Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках
Рассмотрена возможность получения рельефных микроструктур на кремниевых подложках. Показано, что полученные рельефные микроструктуры могут быть использованы для записи, тиражирования и хранения информации, как в цифровом, так и в аналоговом виде. Для получения микроструктур использован способ электр...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50836 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках / И.А. Косско, А.А. Крючин, А.В. Панкратова, Ф.И. Коржинский, Л.Д. Середа, И.В. Середа // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2006. — Т. 8, № 2. — С. 6-14. — Бібліогр.: 12 назв. — pос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860247406199701504 |
|---|---|
| author | Косско, И.А. Крючин, А.А. Панкратова, А.В. Коржинский, Ф.И. Середа, Л.Д. Середа, И.В. |
| author_facet | Косско, И.А. Крючин, А.А. Панкратова, А.В. Коржинский, Ф.И. Середа, Л.Д. Середа, И.В. |
| citation_txt | Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках / И.А. Косско, А.А. Крючин, А.В. Панкратова, Ф.И. Коржинский, Л.Д. Середа, И.В. Середа // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2006. — Т. 8, № 2. — С. 6-14. — Бібліогр.: 12 назв. — pос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| description | Рассмотрена возможность получения рельефных микроструктур на кремниевых подложках. Показано, что полученные рельефные микроструктуры могут быть использованы для записи, тиражирования и хранения информации, как в цифровом, так и в аналоговом виде. Для получения микроструктур использован способ электронно-лучевой литографии.
Розглянуто можливість одержання рельєфних мікроструктур на кремнієвих підкладках. Показано, що отримані рельєфні мікроструктури можуть бути використані для запису, тиражування й зберігання інформації як у цифровому, так і в аналоговому виді. Для одержання мікроструктур використано спосіб електронно-променевої літографії.
An opportunity of obtaining relief microstructures on silicon substrates is considered. It is shown that obtained relief microstructures can be used for recording, replication and information storage both in digital and analog form. For obtaining microstructures an electron-beam lithography technique is used.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:38:32Z |
| format | Article |
| fulltext |
Фізичні основи, принципи і методи
реєстрації даних
6
УДК 004.85
И. А. Косско1, А. А. Крючин2, А. В. Панкратова2,
Ф. И. Коржинский3, Л. Д. Середа3, И. В. Середа3
1Институт проблем материаловедения НАН Украины
ул. Кржижановского, 3, 03142 Киев, Украина
2Институт проблем регистрации информации НАН Украины
ул. Шпака, 2,03113 Киев, Украина
3 ВАТ НВП «Сатурн»
ул. 50-річчя Жовтня, 2Б, 03148 Киев, Украина
Формирование рельефных микроструктур
на кремниевых подложках
Рассмотрена возможность получения рельефных микроструктур на
кремниевых подложках. Показано, что полученные рельефные микро-
структуры могут быть использованы для записи, тиражирования и
хранения информации, как в цифровом, так и в аналоговом виде. Для
получения микроструктур использован способ электронно-лучевой ли-
тографии.
Ключевые слова: рельефные микроструктуры, электронно-лучевая
литография, химическое травление.
Введение
В статье представлены результаты исследований технологии создания рель-
ефных микроструктур на кремневых подложках. Кремневые подложки с рельеф-
ными микроизображениямия могут использоваться в качестве дисков-оригиналов
и штампов в процессе производства компакт-дисков. Кроме того, они могут пред-
ставлять интерес для создания оптических носителей для долговременного хране-
ния данных, как в цифровой, так и аналоговой форме. Высокое качество поверх-
ности полированных кремневых подложек обеспечивает возможность получения
дисков-оригиналов и штампов с минимально возможным числом дефектов [1, 2].
