Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением

Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением

Обоснована необходимость внедрения монолитно интегрированных Si/AIIIBV-источников света. Проанализировано влияние динамики температурного изменения на реверсивный режим включения светодиодов в качестве фотоприемников в интегрированных Si/AIIIBV-источниках света. Исследовано влияние температурной дин...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Реєстрація, зберігання і обробка даних
Дата:2012
Автори: Деминский, П.В., Осинский, В.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2012
Теми:
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50566
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением / П.В. Деминский, В.И. Осинский // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2012. — Т. 14, № 2. — С. 3-13. — Бібліогр.: 13 назв. — pос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-50566
record_format dspace
spelling Деминский, П.В.
Осинский, В.И.
2013-10-23T20:26:19Z
2013-10-23T20:26:19Z
2012
Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением / П.В. Деминский, В.И. Осинский // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2012. — Т. 14, № 2. — С. 3-13. — Бібліогр.: 13 назв. — pос.
1560-9189
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50566
621.315.592.2
Обоснована необходимость внедрения монолитно интегрированных Si/AIIIBV-источников света. Проанализировано влияние динамики температурного изменения на реверсивный режим включения светодиодов в качестве фотоприемников в интегрированных Si/AIIIBV-источниках света. Исследовано влияние температурной динамики на длину волны, интенсивность излучения и цветовую температуру исследуемых образцов. Исследована сила света диодных источников видимого излучения в зависимости от температуры. Обоснована необходимость использования при реализации монолитных интегральных Si/AIIIBV-источников света нескольких светодиодов в разнесенные во времени моменты в реверсивном режиме включения.
Обгрунтовано необхідність впровадження монолітно інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерел світла. Проаналізовано вплив динаміки температурних змін на реверсивний режим включення світлодіодів як фотоприймачів у інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерелах світла. Досліджено вплив температурної динаміки на довжину хвилі, інтенсивність випромінювання та колірну температуру досліджуваних зразків. Досліджено силу світла діодних джерел видимого випромінювання залежно від температури. Обгрунтовано необхідність використання при реалізації Si/AIIIBV RGB-джерел світла декількох світлодіодів у рознесені з часі моменти в реверсивному режимі включення.
It has been justified the necessity of monolithically integrated Si/AIIIBV light sources implementation. The influence of the dynamics of temperature changes on the steps of modeling and implementation of monolithically integrated Si/AIIIBV light sources have been investigated and analyzed. The influence of temperature dynamics on the wavelength, intensity and color temperature of the samples has been studied. The values of LEDs sources brightness depending on the temperature are investigated. It is reported about the benefits and necessities of the implementation of multiple LEDs spaced in time in the reverse mode at monolithic integrated Si/AIIIBV light sources.
ru
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Реєстрація, зберігання і обробка даних
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
Вплив теплових процесів в Si/AIIIBV RGB-матрицях світлодіодів на реверсивне мікропроцесорне управління освітленням
Influence of Thermal Processes in Si/AIIIBV RGB LED-Matrixes on the Reverse Microprocessor Control of Lighting
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
spellingShingle Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
Деминский, П.В.
Осинский, В.И.
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
title_short Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
title_full Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
title_fullStr Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
title_full_unstemmed Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
title_sort влияние тепловых процессов в si/aiiibv rgb-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
author Деминский, П.В.
Осинский, В.И.
author_facet Деминский, П.В.
Осинский, В.И.
