Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2021
• Автори: Naumov, A.V., Kaliuzhnyi, V.V., Vitusevich, S.A., Hardtdegen, H., Belyaev, A.E.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
• Теми: Hetero- and low-dimensional structures
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216297
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation / A.V. Naumov, V.V. Kaliuzhnyi, S.A. Vitusevich, H. Hardtdegen, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 407-412. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

In this work, we have investigated the features of electron transport in AlGaN/GaN transistor-like heterostructures with nanowires of different widths. These nanostructures are studied extensively because of their great electronic and sensing advantages for electronic biosensor applications. We stud...