Сравнительно высокие твердость и ударная термостойкость подложек из моно-
кристаллического кремния позволяют рассматривать их как перспективный мате-
риал для изготовления штампов для тиражирования компакт-дисков, в первую
очередь компакт-дисков нового поколения (HD DVD и Blue Ray). Эффективному
использованию штампов, изготовленных из монокристаллических материалов спо-
© И. А. Косско, А. А. Крючин, А. В. Панкратова, Ф. И. Коржинский, Л. Д. Середа, И. В. Середа
Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, Т. 8, № 2 7
собствует изменение конструкции машин инжекционного литья новых типов
компакт-дисков. Предусматривается размещение штампа на неподвижной части
машины инжекционного литья, что позволяет использовать штампы толщиной 2–
4 мм из монокристаллических материалов.
Микрорельефные структуры и защитные покрытия
на подложках монокристаллического кремния
Процесс селективного травления подложек монокристаллического кремния
ионами, нейтральными атомами, химическим или плазмохимическим способом
является достаточно отработанным [1, 3]. Принципиально важным здесь является
строго контролируемая скорость травления и отсутствие увеличения шероховато-
сти поверхности [4, 5]. Рельефные микроструктуры могут также создаваться в ок-
сидном слое, сформированном на поверхности кремневых подложек. Травление
оксида кремния имеет многолетнюю историю и является надежно отработанной
операцией. Для повышения механической прочности и изностойкости рельефных
микроструктур на поверхности кремневых подложек дополнительно напыляют
пленку карбида кремния. Этому процессу упрочнения поверхности кремния по-
священы ряд публикаций. Рассмотрим некоторые из них.
В работе [6] с помощью царапания острым индентором исследована адгезия
покрытия SiC к оксидокремниевой основе. Изучено влияние подложки на микро-
твердость пленок SiC. Измерения микротвердости и определение адгезии по ца-
рапанию часто применяются для оценки механических свойств тонких пленок. В
работе изучено влияние адгезии на измеряемую твердость. Пленки SiC, осажден-
ные на подложки из кремния и сплава на основе Ni с помощью импульсной ла-
зерной абляции, были индентированы и процарапаны с помощью индентора Вик-
керса и алмазного резца соответственно. Найдено, что твердость композита убы-
вает более быстро при слабой адгезии при увеличении нагрузки на индентор. Этот
результат объясняется с помощью моды упругопластической деформации при ин-
дентировании. Рассмотрена физическая модель, позволяющая разделить измере-
ние твердости пленки от твердости композита.
В [7] исследован рост плотных пленок SiC на Si при средних температурах с
помощью импульсного лазерного осаждения. Тонкие пленки SiC выращены импу-
льсным лазерным осаждением на подложках Si(100) с температурой 550–700° С.
При использовании лазерного излучения с интенсивностью 2,5 Дж/см2 и частоты
повторения импульсов 10 Гц получены кристаллические пленки с хорошими оп-
тическими свойствами, содержащие менее 2 % кислорода, на подложках с темпе-
ратурой 700° С.
В работе [8] исследованы микромеханические свойства тонких пленок SiC,
полученные методом плазмохимического осаждения с одним источником. Для
осаждения пленок SiC на кремниевые подложки в качестве общего источника Si и
С использовали 1,3-дисилабутан. Из измерений резонансной частоты консоли, в
зависимости от толщины пленки с использованием соответствующей модели, оп-
ределили модуль упругости пленки. Пленки SiC планировалось использовать для
атомно-силовой микроскопии.
В [9] исследовали пленки каpбида кpемния, полученные методом химическо-
И. А. Косско, А. А. Крючин, А. В. Панкратова, Ф. И. Коржинский, Л. Д. Середа, И. В. Середа
8
го осаждения из газовой фазы. С помощью методов РФА, ИКС, сканиpующей
электpонной микpоскопии и масс-спектpометpии втоpичных ионов исследованы
характеристикики моно- и поликpисталлических пленок SiC, полученных на мо-
нокpисталлических подложках Si и SiC методом химического осаждения из газо-
вой фазы пpи температуpе подложки 1100–1360° С в потоке H2+CH4+SiH4. Пока-
зано, что пленки SiC, осажденные пpи температуре <1300° С, обладали низким
качеством поверхности, низкой износостойкостью и содеpжали повышенное ко-
личество углерода. SiC, осажденные пpи температуре 1360° С, обладали высокой
адгезионной пpочностью и износостойкостью и состояли из альфа-SiC с гексаго-
нальной стpуктуpой пpи отношении Si:C = 1:1. В случае использования в качестве
pеакционных газов SiH4 и 13CH4 на подложках из Si 12C были получены пленки
Si 13C.
