі AlGaN/GaN HEMT: вплив збіднення та УФ збудження |
| title_full | Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation |
| title_fullStr | Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation |
| title_full_unstemmed | Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation |
| title_short | Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation |
| title_sort | electron transport in algan/gan hemt-like nanowires: effect of depletion and uv excitation |
| topic | Hetero- and low-dimensional structures |
| topic_facet | Hetero- and low-dimensional structures |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216297 |
| work_keys_str_mv | AT naumovav electrontransportinalganganhemtlikenanowireseffectofdepletionanduvexcitation AT kaliuzhnyivv electrontransportinalganganhemtlikenanowireseffectofdepletionanduvexcitation AT vitusevichsa electrontransportinalganganhemtlikenanowireseffectofdepletionanduvexcitation AT hardtdegenh electrontransportinalganganhemtlikenanowireseffectofdepletionanduvexcitation AT belyaevae electrontransportinalganganhemtlikenanowireseffectofdepletionanduvexcitation AT naumovav elektronniitransportunanodrotahnaosnovíalganganhemtvplivzbídnennâtaufzbudžennâ AT kaliuzhnyivv elektronniitransportunanodrotahnaosnovíalganganhemtvplivzbídnennâtaufzbudžennâ AT vitusevichsa elektronniitransportunanodrotahnaosnovíalganganhemtvplivzbídnennâtaufzbudžennâ AT hardtdegenh elektronniitransportunanodrotahnaosnovíalganganhemtvplivzbídnennâtaufzbudžennâ AT belyaevae elektronniitransportunanodrotahnaosnovíalganganhemtvplivzbídnennâtaufzbudžennâ |