Формирование информационного рельефа в некоторых неметаллических материалах
Исследована возможность формирования информационного рельефа в некоторых неметаллических материалах, полученных методом реакционного спекания и горячего прессования (SiC, SiC+В₄С и Si₃N₄, Si₃N₄+В₄С, AlN), а также в монокристаллическом кремнии. Для получения микрорельефа использован метод плазмохимич...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| ISSN: | 1560-9189 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50823 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование информационного рельефа в некоторых неметаллических материалах / И.А. Косско, А.А. Крючин, В.Г. Кравец, А.А. Мохнюк, А.С. Оберемок // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2006. — Т. 8, № 1. — С. 3-8. — Бібліогр.: 7 назв. — pос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Исследована возможность формирования информационного рельефа в некоторых неметаллических материалах, полученных методом реакционного спекания и горячего прессования (SiC, SiC+В₄С и Si₃N₄, Si₃N₄+В₄С, AlN), а также в монокристаллическом кремнии. Для получения микрорельефа использован метод плазмохимического травления.
Досліджено можливість формування інформаційного рельєфу в деяких неметалічних матеріалах, отриманих методом реакційного спікання та гарячого пресування (SiC, SiC+В₄С і Si₃N₄, Si₃N₄+В₄С, AlN), а також у монокристалічному кремнії. Для отримання мікрорельєфу використано метод плазмохімічного травлення.
An opportunity of forming the information relief in certain nonmetal materials obtained by a technique of reaction baking and hot pressing (SiC, SiC+В₄С and Si₃N₄, Si₃N₄+В₄С, AlN) as well as in monocrystalline silicon is investigated. For obtaining a microrelief the plasmochemical etching technique is used.
|
|---|---|
| ISSN: | 1560-9189 |