В работе [10] исследовали пленки Ti-–C, Si–C и Ta–C, полученные методом
осаждения из газовой фазы. Рассматpиваемые покpытия эффективно использова-
ли для уменьшения износа pежущих инстpументов и механических частей и уве-
личения сpока их службы.
В [11] предложен способ нанесения покрытия из каpбида кpемния методом
химического осаждения из паровой фазы. Предлагаемый способ позволяет нано-
сить на подложки карбидокремниевые антикоррозионные пленки достаточной
толщины для обеспечения высокой механической прочности и, в то же время,
свободные от трещин и отслоений. Сущность способа заключается в том, что на
подложки методом CVD (химическим осаждением из паровой фазы) осаждаются
тонкие чередующиеся слои из карбида кремния и слои из материала самой под-
ложки до достижения нужной толщины пленки. Осаждались попеременно слои
толщиной 20 нм из SiC и SiO2 до достижения общей толщины пленки 520 нм. Ис-
ходным материалом для осаждения SiC служили силаны и ацетилен или гексаме-
тилендисилазан. В качестве примера приводится высокая эффективность защиты
с помощью полученных пленок от коррозии поверхности кварцевого стекла, вы-
зываемой плавиковой кислотой при температуре 600–1000° C и давлении 26,6 Па.
Следует заметить, что в литературе зачастую не рассматриваются особенно-
сти переходного слоя между кремнием и карбидом кремния. Более корректно, с
нашей точки зрения, было бы указывать, что на границе раздела присутствует
слой оксида кремния (как и в нашем случае) и, по сути, переходной слой пред-
ставляет собой структуру Si–SiOx–SiC. Наиболее подходящим, с нашей точки зре-
ния, способом формирования рельефа является ионное травление [12].
Таким образом, карбид кремния наносится на поверхность материала-основы
для его упрочнения и повышения стойкости к воздействию химических факторов
(растворенных в воздухе паров воды, кислот и щелочей). Покрытие имеет отлич-
ную адгезию к массивной оксидкремниевой-кремниевой (до 10 мм толщины) ос-
нове. Такой композит обладает необходимым комплексом свойств для решения
задач прямого мастеринга и создания носителя для долговременного хранения
данных. В первом случае, на передний план выходят отличные механические
свойства карбида кремния — твердость и износостойкость, во-втором — химиче-
ская инертность. На первый взгляд, весьма перспективная технология подготовки
поверхности кремния путем создания перемешанной поликристаллической струк-
туры [11] перед мастерингом, оказывается непригодной. Это связано с нарушени-
Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, Т. 8, № 2 9
ем кристаллической структуры кремния, которая, впоследствии приводит к селек-
тивному травлению и, соответственно, к искажению созданной информационной
структуры. С нашей точки зрения, наиболее оптимальным способом использова-
ния уникальных свойств карбида кремния для решения поставленных задач, явля-
ется получение информационного рельефа в оксиде кремния на монокристалли-
ческом кремнии с последующим напылением тонкой пленки (до 100 нм) карбида
кремния. Таким образом, литературные данные позволяют говорить о том, что
карбид кремния, осажденный CVD-методом, является самым подходящим мате-
риалом для этого благодаря его отличным физико-механическим свойствам и
прекрасной адгезией к основе материала. Он исключительно твердый и имеет вы-
сокую ударную термостойкость, а его теплопроводность близка к значению для
никеля [1] .
Методика эксперимента и анализ полученных результатов
На монокристалличский кремний с шероховатостью Rz менее 10 нм с помо-
щью электронно-лучевого напыления наносился слой оксида кремния толщиной
0,3 мкм. Далее, на центрифуге со скоростью 2000 об/мин наносился электронный
резист толщиной 0,5 мкм. Далее проводилась сушка при 120° С в течение 30 мин.
