Житарюк, В., Годованюк, В., & Докторович, І. (2009). Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Житарюк, В.Г, В.М Годованюк, та І.В Докторович. Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Житарюк, В.Г, et al. Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.