topic Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
topic_facet Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
publishDate 2012
language Russian
container_title Реєстрація, зберігання і обробка даних
publisher Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
format Article
title_alt Вплив теплових процесів в Si/AIIIBV RGB-матрицях світлодіодів на реверсивне мікропроцесорне управління освітленням
Influence of Thermal Processes in Si/AIIIBV RGB LED-Matrixes on the Reverse Microprocessor Control of Lighting
description Обоснована необходимость внедрения монолитно интегрированных Si/AIIIBV-источников света. Проанализировано влияние динамики температурного изменения на реверсивный режим включения светодиодов в качестве фотоприемников в интегрированных Si/AIIIBV-источниках света. Исследовано влияние температурной динамики на длину волны, интенсивность излучения и цветовую температуру исследуемых образцов. Исследована сила света диодных источников видимого излучения в зависимости от температуры. Обоснована необходимость использования при реализации монолитных интегральных Si/AIIIBV-источников света нескольких светодиодов в разнесенные во времени моменты в реверсивном режиме включения. Обгрунтовано необхідність впровадження монолітно інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерел світла. Проаналізовано вплив динаміки температурних змін на реверсивний режим включення світлодіодів як фотоприймачів у інтегрованих Si/AIIIBV RGB-джерелах світла. Досліджено вплив температурної динаміки на довжину хвилі, інтенсивність випромінювання та колірну температуру досліджуваних зразків. Досліджено силу світла діодних джерел видимого випромінювання залежно від температури. Обгрунтовано необхідність використання при реалізації Si/AIIIBV RGB-джерел світла декількох світлодіодів у рознесені з часі моменти в реверсивному режимі включення. It has been justified the necessity of monolithically integrated Si/AIIIBV light sources implementation. The influence of the dynamics of temperature changes on the steps of modeling and implementation of monolithically integrated Si/AIIIBV light sources have been investigated and analyzed. The influence of temperature dynamics on the wavelength, intensity and color temperature of the samples has been studied. The values of LEDs sources brightness depending on the temperature are investigated. It is reported about the benefits and necessities of the implementation of multiple LEDs spaced in time in the reverse mode at monolithic integrated Si/AIIIBV light sources.
issn 1560-9189
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50566
citation_txt Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением / П.В. Деминский, В.И. Осинский // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2012. — Т. 14, № 2. — С. 3-13. — Бібліогр.: 13 назв. — pос.
work_keys_str_mv AT deminskiipv vliânieteplovyhprocessovvsiaiiibvrgbmatricahsvetodiodovnareversivnoemikroprocessornoeupravlenieosveŝeniem
AT osinskiivi vliânieteplovyhprocessovvsiaiiibvrgbmatricahsvetodiodovnareversivnoemikroprocessornoeupravlenieosveŝeniem
AT deminskiipv vplivteplovihprocesívvsiaiiibvrgbmatricâhsvítlodíodívnareversivnemíkroprocesorneupravlínnâosvítlennâm
AT osinskiivi vplivteplovihprocesívvsiaiiibvrgbmatricâhsvítlodíodívnareversivnemíkroprocesorneupravlínnâosvítlennâm
AT deminskiipv influenceofthermalprocessesinsiaiiibvrgbledmatrixesonthereversemicroprocessorcontroloflighting
AT osinskiivi influenceofthermalprocessesinsiaiiibvrgbledmatrixesonthereversemicroprocessorcontroloflighting
first_indexed 2025-11-24T05:35:48Z
last_indexed 2025-11-24T05:35:48Z
_version_ 1850840975803416576