На электронно-лучевом комплексе ЦБА-21 проводилось экспонирование изобра-
жения различных тест-структур. Данный коплекс имеет оригинальное программ-
ное обеспечение, позволяющее управлять экспонирующим электронным лучем.
Электронный луч может воспроизводить на поверхности электронного резиста
напечатанный или рукописный текст, после сканирования с бумажного носителя,
рисунки и т.д. В случае необходимости записи цифровых данных, используется
программа, управляющая включением и выключением — отклонением электрон-
ного луча и формирующая, таким образом, аналоговый или цифровой рельеф.
Проявление электронного резиста на основе полиметилметакрилата проводилось
в растворе метилэтилкетона (МЭК) + изопропилового спирта (ИПС) состава 1:2.
Далее проводилось ополаскивание образца в деионизованной воде и сушка при
180° С в течение 20 мин. После этого производилось травление SiO2 на половину
его глубины (0,15 мкм) травителем следующего состава: NH4F — 200 г, H2O —
400 мл, HF — 60 мл. Затем удалялся остаток электронного резиста ацетоном и об-
разцы промывались деионизованной водой с последующей сушкой при 100° С в
течение 20 мин.
Контроль особенностей топографии информационного рельефа проводился с
помощью оптической (Axiovert 200MAT, Carl Zeiss) и атомно-силовой микроско-
пии (NANOSCAN-2).
На рис. 1 (а–е) представлены тест-структуры в виде текста, каждая буква ко-
торого состоит из шести линий. Толщина линий колеблется от 0,18 (рис. 1г) до
1 мкм (рис. 1д). Тест-структура для реализации возможности записи цифровых
данных представлена на рис. 1е.
И. А. Косско, А. А. Крючин, А. В. Панкратова, Ф. И. Коржинский, Л. Д. Середа, И. В. Середа
10
а)
б) в)
г) д)
е)
Рис. 1. Тест-структуры на поверхности штампа:
a), б), в), г), д) — тест-структуры для аналоговой записи; е) — тест-структура для цифровой записи
Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, Т. 8, № 2 11
На рис. 2–4 приведены результаты анализа тест-структур с помощью атомно-
силовой микроскопии. Из анализа представленных рисунков можно сделать ряд
выводов. Шероховатость образца не была увеличена путем травления. Плоские
участки информационного рельефа имеют шероховатость Rz ~ 6 нм и Rmax ~ 7 нм
(рис. 3), полосчатые структуры имеют у основания минимальную ширину от 0,8–
0,9 мкм (рис. 2) до 0,47 мкм (рис. 4). Cтенки дорожек гладкие с углом наклона по-
рядка 30° (рис. 3), что вполне удовлетворяет требованиям инжекционного литья.
Более крутые стенки будут влиять отрицательно на отделение полимера от мат-
рицы, тогда как менее крутые — понизят уровень сигнала воспроизведения. Рель-
еф на рис. 4 имеет четкое разделение между круглыми углублениями, толщина
стенки углубления у основания составляет менее 0,5 мкм, угол наклона стенки
пита также порядка 30°. Глубина структур составляет от 0,3 мкм (рис. 3) до 80–90
нм (рис. 4). Минимальные размеры структур, низкая шероховатость, возможность
травления на различную глубину и создания соответствующих улов наклона сте-
нок углублений позволяют удовлетворять необходимым требованиям записи ин-
формации.
Рис. 2. Изображение поверхности полосчатой тест-структуры,
полученное с помощью атомной-силовой микроскопии
И. А. Косско, А. А. Крючин, А. В. Панкратова, Ф. И. Коржинский, Л. Д. Середа, И. В. Середа
12
Рис. 3. Изображение тест-структуры, моделирующей матрицу для тиражирования информации
Рис. 4. Изображение тест-структуры в виде равноудаленных углублений
Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, Т. 8, № 2 13
Выводы
Субмикронные размеры элементарных рельефных микроструктур, получен-
ных в данной работе позволяют говорить о реализации возможности осуществле-
ния высокоплотной записи и возможности ее тиражирования. Рельеф фактически
формировался в тонкой пленке оксида кремния, покрывающего кремниевую по-
дложку. В используемой установке запись информации проведена как в аналого-
вой, так и в цифровой форме. Анализ литературы позволяет говорить о возможно-
сти значительного упрочнения поверхности с помощью тонких покритий карбида
кремния. Твердые и инертные к агрессивным химическим воздействиям покрытия
из карбида кремния позволяют использовать полученные рельефные микрострук-
туры также для долговременного хранения данных.
