Phase transition in vanadium oxide films formed by multistep deposition

• Veröffentlicht in: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Datum: 2021
• Hauptverfasser: Kladko, V.P., Melnik, V.P., Liubchenko, О.I., Romanyuk, B.M., Gudymenko, О.Yo., Sabov, Т.M., Dubikovskyi, О.V., Maksimenko, Z.V., Kosulya, О.V., Kulbachynskyi, O.A., Lytvyn, P.M., Efremov, О.O.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2021
• Schlagworte: Semiconductor physics
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/216302
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Phase transition in vanadium oxide films formed by multistep deposition / V.P. Kladko, V.P. Melnik, О.I. Liubchenko, B.M. Romanyuk, О.Yo. Gudymenko, Т.M. Sabov, О.V. Dubikovskyi, Z.V. Maksimenko, О.V. Kosulya, O.A. Kulbachynskyi, P.M. Lytvyn, О.O. Efremov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2021. — Т. 24, № 4. — С. 362-371. — Бібліогр.: 38 назв. — англ.

VOₓ films deposited using the multistep method have been investigated. These films were prepared by repeating the two-stage method of low-temperature deposition and low-temperature annealing. The structure and characteristics of VOₓ thin films have been studied. Taking into account the obtained results, theoretical modeling of the structure was performed, and the parameters of the metal-insulator transition have been calculated. Досліджено плівки VOₓ, нанесені багатоступеневим методом. Ці плівки було отримано методом двоетапного низькотемпературного осадження з наступним низькотемпературним відпалом. Досліджено структуру та характеристики тонких плівок VOₓ. З урахуванням отриманих результатів проведено теоретичне моделювання структури та розраховано параметри переходу метал-ізолятор.