Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол
Методом атомно-силової мікроскопії досліджено кінетику росту поверхневих рельєфів у плівках бінарних халькогенідних систем. Визначено оптимальні склади плівок і режими запису поверхневих рельєфних ґраток. Обговорюється механізм формування рельєфу. Методом атомно-силовой микроскопии исследована кинет...
Saved in:
| Published in: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50448 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол / В.М. Рубіш, М.Л. Трунов, П.М. Литвин, Е.В. Гера, А.А. Тарнай, М.Ю. Риган, М.Є. Петраченко // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2010. — Т. 12, № 2. — С. 43-51. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859669685886255104 |
|---|---|
| author | Рубіш, В.М. Трунов, М.Л. Литвин, П.М. Гера, Е.В. Тарнай, А.А. Риган, М.Ю. Петраченко, М.Є. |
| author_facet | Рубіш, В.М. Трунов, М.Л. Литвин, П.М. Гера, Е.В. Тарнай, А.А. Риган, М.Ю. Петраченко, М.Є. |
| citation_txt | Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол / В.М. Рубіш, М.Л. Трунов, П.М. Литвин, Е.В. Гера, А.А. Тарнай, М.Ю. Риган, М.Є. Петраченко // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2010. — Т. 12, № 2. — С. 43-51. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| description | Методом атомно-силової мікроскопії досліджено кінетику росту поверхневих рельєфів у плівках бінарних халькогенідних систем. Визначено оптимальні склади плівок і режими запису поверхневих рельєфних ґраток. Обговорюється механізм формування рельєфу.
Методом атомно-силовой микроскопии исследована кинетика роста поверхностных рельефов в пленках бинарных халькогенидных систем. Определены оптимальные составы пленок и режимы записи поверхностных рельефных решеток. Обсуждается механизм формирования рельефа.
Kinetics of the growth of surface relief in binary chalcogenide systems films by atomic-force microscopy technique is investigated. The optimal film compositions and the recording modes of surface relief gratings are determined. The mechanism of relief forming is discussed.
|
| first_indexed | 2025-11-30T13:22:16Z |
| format | Article |
| fulltext |
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 2 43
УДК 004.023
В. М. Рубіш1, М. Л. Трунов2, П. М. Литвин3, Е. В. Гера1,
А. А. Тарнай1, М. Ю. Риган1, М. Є. Петраченко2
1Ужгородський науково-технологічний центр
матеріалів оптичних носіїв інформації ІПРІ НАН України
вул. Замкові сходи, 4-а, 88000 Ужгород, Україна
2Ужгородський національний університет
вул. Підгірна, 46, 88000 Ужгород, Україна
3Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
проспект Науки, 45, 03028 Київ, Україна
Прямий метод формування поверхневих рельєфних
ґраток у плівках халькогенідних стекол
Методом атомно-силової мікроскопії досліджено кінетику росту поверхне-
вих рельєфів у плівках бінарних халькогенідних систем. Визначено оптима-
льні склади плівок і режими запису поверхневих рельєфних ґраток. Обгово-
рюється механізм формування рельєфу.
Ключові слова: аморфні халькогенідні шари, фотоіндуковані ефекти, пове-
рхневі рельєфні ґратки, дифракційна ефективність.
Вступ
У халькогенідних стеклах і аморфних плівках на їхній основі під дією лазерного
випромінювання проходять фотоструктурні перетворення, які супроводжуються змі-
ною оптичних параметрів (коефіцієнта поглинання Δαλ, показника заломлення Δn, від-
бивання ΔR), а також хімічної стійкості, що, в свою чергу, створює передумови для за-
стосування цих матеріалів як неорганічних фоторезистів з високою роздільною здатніс-
тю для голографії та оптичного запису інформації [1, 2].
Метод формування періодичної структури в плівці халькогенідного скла та насту-
пне її травлення селективним травником з успіхом використовується для одержання
голографічних дифракційних ґраток [3–5]. Даний метод базується на формуванні ін-
терференційної структури, що утворюється при взаємодії двох (або більше) когерент-
них світлових хвиль з періодом, співрозмірним із довжиною хвилі, та відображенні цієї
структури у відповідному реєструвальному середовищі. Таким же методом можуть бу-
ти виготовлені й інші оптичні елементи — різноманітні лінзові структури, хвилеводи
для відеоінформаційних систем тощо.
