Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану
Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температ...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/22264 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!