Благодарности
Коллектив авторов благодарит старшых научных сотрудников ИФП НАН
Украины О. Литвин и П. Литвина за многолетнюю плодотворную работу по ана-
лизу рельефных микроструктур, осуществленную и в представленной статье.
1. Косско И.А., Крючин А.А., Кравец В.Г., Мохнюк А.А., Оберемок А.С. Формирование инфо-
рмационного рельефа в некоторых неметаллических материалах // Реєстрація, зберігання і оброб.
даних — 2006. — Т. 8, № 1. — С. 3–8.
2. Bifano T.G., Fawcett H.E., Bierden P.A. Precision Manufacture of Optical Disc Master Stampers
// Precision Engineers. — 1997, Jan. — Vol. 20, N 1. — P. 54–62.
3. Bifano T.G., Fawcett H.E., T.Drueding T. Neutral Ion Figuring of Chemically Vapor Deposited
Silicon Carbide // Opt. Eng. —1994. — 33. — P. 967–974.
4. Egert C.M. Roughness Evolution of Optical Materials Induced by Ion beam Milling // Proc.
SPIE. — 1992. — P. 1752.
5. Drueding T.W., Wilson S., Fawcett S.C., Bifano T.G. Ion Beam Figuring of Small Optical Com-
ponents // Opt. Eng. — 1995. — 34. — P. 3565–3571.
6. Hou Q.R., Gao J., Li S.J. Adhesion and іts Influence on Micro-Hardness of DLC and SiC Films
// Eur. Phys. J. B. — 1999. — Vol. 8, N 4. — P. 493–496.
7. Craciun Valentin, Lambers Eric, Bassim Nabil D., Baney Ronald H., Singh Rajiv K. Growth of
Dense SiC Films on Si at Medium Temperatures by Pulsed Laser Deposition // J. Vac. Sci. and Technol.
A. — 2001. — Vol. 19, N 5. — P. 2691–2694.
8. Stoldt C.R., Fritz M.C., Carraro C. Maboudian R Micromechanical Properties of Silicon-
Carbide thin Films Deposited Using Single-Source Chemical-Vapor Deposition // Appl. Phys. Lett. —
2001. — Vol. 79, N 3. — P. 347–349.
9. Zheng Zhixiang, Guisuanyuan Xuebao // J. Chin. Ceram. Soc. — 1995. — Vol. 23, N 5. —
P. 550–554.
10. Knotek O. On Superstoichiometric Ti-C, Si-Cand Ta-C PVD Coatings / Abstr. Mater. Res. Soc.
Fall. Meet. — Boston (Mass). — Nov, 27. — Dec. 1. — 1995. — P. 14.7.
И. А. Косско, А. А. Крючин, А. В. Панкратова, Ф. И. Коржинский, Л. Д. Середа, И. В. Середа
14
11. Burte E., Horner A. Substrat und Verfahren zur Herstellung Einer Siliziumkarbidbeschichtung
auf Einem Substrat: 197406101 Fraunhofer-Gesellschaft zur Forderung der angewandten Forschung eV.
— N 19740610.6; Заявл. 12.9.97; Опубл. 18.3.99 г.
12. Оберемок А.С., Косско И.А., Крючин А.А. Артефакты высокочастотного распыления при
формировании информационного рельефа в стеклах // Оптико-електронні інформаційно-енерге-
тичні технології. — 2006. — № 1(11). — C. 107–114.