Іншим методом формування поверхневого рельєфу в плівках халькогенідних сте-
кол, який не потребує додаткової хімічної обробки (травлення) плівок, є прямий або так
званий одноступеневий (one step method) метод [6, 7]. Можливість застосування даного
методу базується на ефекті фотоіндукованої зміни товщини (об’єму) плівок. Зазвичай
© В. М. Рубіш, М. Л. Трунов, П. М. Литвин, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, М. Ю. Риган, О. Є. Петраченков
В. М. Рубіш, М. Л. Трунов, П. М. Литвин, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, М. Ю. Риган, О. Є. Петраченков
44
ці зміни складають ~1 % [6], однак, можуть бути підсилені в багатошарових структурах
на основі одно- та двокомпонентних халькогенідних систем [8, 9]. Механізми змін тов-
щини (об’єму) (збільшення або зменшення навіть в одному і тому ж матеріалі у різних
авторів) не пояснені повністю (або навіть суперечливі), оскільки суттєвий вплив на цей
ефект, а також на фотоіндуковані перетворення в цілому, мають хімічний склад, техно-
логія одержання, фото- і термообробка плівок. Крім того, вищезгадані перетворення
можуть супроводжуватись особливими ефектами фотопластичності [10–12], однак їх-
ній взаємозв’язок не є очевидним (наприклад, у плівці As20Se80 при дії випромінювання
He–Ne лазера спостерігається значна фотодеформація при низькому рівні фотозатем-
нення [13]). Можливість створення поверхневих рельєфів за рахунок фотоіндукованих
ефектів, наведених вище, ілюструє рис. 1.
Рис. 1. Методи запису на аморфних халькогенідних плівках: а) оптичний амплітудно-фазовий
поверхневий рельєф; б) рельєф після травлення; в) поверхневий рельєф при прямому запису
Усі з вищезгаданих фотоіндукованих ефектів проявляються в аморфних плівках
селену, плівках на основі склоподібного сульфіду миш’яку та стекол системи AsxSe100–x
(0≤ x≤ 50) [14−16]. Однак, фотоіндуковані ефекти в аморфному селені нестабільні через
його низькі температури розм’якшення та кристалізації.
Дана робота присвячена узагальненню експериментальних досліджень кінетики
росту поверхневих рельєфів у плівках сульфіду миш’яку та бінарних халькогенідних
стекол системи As−Se методом атомно-силової мікроскопії та встановленню механізму
фотоіндукованих процесів у них.
Експериментальна частина
Масивні стекла готувалися за традиційною технологією синтезу у вакуумних квар-
цових ампулах з високочистих As, S i Se. Однорідні плівки з загальною товщиною d
між 0,5–2,0 мкм виготовлялися шляхом термічного випаровування стекол AsxSe100−x
(x = 0, 20, 30, 40, 50) та As40S60 на підкладки із кварцового скла з провідним шаром.
Швидкість конденсації підтримувалась у межах 3–6 нм/сек. Товщина плівок вимірюва-
лась інтерферометричним методом під час нанесення плівок. Частина плівок відпалю-
валася на повітрі при T = Tg – 20 K (Tg — температура розм’якшення вихідних стекол)
протягом 1 год.
Поверхневі рельєфні ґратки (ПРГ) з періодом ~3,6 мкм створювалися голографіч-
ним методом за допомогою твердотільних лазерів із довжинами хвиль 0,65 мкм (для
плівок AsxSe100–x) та 0,532 мкм (для плівок As40S60), які приблизно відповідають макси-
муму поглинання для всіх складів стекол, що досліджувались. Зважаючи на особливос-
Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 2 45
ті «in situ» вимірювання деформації поверхні за методикою зондової мікроскопїї, опти-
чний запис поверхневих структур здійснювався на спеціальному інтегрованому при-
строї, який складається з тримача зразка, лазера та світлодільника з кварцової призми,
яка створювала періодичний, близький до синусоїдального розподілу інтенсивності ко-
герентного випромінювання на досліджуваному халькогенідному шарі площею при-
близно 3 мм2 (фото та схема на рис. 2). Світлоподільна призма забезпечувала інтерфе-
ренцію двох лінійно поляризованих променів приблизно однакової інтенсивності (0,35
Вт/см2). Залежно від орієнтації вектора поляризації світла використовувалась p–p або
s–s-схема запису (p–p: вектор електричного поля записуючих променів орієнтований
паралельно до площини падіння; s–s: цей же вектор орієнтований ортогонально до пло-
щини падіння). Дослідження росту рельєфу поверхні ПРГ проводилося в реальному ча-
сі за допомогою «in situ» вимірювань на атомно-силовому мікроскопі (АСМ) (Nano-
scope Dimension 3100, VEECO) у напівконтактному режимі при відключеній кадровій
розгортці. Таким чином, y-вісь ілюструє трансформацію рельєфу поверхні ПРГ з рос-
том експозиції.
