Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением

Обоснована необходимость внедрения монолитно интегрированных Si/AIIIBV-источников света. Проанализировано влияние динамики температурного изменения на реверсивный режим включения светодиодов в качестве фотоприемников в интегрированных Si/AIIIBV-источниках света. Исследовано влияние температурной дин...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Реєстрація, зберігання і обробка даних
Datum:2012
Hauptverfasser: Деминский, П.В., Осинский, В.И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50566
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением / П.В. Деминский, В.И. Осинский // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2012. — Т. 14, № 2. — С. 3-13. — Бібліогр.: 13 назв. — pос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Обоснована необходимость внедрения монолитно интегрированных Si/AIIIBV-источников света. Проанализировано влияние динамики температурного изменения на реверсивный режим включения светодиодов в качестве фотоприемников в интегрированных Si/AIIIBV-источниках света. Исследовано влияние температурной динамики на длину волны, интенсивность излучения и цветовую температуру исследуемых образцов. Исследована сила света диодных источников видимого излучения в зависимости от температуры. Обоснована необходимость использования при реализации монолитных интегральных Si/AIIIBV-источников света нескольких светодиодов в разнесенные во времени моменты в реверсивном режиме включения. Обгрунтовано необхідність впровадження монолітно інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерел світла. Проаналізовано вплив динаміки температурних змін на реверсивний режим включення світлодіодів як фотоприймачів у інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерелах світла. Досліджено вплив температурної динаміки на довжину хвилі, інтенсивність випромінювання та колірну температуру досліджуваних зразків. Досліджено силу світла діодних джерел видимого випромінювання залежно від температури. Обгрунтовано необхідність використання при реалізації Si/AIIIBV RGB-джерел світла декількох світлодіодів у рознесені з часі моменти в реверсивному режимі включення. It has been justified the necessity of monolithically integrated Si/AIIIBV light sources implementation. The influence of the dynamics of temperature changes on the steps of modeling and implementation of monolithically integrated Si/AIIIBV light sources have been investigated and analyzed. The influence of temperature dynamics on the wavelength, intensity and color temperature of the samples has been studied. The values of LEDs sources brightness depending on the temperature are investigated. It is reported about the benefits and necessities of the implementation of multiple LEDs spaced in time in the reverse mode at monolithic integrated Si/AIIIBV light sources.
ISSN:1560-9189