Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол
Методом атомно-силової мікроскопії досліджено кінетику росту поверхневих рельєфів у плівках бінарних халькогенідних систем. Визначено оптимальні склади плівок і режими запису поверхневих рельєфних ґраток. Обговорюється механізм формування рельєфу. Методом атомно-силовой микроскопии исследована кинет...
Saved in:
| Published in: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50448 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол / В.М. Рубіш, М.Л. Трунов, П.М. Литвин, Е.В. Гера, А.А. Тарнай, М.Ю. Риган, М.Є. Петраченко // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2010. — Т. 12, № 2. — С. 43-51. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Методом атомно-силової мікроскопії досліджено кінетику росту поверхневих рельєфів у плівках бінарних халькогенідних систем. Визначено оптимальні склади плівок і режими запису поверхневих рельєфних ґраток. Обговорюється механізм формування рельєфу.
Методом атомно-силовой микроскопии исследована кинетика роста поверхностных рельефов в пленках бинарных халькогенидных систем. Определены оптимальные составы пленок и режимы записи поверхностных рельефных решеток. Обсуждается механизм формирования рельефа.
Kinetics of the growth of surface relief in binary chalcogenide systems films by atomic-force microscopy technique is investigated. The optimal film compositions and the recording modes of surface relief gratings are determined. The mechanism of relief forming is discussed.
|
|---|---|
| ISSN: | 1560-9189 |