а)
Рис. 2. Оптична схема пристрою (а) і зовнішній вигляд (б) для in situ АСМ-досліджень
лазерно-індукованого формування ПРГ
В. М. Рубіш, М. Л. Трунов, П. М. Литвин, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, М. Ю. Риган, О. Є. Петраченков
46
Одержані результати АСМ-досліджень порівнювались із кінетикою росту дифрак-
ційної ефективності (η) ПРГ на відбивання [14]. Дифракційна ефективність вимірюва-
лася при формуванні ПРГ в геометрії експерименту, тотожній до АСМ-досліджень, за
допомогою малопотужного лазера з λ = 0,406 мкм. Використання такої довжини хвилі
дозволило реєструвати тільки еволюцію росту ПРГ і знівелювати вплив на вимірюван-
ня додаткової дифракції від об’ємної ґратки, яка утворюється одночасно з ПРГ за раху-
нок модуляції показника заломлення та/або поглинання в шарі халькогенідного скла.
Наявність першого дифракційного максимуму ПРГ і зміна його інтенсивності реєстру-
валися за допомогою спектрофотометра Ocean Optics, з’єднаного з персональним
комп’ютером, що давало змогу провести експерименти при тривалих часах опромінен-
ня. За величину дифракційної інтенсивності була прийнята інтенсивність світла в пер-
шому дифракційному максимумі, а тому вимірювання проведені у відносних одиницях.
Усі експерименти здійснювались при кімнатних температурах.
Результати та їхнє обговорення
Відомо, що аморфні плівки Se, AsxSe100–x, а також As40S60 проявляють фотозатем-
нення при опроміненні червоним і зеленим світлом відповідно. Фотостимульоване по-
темніння (червоний зсув оптичного краю поглинання і відповідне зменшення пропус-
кання τλ на даній довжині хвилі по відношенню до початкового τ0λ) є малим (τλ/τ0λ ≈
≈ 0,1–0,2) у шарах α–Se і AsxSe100–x з x ≤ 30. У шарах As50Se50, As40Se60, As40S60 фотоін-
дуковані зміни пропускання значно більші, аж до 0,5–0,8. Зміна Δn у них теж більша
(~3–5 % цього параметра в неекспонованому шарі).
У той же час найвищі рельєфи отримувались у шарах AsxSe100–x з х = 20–30 (рис. 3)
і As40S60 (параметри ПРГ, сформованої в плівці As40S60, близькі до параметрів ґратки в
плівці As20Se80 [12]). Параметри рельєфу для аморфних плівок Se були значно меншими
порівняно з параметрами для аморфних плівок на основі стекол AsxSe100–x з малими х
(амплітуди ґраток були в межах 10–30 нм). Крім того, одержані ґратки на аморфному
Se були нестабільними через їхню високу фотокристалізаційну здатність.
На рис. 3,a–в показано типову еволюцію росту ПРГ в Se-збагачених плівках
As20Se80 та As30Se70 (як свіжонапилених, так і відпалених) протягом перших 80 с експо-
зиції для p–p-схеми запису. Вмикання світла призводить до миттєвого формування ПРГ
(рис. 3,а і вставка рис. 3,в) з профілем, близьким до синусоїдального, як у початковий
момент засвітки, так і під час наступного наростання експозиції (відповідні перерізи
наведені на рис. 3,б). Подальше опромінення призводить до лінійного росту ПРГ без
явного насичення навіть при дуже тривалому опроміненні аж до 2000 с (рис. 3,в; криві
1 і 3, відповідно, для свіжонанесених As20Se80 і As30Se70 плівок і криві 2 та 4 для відпа-
лених плівок цих же складів). Протилежна ситуація має місце при формуванні ПРГ в
такій же p–p-схемі запису для As-збагачених плівок AsxSe100–x (х > 30).На рис. 3,г пред-
ставлений двостадійний процес формування ПРГ для свіжонанесеної плівки As40Se60 та
для свіжонанесеної або відпаленої плівки As50Se50.
