Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

• Published in: Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
• Date: 2009
• Main Authors: Житарюк, В.Г., Годованюк, В.М., Докторович, І.В.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Subjects: Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/32230
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.

Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях. Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated....