Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectros...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/29005 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films / T.N. Shchurova, N.D. Savchenko, K.O. Popovic, N.Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 343-347. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |