Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях. Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32230 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862547835517403136 |
|---|---|
| author | Житарюк, В.Г. Годованюк, В.М. Докторович, І.В. |
| author_facet | Житарюк, В.Г. Годованюк, В.М. Докторович, І.В. |
| citation_txt | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології |
| description | Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.
Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated.
|
| first_indexed | 2025-11-25T16:58:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-32230 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1681-7893 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-25T16:58:20Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Житарюк, В.Г. Годованюк, В.М. Докторович, І.В. 2012-04-14T19:38:19Z 2012-04-14T19:38:19Z 2009 Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp. 1681-7893 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32230 537.611 Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях. Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію Article published earlier |
| spellingShingle | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію Житарюк, В.Г. Годованюк, В.М. Докторович, І.В. Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях |
| title | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію |
| title_full | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію |
| title_fullStr | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію |
| title_full_unstemmed | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію |
| title_short | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію |
| title_sort | фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію |
| topic | Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях |
| topic_facet | Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32230 |
| work_keys_str_mv | AT žitarûkvg fotoelektričnívlastivostípriimačívvipromínûvannâvigotovlenihnaíonnotravlenihpoverhnâhkremníû AT godovanûkvm fotoelektričnívlastivostípriimačívvipromínûvannâvigotovlenihnaíonnotravlenihpoverhnâhkremníû AT doktorovičív fotoelektričnívlastivostípriimačívvipromínûvannâvigotovlenihnaíonnotravlenihpoverhnâhkremníû |