Поступила в редакцию 05.06.2006
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-50836 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-9189 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:38:32Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Косско, И.А. Крючин, А.А. Панкратова, А.В. Коржинский, Ф.И. Середа, Л.Д. Середа, И.В. 2013-11-04T21:08:31Z 2013-11-04T21:08:31Z 2006 Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках / И.А. Косско, А.А. Крючин, А.В. Панкратова, Ф.И. Коржинский, Л.Д. Середа, И.В. Середа // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2006. — Т. 8, № 2. — С. 6-14. — Бібліогр.: 12 назв. — pос. 1560-9189 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50836 004.85 Рассмотрена возможность получения рельефных микроструктур на кремниевых подложках. Показано, что полученные рельефные микроструктуры могут быть использованы для записи, тиражирования и хранения информации, как в цифровом, так и в аналоговом виде. Для получения микроструктур использован способ электронно-лучевой литографии. Розглянуто можливість одержання рельєфних мікроструктур на кремнієвих підкладках. Показано, що отримані рельєфні мікроструктури можуть бути використані для запису, тиражування й зберігання інформації як у цифровому, так і в аналоговому виді. Для одержання мікроструктур використано спосіб електронно-променевої літографії. An opportunity of obtaining relief microstructures on silicon substrates is considered. It is shown that obtained relief microstructures can be used for recording, replication and information storage both in digital and analog form. For obtaining microstructures an electron-beam lithography technique is used. Коллектив авторов благодарит старших научных сотрудников ИФП НАН Украины О. Литвин и П. Литвина за многолетнюю плодотворную работу по анализу рельефных микроструктур, осуществленную и в представленной статье. ru Інститут проблем реєстрації інформації НАН України Реєстрація, зберігання і обробка даних Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках Формування рельєфних мікроструктур на кремнієвих підкладках Formation of Relief Microstructures on Silicon Substrates Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках Косско, И.А. Крючин, А.А. Панкратова, А.В. Коржинский, Ф.И. Середа, Л.Д. Середа, И.В. Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| title | Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках |
| title_alt | Формування рельєфних мікроструктур на кремнієвих підкладках Formation of Relief Microstructures on Silicon Substrates |
| title_full | Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках |
| title_fullStr | Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках |
| title_full_unstemmed | Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках |
| title_short | Формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках |
| title_sort | формирование рельефных микроструктур на кремниевых подложках |
| topic | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| topic_facet | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50836 |
| work_keys_str_mv | AT kosskoia formirovanierelʹefnyhmikrostrukturnakremnievyhpodložkah AT krûčinaa formirovanierelʹefnyhmikrostrukturnakremnievyhpodložkah AT pankratovaav formirovanierelʹefnyhmikrostrukturnakremnievyhpodložkah AT koržinskiifi formirovanierelʹefnyhmikrostrukturnakremnievyhpodložkah AT seredald formirovanierelʹefnyhmikrostrukturnakremnievyhpodložkah AT seredaiv formirovanierelʹefnyhmikrostrukturnakremnievyhpodložkah AT kosskoia formuvannârelʹêfnihmíkrostrukturnakremníêvihpídkladkah AT krûčinaa formuvannârelʹêfnihmíkrostrukturnakremníêvihpídkladkah AT pankratovaav formuvannârelʹêfnihmíkrostrukturnakremníêvihpídkladkah AT koržinskiifi formuvannârelʹêfnihmíkrostrukturnakremníêvihpídkladkah AT seredald formuvannârelʹêfnihmíkrostrukturnakremníêvihpídkladkah AT seredaiv formuvannârelʹêfnihmíkrostrukturnakremníêvihpídkladkah AT kosskoia formationofreliefmicrostructuresonsiliconsubstrates AT krûčinaa formationofreliefmicrostructuresonsiliconsubstrates AT pankratovaav formationofreliefmicrostructuresonsiliconsubstrates AT koržinskiifi formationofreliefmicrostructuresonsiliconsubstrates AT seredald formationofreliefmicrostructuresonsiliconsubstrates AT seredaiv formationofreliefmicrostructuresonsiliconsubstrates |