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Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation

In this work, we have investigated the features of electron transport in AlGaN/GaN transistor-like heterostructures with nanowires of different widths. These nanostructures are studied extensively because of their great electronic and sensing advantages for electronic biosensor applications. We stud...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2021
Hauptverfasser:	Naumov, A.V., Kaliuzhnyi, V.V., Vitusevich, S.A., Hardtdegen, H., Belyaev, A.E.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
Schlagworte:	Hetero- and low-dimensional structures
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216297
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation / A.V. Naumov, V.V. Kaliuzhnyi, S.A. Vitusevich, H. Hardtdegen, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 407-412. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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