Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации

Рассмотрена теория возникновения поверхностных плазмонов на границах раздела воздух–металл–диэлектрик под воздействием падающего светового излучения видимого спектра. Теоретически показана возможность усиления ближнего электромагнитного поля посредством плазмонного резонанса. Приведены примеры ближн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Реєстрація, зберігання і обробка даних
Дата:2006
Автор: Голдаевич, Е.Е.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2006
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50858
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации / Е.Е. Голдаевич // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2006. — Т. 8, № 4. — С. 13-21. — Бібліогр.: 6 назв. — pос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-50858
record_format dspace
spelling Голдаевич, Е.Е.
2013-11-05T19:42:17Z
2013-11-05T19:42:17Z
2006
Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации / Е.Е. Голдаевич // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2006. — Т. 8, № 4. — С. 13-21. — Бібліогр.: 6 назв. — pос.
1560-9189
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50858
004.085
Рассмотрена теория возникновения поверхностных плазмонов на границах раздела воздух–металл–диэлектрик под воздействием падающего светового излучения видимого спектра. Теоретически показана возможность усиления ближнего электромагнитного поля посредством плазмонного резонанса. Приведены примеры ближнеполевых оптических записывающих элементов, разрешающая способность которых увеличена за счет влияния поверхностных плазмонов.
Розглянуто теорію виникнення поверхневих плазмонів на межах розділу повітря–метал-діелектрик під впливом падаючого світлового випромінювання видимого спектру. Теоретично показано можливість посилення ближнього електромагнітного поля за допомогою плазмонного резонансу. Наведено приклади ближньопольових оптичних записуючих елементів, роздільна здатність яких збільшена за рахунок впливу поверхневих плазмонів.
The theory of surface plasmons origin in air–metal–dielectric interfaces radiated by incident light of visible spectrum is considered. A possibility of plasmon resonance near-field enhancement is theoretically shown. Examples of near-field optical recording elements having enhanced resolution because of surface plasmons influence are given.
ru
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Реєстрація, зберігання і обробка даних
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации
Аналіз впливу плазмонів на пропускну здатність ближньопольових елементів систем надщільного оптичного запису інформації
Analysis of Plasmon Influence on the Transmission Efficiency of Near-Field Elements of Superdense Optical Information Recording Systems
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации
spellingShingle Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации
Голдаевич, Е.Е.
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
title_short Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации
title_full Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации
title_fullStr Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации
title_full_unstemmed Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации
title_sort анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации
author Голдаевич, Е.Е.
author_facet Голдаевич, Е.Е.
topic Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
topic_facet Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
publishDate 2006
language Russian
container_title Реєстрація, зберігання і обробка даних
publisher Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
format Article
title_alt Аналіз впливу плазмонів на пропускну здатність ближньопольових елементів систем надщільного оптичного запису інформації
Analysis of Plasmon Influence on the Transmission Efficiency of Near-Field Elements of Superdense Optical Information Recording Systems
description Рассмотрена теория возникновения поверхностных плазмонов на границах раздела воздух–металл–диэлектрик под воздействием падающего светового излучения видимого спектра. Теоретически показана возможность усиления ближнего электромагнитного поля посредством плазмонного резонанса. Приведены примеры ближнеполевых оптических записывающих элементов, разрешающая способность которых увеличена за счет влияния поверхностных плазмонов. Розглянуто теорію виникнення поверхневих плазмонів на межах розділу повітря–метал-діелектрик під впливом падаючого світлового випромінювання видимого спектру. Теоретично показано можливість посилення ближнього електромагнітного поля за допомогою плазмонного резонансу. Наведено приклади ближньопольових оптичних записуючих елементів, роздільна здатність яких збільшена за рахунок впливу поверхневих плазмонів. The theory of surface plasmons origin in air–metal–dielectric interfaces radiated by incident light of visible spectrum is considered. A possibility of plasmon resonance near-field enhancement is theoretically shown. Examples of near-field optical recording elements having enhanced resolution because of surface plasmons influence are given.
issn 1560-9189
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50858
citation_txt Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации / Е.Е. Голдаевич // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2006. — Т. 8, № 4. — С. 13-21. — Бібліогр.: 6 назв. — pос.