Невелика преґратка миттєво виникає при включенні записуючих променів, дося-
гаючи висоти ~2–4 нм (залежно від складу скла). Ця ґратка є стабільною при вимиканні
записуючого світла, але швидко зникає при подальшому опроміненні і замінюється но-
вою ґраткою, яка зміщена по фазі на половину періоду. Зміщення цих двох ґраток на
180 градусів по відношенню до просторового розподілу інтенсивності світла в інтерфе-
ренційній картині чітко видно з відповідних перерізів на рис. 3,д.
Відмітимо, що кінцева ПРГ досягає насичення дуже швидко (за перші 200 с запи-
Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 2 47
су), але ділянка подальшого росту, яка спостерігалася для Se-збагачених плівок, відсут-
ня для складів з х >30, принаймні в таких же межах експозиції. Після тривалого запису
(2000 с) на плівках As50Se50 отримуються відносно невеликі ПРГ з амплітудами 10 і
14 нм для відпаленої (рис. 3,е; крива 1) та свіжонанесеної (рис. 3,е; крива 2) плівок, від-
повідно. Найменша за амплітудою ґратка одержується для свіжонанесеної плівки
As40Se60 (~6 нм) (рис. 3,е; крива 3). На відміну від цього результату, у відпаленій плівці
As40Se60 ПРГ формується досить повільно, навіть з певною затримкою по відношенню
до моменту вмикання світла, і без формування преґратки в початковий момент запису
(рис. 4).
Рис. 3. АСМ-зображення, перерізи та кінетика росту ПРГ в плівках AsxSe100–x.x, ат. %:
а) – в) < 30; д) – е) > 30 (детальні пояснення в тексті).
Стрілками показано момент вмикання лазерного випромінювання
В. М. Рубіш, М. Л. Трунов, П. М. Литвин, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, М. Ю. Риган, О. Є. Петраченков
48
Рис. 4. АСМ-зображення, перерізи та кінетика росту ПРГ
у відпаленій плівці As40Se60 (детальні пояснення в тексті).
Стрілками показано момент вмикання лазерного випромінювання
Дещо інші результати одержані при дослідженні процесу формування ПРГ з вико-
ристанням s–s-схеми запису. Якщо для плівок As40Se60 та As50Se50 процес формування
Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 2 49
ПРГ такий же, як і при використанні p-p-схеми запису, то для Se-збагачених плівок
(As20Se80 і As30Se70) s–s-схема запису (в межах такого ж часу експерименту, тобто
2000 с запису) приводить до зникнення ділянки лінійного росту, як це схематично по-
казано на рис. 3,в (пунктирна лінія).
На рис. 5 представлено порівняльні результати для росту амплітуди (a) та дифрак-
ційної еффективності (б) ПРГ, згенерованої в свіжонанесеній плівці складу As20Se80.
Під час вимірювання η у режимі відбивання чітко простежуються два компоненти рель-
єфоутворення, залежні від часу: швидке початкове зростання та наступний, майже лі-
нійний, ріст дифракційної ефективності з поступовим виходом на насичення. Слід вка-
зати також на наявність динамічної компоненти дифракційної ефективності, реверсив-
ної щодо вмикань-вимикань світла, і яка, очевидно, пов’язана з динамічними змінами
показника заломлення/відбивання. В той же час амплітуда рельєфу, яка досягає висоти
майже 400 нм за час запису 6500 с, залишається сталою при вимиканні записуючих
променів.
Рис. 5. 3d АСМ-зображення (а), кінетика росту ПРГ (б) та її дифракційної ефективності (в) для свіжона-
несеної плівки As20Se80 . На вставці до рис. 5,б показано початковий момент росту висоти ґратки.