fulltext , ISSN 1560-9189 , , 2012, . 14, 2 3 621.315.592.2 . . 1, . . 2 1 « », , 37, 03056, , 2 . - , 3, 04136, , Si/AIIIBV RGB- Si/AIIIBV- . - Si/AIIIBV- . , - . - . - Si/AIIIBV- - . : , , , , RGB. 1. , - AIIIBV Si. . , RGB- Si , - , . , , - . © . . , . . . . , . . 4 - , Si, - [1]. Si AIIIBV, GaAs GaN - - . GaN Si - 7–9 %, [2]. , - [3], - Si. - , - [4]. - , ( ) ( ) - . - - - , . , - SiC- , - , , - AlInGaP, , - ( ) . RGB- Si ( – – ) - ( . 1). SiC . — . — , - , , . — - GaN [5]. - , – . , - , [6]. . 1. , - , . J = 0,4 4 / 2 . - Si/AIIIBV RGB- ISSN 1560-9189 , , 2012, . 14, 2 5 - [7]. . 1. A3B5 RGB- Si : R1, R2 — , G — , — ; - ; 1 — Si- ; 2 — ; 3 — ; 4 — SiO2; 5 — Si - 1. - . (Eg), I, cd, , - , U - , - - , / Al2O3/AlGaN/GaInN/GaN 6,2/3,73/3,2/3,4/ 130 1000 1000 100 10 100 SiC/AlN/nGaN/iGaInN/ pGaN/p+GaN 3,03/6,2/3,4/3,425/ 3,5/3,36 145 1000 1000 100 10 100 GaAs/AlInP/AlInGaP 1,42/2.27/2,0 85 300 300 100 10 65 Si/porousAl2O3/AlGaN/ IGaN/iGaInN/pGaN/p+GaN 1,12/6,2/3,73/3,2/3,3/ 3,38/3,36 135 1500 1500 70 10 120 2. , - - . , - , - . . , . . 6 . R Pd, : 1 2 ( / ). d T TR C P Si , - . - , , , . . - , - . , , - , - - [8]. , . , R p-n- Rp-n, (Eg) - p-n- . , - R Rp-n , , - . - , - , - , , - , , . [8, 9], - , - , - . - , , - . , - - , , - , . , - , . , , , , Si/AIIIBV RGB- ISSN 1560-9189 , , 2012, . 14, 2 7 , - . - , Eg , . Eg , - . , . - ( ) . - - ( ) , - , - , . . [10]. , , . - . . - , - . , - Si/AIIIBV- . 3. : — N1 — , , , ( 7 9 2) — 8- — 3 / . (MCPCB); — N2, N3, - . Al- - 159–191. 3.1. , . . . , . . 8 , -23. - 84-3 ( ), - 200–800 . , . . . 3.2. 100–600 100 . - . 100 200 - 15 ; 300 400 — 20 ; 500 — 25 ; 600 — 30 . , 15–20 . ( ) - . , N1 ( , ), N2. - - . - , - . ( . 2) - (dEg/dT), - [11]. - , - , , , , - Si. , . 3.3. - -71 Tabai ( ) -116. Si/AIIIBV RGB- ISSN 1560-9189 , , 2012, . 14, 2 9 . 2 . : ) ; ) ; ) N 1; ) N 2 ) ) ) ) . . , . . 10 –30 ° +65 ° 200 600 . - , , . , , , . (N3), - . 400 . , - , . , , - , - . - , . [13], Si/AIIIBV RGB- . - - . - , , - . , - , , - , - , - . — , - - . - , , , , - , , , - [10]. , - Si - , . , - . Si/AIIIBV RGB- ISSN 1560-9189 , , 2012, . 14, 2 11 . - . 3. . 3. RGB - 4000–5000 , , . 2. 2. RGB- (G), (R), (B), 1. 600 300 50 (~5000 ) 2. 600 400 40 (~3700 ) 3. 600 500 20 (~2600 ) , , - , - , . 2 ( ), - ( ). - , RGB- - . RGB- [13] Si ( . 3) - , . . . , . . 12 R1 F = 190 , 0,5 - , - , [9]. , R1 - , - R2, G, B . - RGB- , - 2600–6500 . R1, , , RGB- , , - R2, , R1. R2 R1 - . R1 R2 AlInGaP - , , - ( . 2). - n- - - . - . 4. 1. , , - , Si/AIIIBV- - , . 2. Si/AIIIBV- . 3. Si/AIIIBV- . 4. Si/AIIIBV RGB- . 1 . . . / . ., . ., . . — .: , 2011. — 560 . — ISBN 978-966-2022-39-1. 2 . Si/III-N / . ., . ., . ., . // 8- . « , , — ». — .- ., 2011. — . 190–191. Si/AIIIBV RGB- ISSN 1560-9189 , , 2012, . 14, 2 13 3 . . . / . ., . ., . . // . « ». — . 1. — 2008. 4 . Osinsky V. Si/A3B5 One Chip Integration of White LED Sources / V. Osinsky, D. Murchenko, H. Honarmand // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Vol. 12, N 3. — P. 240–250. 5 . Hunsperger R.G. Integrated Optics, Theory and Technology / R.G. Hunsperger / — Berlin: Springer, 1995. — P. 2–10. 6 . . / . ; . . . . . . — 2- . — M.: , 2008. — 129 . ISBN 978-5-9221-0851-5. 7 . . – / . , . . — .: , 1975. — 432 . ISBN 5-256-01177-2. 8 . Osinsky V.I. Density-of-States Tails Associated with the 100 onduction Band Minima in Heavily Doped n-type GaAs / V.I. Osinsky, N.N. Winogradoff // Solid State Communications. — 1 De- cember 1970. — Vol. 8. — Issue 23. — P. 2001–2003. 9 . / . . . ., . . [ .] // III . « , - — ». — .: , 07 09 2004. — C. 166 167. 10. - InGaN/GaN / [ . . E.A., . . .] // . — 2005. — 39. — . 5. — . 627. 11. . . - RGB / . . , . . , . . // . — 2008. — 1. — . 80 84. 12. . . / . . , . . . — .: , 1976. — . 21. 13. . . - RGB / . . // . — 2011. — 3. — . 14 18. 31.05.2012

Схожі ресурси