work_keys_str_mv AT goldaevičee analizvliâniâplazmonovnapropusknuûsposobnostʹbližnepolevyhélementovsistemsverhplotnoioptičeskoizapisiinformacii
AT goldaevičee analízvplivuplazmonívnapropusknuzdatnístʹbližnʹopolʹovihelementívsistemnadŝílʹnogooptičnogozapisuínformacíí
AT goldaevičee analysisofplasmoninfluenceonthetransmissionefficiencyofnearfieldelementsofsuperdenseopticalinformationrecordingsystems
first_indexed 2025-11-24T03:28:46Z
last_indexed 2025-11-24T03:28:46Z
_version_ 1850839527286898688
fulltext ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, Т. 8, № 4 13 УДК 004.085 Е. Е. Голдаевич Институт проблем регистрации информации НАН Украины ул. Н. Шпака, 2, 03113 Киев, Украина Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации Рассмотрена теория возникновения поверхностных плазмонов на гра- ницах раздела воздух–металл–диэлектрик под воздействием падающе- го светового излучения видимого спектра. Теоретически показана возможность усиления ближнего электромагнитного поля посредст- вом плазмонного резонанса. Приведены примеры ближнеполевых оп- тических записывающих элементов, разрешающая способность кото- рых увеличена за счет влияния поверхностных плазмонов. Ключевые слова: поверхностные плазмоны, дисперсионное соотноше- ние, пропускная способность, ближнеполевая оптическая запись. Введение Технологии, которые обеспечивают пропускание света за дифракционный предел, могут позволить повысить плотность данных в системах оптического хранения информации. Например, фундаментальный дифракционный предел можно преодолеть в ближнеполевой системе хранения информации путем ис- пользования наноапертуры в плоской металлической пленке [4] или коническом (пирамидальном) зонде [3, 4]. В теории, очень маленькие световые пятна чте- ния/записи могут быть получены, если металлическая апертура находится доста- точно близко к среде хранения данных. На практике жизнеспособность таких сис- тем проблематична, т.к. пропускная способность наноапертур уменьшается как 4-d , где d — размер наноапертуры [5]. Однако недавно было предложено и про- демонстрировано, что пропускная способность может быть значительно увеличе- на при помощи поверхностных плазмон-поляритонов и локализированных по- верхностных плазмонов [1]. Высокая пропускная способность, по-видимому, от- крывает новые возможности для пропускания света через дифракционный предел и, следовательно, для новых применений, таких как магнитная запись при тепло- вом воздействии и ближнеполевая оптическая запись. © Е. Е. Голдаевич Е. Е. Голдаевич 14 В данной статье рассматривается понятие поверхностных плазмонов и воз- можность их применения в ближнеполевых системах записи информации для увеличения пропускной способности фокусирующих элементов таких систем. Поверхностные плазмоны Важное расширение физики плазмонов было достигнуто при введении поня- тия «поверхностного плазмона». Поверхностные плазмоны представляют собой электромагнитные волны, приводимые в движение переменой полярности по- верхностных зарядов, которые распространяются вдоль границы раздела металл– диэлектрик. Хорошими носителями для поверхностных плазмонов являются ме- таллы, такие как алюминий, золото и серебро, у которых { } 0Re <me (где me — диэлектрическая постоянная металла). По мере уменьшения толщины металличе- ской пленки поверхностные плазмоны, существующие отдельно (в случае толстой металлической пленки) на каждой границе металл–диэлектрик, связываются, при- водя к двум различным электромагнитным возмущениям (названным модами Фа- но), которые распространяются параллельно тонкой металлической пленке. Эти моды называются симметричной (s-мода) и антисимметричной (a-мода) и разли- чаются тем фактом, что электрическое поле a-моды обладает инверсной фазой внутри