Стрілками показано моменти вмикання (↑) та вимикання (↓) лазерного випромінювання
Слід відмітити, що перший «стрибок» є загальною рисою для запису ПРГ в усіх
досліджених плівках системи As–Se, і тому може бути пов’язаний з першою стадією
нерівноважної генерації носіїв заряду та їхнього перерозподілу через різницю у рухли-
востях. Результатом є генерація дефектів і зміна вільного об’єму плівок. Фотоіндукова-
ні зміни об’єму (фоторозширення або фотостиснення) є характерними для плівок халь-
когенідних стекол і можуть досягати 1–2 % від початкового об’єму плівки, утворюючи
відносно невелику скалярну ґратку за рахунок відповідної модуляцїї густини матеріалу,
яка відтворює розподіл інтенсивності світла в інтерференційній картині.
Наступна частина повільного зростання амплітуди ПРГ і, відповідно, дифракційної
ефективності η аж до насичення, пов’язана, очевидно, з генерацією та рухом відповід-
них диполярних дефектів [16] в матриці фоторозм’якшеної плівки. Фоторозм’якшення
(аж до 1013 Пуаз) є наслідком фотопластичного ефекту [17], який сприяє направленому
транспорту дефектів і молекулярних фрагментів між світлими та темними областями за
В. М. Рубіш, М. Л. Трунов, П. М. Литвин, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, М. Ю. Риган, О. Є. Петраченков
50
рахунок градієнту вектора електричного поля в інтерференційній картині.
Зважаючи на суттєво різні часові залежності, можна зробити також висновок, що
два фотоіндуковані ефекти — фотозатемнення і масоперенос — безпосередньо не спів-
відносяться. Зокрема, для системи As–Se склади з найбільшим фотозатемненням
(As40Se60 та As50Se50) формують дуже малі ПРГ. Порівняння даного результату з конце-
нтраційною залежністю фотопластичного ефекту для цієї ж системи [18] показує оче-
видну кореляцію між останнім та амплітудою ПРГ у конкретних складах халькогенід-
них стекол системи As–Se.
Не торкаючись деталей доволі складного і до кінця ще не з’ясованого механізму
різних фотоіндукованих трансформацій/перетворень у халькогенідних стеклах, можна
зробити висновок, що як напрямок так і величина масопереносу в халькогенідних ша-
рах суттєвим чином залежать від складу та схеми запису голографічної ґратки. Більше
того, попередні результати вказують на можливість ефективного підсилення процесу
росту ПРГ за рахунок додаткової підсвітки лазером з довжиною хвилі з області погли-
нання матеріалу плівки [14].
Слід відмітити, що записані рельєфи стабільні при більш ніж однорічному збері-
ганні за нормальних умов і можуть бути стерті тільки при термічному нагріванні вище
температур розм’якшення вихідних халькогенідних стекол.
Висновок
На основі поляризаційно-залежного, лазерно-індукованого гігантського масопере-
носу розроблено прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках
халькогенідних стекол. Характерними рисами запису є нелінійне зростання амплітуди
рельєфу (до 400 нм) без наявного насичення, довготривала стабільність і здатність до
часткового стирання при термообробці. Показано, що найбільша висота ґратки при ла-
зерному записуванні досягається в плівках As40S60 та As20Se80. Механізм даного проце-
су тісно пов’язаний з утворенням зарядів і дефектів, індукованих опроміненням, яке
поєднується зі зменшенням в’язкості і призводить до пластичної деформації неоднорі-
дно засвіченої поверхні.
1. Семак Д.Г. Фото-термоструктурні перетворення халькогенідів / Д.Г. Семак, В.М. Різак, І.М. Рі-
зак. — Ужгород: Закарпаття, 1999. — 392 с.
2. Різак В.М. Функціональні халькогенідні напівпровідники / В.М. Різак, І.М. Різак, Д.Г. Семак. —
Ужгород: Закарпаття, 2001. — 152 с.
3. Recording the Highly Efficient Diffraction Gratings by Using He–Cd Laser / Kostyukevych S.A.,
Morozovska A.N., Minko V.I. [et al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelecronics. —
2004. — Vol. 7, N 4. — P. 472–477.
4. Неорганічна фотолітографія / [Петров В.В., Крючин А.А., Костюкевич С.О., Рубіш В.М.]. — К.:
ІМФ НАНУ, 2007. — 195 с.
5. Венгер Е.Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводни-
ках и их практическое применение / Е.Ф. Венгер, А.В. Мельничук, А.В. Стронский. — К.: Академперио-
дика, 2007. — 283 с.
