Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях. Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
Дата:2009
Автори: Житарюк, В.Г., Годованюк, В.М., Докторович, І.В.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32230
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine