Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію

• Опубліковано в: : Доповіді НАН України
• Дата: 2011
• Автори: Плющай, І.В., Макара, В.А., Плющай, О.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2011
• Теми: Матеріалознавство
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/38685
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай // Доп. НАН України. — 2011. — № 9. — С. 82-89. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Розраховано електронні спектри надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект — власний дефект (вакансію та міжвузловий атом), кисень та вуглець в міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено методом LMTO. Обговорюються зміни густини електронних станів монокристалів кр...