6. Ramachandran S. Fabrication of Holographic Gratings in As2S3 Glass by Photoexpansion and Photo-
darkening / S.Ramachandran, S.G. Bishop, J.P. Guo, D.J. Brady // IEEE Photonics Technology Letters. — 1996.
— Vol. 8. — P. 1041–1043.
7. Hisakuni H. Optical Fabrication of Microlenses in Chalcogenide Glasses / H. Hisakuni, K. Tanaka //
Opt. Lett. — 1995. — Vol. 20. — P. 958–960.
8. Galstyan T.V. Combined Relief and Volume Holographic Grating in Thin Chalcogenide As2S3 Glasses /
T.V. Galstyan, J.F. Viens, A. Villencuve, M.A. Duguay // CLEO 97 Proc. — 1997. — P. 492.
Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 2 51
9. A Model for the Photostructural Changes in Amorphous Chalcogenides / K. Shimakava, N. Yoshida,
A. Ganjoo [et al.] // Phil. Mag. Lett. — 1998. — Vol. 77. — P. 153–158.
10. Hisakuni H. Optical Microfabrication of Chalcogenide Glasses / H. Hisakuni, K. Tanaka // Science. —
1995. — Vol. 270. — P. 974–975.
11. Trunov M.L. Photoplastic Phenomena in Chalcogenide Glasses / M.L. Trunov, V.S. Bilanich // J. Opto-
electron. Adv. Materials. — 2003. — Vol. 5. — P. 1085–1091.
12. Holographic Recording of Surface Relief Gratings in Amorphous Chalcogenides Based on Polariza-
tion-Dependent Photoplastic Effect / M.L. Trunov, P.M. Lytvyn, P.M. Nagy [et al.] // Proc. 6th Intern. Conf.
«Holoexpo-2009». — Kiev (Ukraine). — 2009. — P. 217.
13. Surface Morphology of Asdeposited and Illuminated As–Se Chalcogenide Thin Films / M.L. Trunov,
P.M. Nagy, V. Takats [et al.] // J. Non-Cryst. Solids. — 2009. — Vol. 355. — P. 1993–1997.
14. Trunov M.L. Real-Time Atomic Force Microscopy Imaging of Photoinduced Surface Deformation in
AsxSe100−x Chalcogenide Films / M.L. Trunov, P.M. Lytvyn, P.M. Nagy, O.M. Dyachyns’ka //Appl. Phys. Lett.
— 2010. — Vol. 96. — P. 111908-1–111908-3.
15. Direct Surface Relief Formation in As–S(Se) Layers / M. Trunov, P. Lytvyn, P.M. Nagy [et al.] // Proc.
SPIE. — 2010. — Vol. 7598. — P. 75981H-1–75981H-5.
16. Saliminia А. Optical Field-Induced Mass Transport in As2S3 Chalcogenide Glasses / А. Saliminia, T.V.
Galstian, and A. Villeneuve // Phys. Rev. Lett. — 2000. — Vol. 85. — P. 4112–4115.
17. Yannopoulos S.N. Photoplastic Effects in Chalcogenide Glasses: A Review / S.N. Yannopoulos, M.L.
Trunov // Phys. Status Solid. — 2009. — Vol. 246. — P. 1773–1785.
18. Trunov M.L. Giant Photoplastic Effect in Vitreous Semiconductors Near the Rigidity Percolation Tran-
sition / M.L. Trunov, V.S. Bilanich, S.N. Dub, R.S. Shmegera // JETP Lett. — 2005. — Vol. 82. — P. 504–508.
Надійшла до редакції 22.06.2010
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-50448 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-9189 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-30T13:22:16Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Рубіш, В.М. Трунов, М.Л. Литвин, П.М. Гера, Е.В. Тарнай, А.А. Риган, М.Ю. Петраченко, М.Є. 2013-10-20T20:17:27Z 2013-10-20T20:17:27Z 2010 Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол / В.М. Рубіш, М.Л. Трунов, П.М. Литвин, Е.В. Гера, А.А. Тарнай, М.Ю. Риган, М.Є. Петраченко // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2010. — Т. 12, № 2. — С. 43-51. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 1560-9189 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50448 004.023 Методом атомно-силової мікроскопії досліджено кінетику росту поверхневих рельєфів у плівках бінарних халькогенідних систем. Визначено оптимальні склади плівок і режими запису поверхневих рельєфних ґраток. Обговорюється механізм формування рельєфу. Методом атомно-силовой микроскопии исследована кинетика роста поверхностных рельефов в пленках бинарных халькогенидных систем. Определены оптимальные составы пленок и режимы записи поверхностных рельефных решеток. Обсуждается механизм формирования рельефа. Kinetics of the growth of surface relief in binary chalcogenide systems films by atomic-force microscopy technique is investigated. The optimal film compositions and the recording modes of surface relief gratings are determined. The mechanism of relief forming is discussed. uk Інститут проблем реєстрації інформації НАН України Реєстрація, зберігання і обробка даних Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол Прямой метод формирования поверхностных рельефных решеток в пленках халькогенидных стекол Direct Method of Forming Surface Relief Gratings in Chalcogenide Glass Film Article published earlier |
| spellingShingle | Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол Рубіш, В.М. Трунов, М.Л. Литвин, П.М. Гера, Е.В. Тарнай, А.А. Риган, М.Ю. Петраченко, М.Є. Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| title | Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол |
| title_alt | Прямой метод формирования поверхностных рельефных решеток в пленках халькогенидных стекол Direct Method of Forming Surface Relief Gratings in Chalcogenide Glass Film |
| title_full | Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол |
| title_fullStr | Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол |
| title_full_unstemmed | Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол |
| title_short | Прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол |
| title_sort | прямий метод формування поверхневих рельєфних ґраток у плівках халькогенідних стекол |
| topic | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| topic_facet | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50448 |
| work_keys_str_mv | AT rubíšvm prâmiimetodformuvannâpoverhnevihrelʹêfnihgratokuplívkahhalʹkogenídnihstekol AT trunovml prâmiimetodformuvannâpoverhnevihrelʹêfnihgratokuplívkahhalʹkogenídnihstekol AT litvinpm prâmiimetodformuvannâpoverhnevihrelʹêfnihgratokuplívkahhalʹkogenídnihstekol AT geraev prâmiimetodformuvannâpoverhnevihrelʹêfnihgratokuplívkahhalʹkogenídnihstekol AT tarnaiaa prâmiimetodformuvannâpoverhnevihrelʹêfnihgratokuplívkahhalʹkogenídnihstekol AT riganmû prâmiimetodformuvannâpoverhnevihrelʹêfnihgratokuplívkahhalʹkogenídnihstekol AT petračenkomê prâmiimetodformuvannâpoverhnevihrelʹêfnihgratokuplívkahhalʹkogenídnihstekol AT rubíšvm prâmoimetodformirovaniâpoverhnostnyhrelʹefnyhrešetokvplenkahhalʹkogenidnyhstekol AT trunovml prâmoimetodformirovaniâpoverhnostnyhrelʹefnyhrešetokvplenkahhalʹkogenidnyhstekol AT litvinpm prâmoimetodformirovaniâpoverhnostnyhrelʹefnyhrešetokvplenkahhalʹkogenidnyhstekol AT geraev prâmoimetodformirovaniâpoverhnostnyhrelʹefnyhrešetokvplenkahhalʹkogenidnyhstekol AT tarnaiaa prâmoimetodformirovaniâpoverhnostnyhrelʹefnyhrešetokvplenkahhalʹkogenidnyhstekol AT riganmû prâmoimetodformirovaniâpoverhnostnyhrelʹefnyhrešetokvplenkahhalʹkogenidnyhstekol AT petračenkomê prâmoimetodformirovaniâpoverhnostnyhrelʹefnyhrešetokvplenkahhalʹkogenidnyhstekol AT rubíšvm directmethodofformingsurfacereliefgratingsinchalcogenideglassfilm AT trunovml directmethodofformingsurfacereliefgratingsinchalcogenideglassfilm AT litvinpm directmethodofformingsurfacereliefgratingsinchalcogenideglassfilm AT geraev directmethodofformingsurfacereliefgratingsinchalcogenideglassfilm AT tarnaiaa directmethodofformingsurfacereliefgratingsinchalcogenideglassfilm AT riganmû directmethodofformingsurfacereliefgratingsinchalcogenideglassfilm AT petračenkomê directmethodofformingsurfacereliefgratingsinchalcogenideglassfilm |