металлической пленки (рис. 1а) [1]. Рис. 1. Моды поверхностной плазмонной волны: а) распространение электромагнитного поля в структуре воздух-металл-диэлектрик для s- и a-мод; б) возникновение s-моды или a-моды при изменении диэлектрической проницаемости диэлектрика или толщины металлической пленки Теория Максвелла показывает, что электромагнитные поверхностные волны могут распространяться вдоль металлической поверхности или на металлических пленках с широким спектром собственных частот от 0=w до 2pww = , где pw — частота колебания плазмы, зависящая от волнового вектора k. Их дисперсион- Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, Т. 8, № 4 15 ное соотношение ( )kw лежит справа от световой линии (рис. 2), означая то, что поверхностные плазмоны имеют более длинный волновой вектор, чем световые волны той же энергии wh , распространяющиеся вдоль поверхности. Поэтому они называются «неизлучающими» поверхностными плазмонными волнами, которые описывают флуктуации поверхностной плотности электронов. Их электромагнит- ные поля угасают экспоненциально в направлении, перпендикулярном к поверх- ности, и имеют максимум на самой поверхности, что является характеристикой поверхностных волн. Они могут выть вызваны не только электронами, но и фото- нами. Применение фотонов для возбуждения поверхностных плазмонных волн сталкивается с той трудностью, что соотношение для дисперсии находится в пра- вой части светового спектра ( cksp /w> ). При заданной энергии фотона wh вол- новой вектор c/wh должен быть увеличен на xkD для того, чтобы «преобразо- вать» фотоны в поверхностные плазмонные волны (рис. 2). Рис. 2. Дисперсионное соотношение зависимости падающей волны от поверхностной плазмонной волны Относительная диэлектрическая постоянная металла ( 2e на рис. 3) всегда яв- ляется комплексным числом. Если положить, что 222 eee ¢¢+¢= i и xxx kikk ¢¢+¢= , то- гда: ( ) ( ) 2 2 2 21 2 1 2 2 2 12 2 2 2 212 2 2 2 21 2 eee eeeeeeeeeeew ¢¢+¢+ ¢¢+¢+¢¢+¢+¢+¢¢+¢ =¢ c k x , (1) Е. Е. Голдаевич 16 ( ) ( ) 2 1 2 2 2 12 2 2 2 212 2 2 2 2 2 2 2 21 2 3 1 2 eeeeeeeeeeeee eew ¢¢+¢+¢¢+¢+¢+¢¢+¢¢¢+¢+ ¢¢ =¢¢ c k x . (2) Отсюда дисперсионное соотношение для поверхностной плазмонной волны: ( ) ( ) 2 2 2 21 2 1 2 2 2 12 2 2 2 212 2 2 2 21 2 eee eeeeeeeeeeew ¢¢+¢+ ¢¢+¢+¢¢+¢+¢+¢¢+¢ = c k sp . (3) Рис. 3. Моделирование резонанса поверхностной плазмонной волны, где 321 ,, eee — диэлектрические проницаемости воздуха, металла, диэлектрика (стекло) соответственно; d — толщина металлической пленки; θ — угол падения световой волны Интенсивность поверхностной плазмонной волны, распространяющейся вдоль гладкой поверхности, уменьшается в соответствии с зависимостью xk xe ¢¢-2 , где xk ¢¢ берется из уравнения (2) [6]. Тогда расстояние iL , после которого интен- сивность уменьшится на 1/e, будет вычисляться по формуле: ( ) .2 1-¢¢= xi kL (4) Как было сказано выше, амплитуда поля поверхностной плазмонной волны по нормали от поверхности уменьшается экспоненциально по закону ( )zk zi-exp и имеет максимум на поверхности. Таким образом, глубина, при которой поле ос- лабевает до 1/e, равна zikz /1ˆ = или в среде с 1e : 2 1 21 1 2 1ˆ e ee p l a ¢+ -==z , (5) в металле с 2e : 2 2 21 2 2 1 ˆ e ee p l b ¢ ¢+ -==z . (6) Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, Т. 8, № 4 17 При увеличении xk и iẑ апроксимируется xk/1 , что приводит к сильной кон- центрации поля вблизи поверхностей обеих сред. Поверхностные плазмонные ре- зонансы могут быть созданы p-поляризованным светом при соблюдении условий сохранения количества движения. Когда поверхностные векторы падающей и по- верхностной плазмонной волны совпадают, т.е. spkk =θsin , то возникает резо- нанс поверхностных плазмонов [6], означающий, что совпали колебательные мо- ды падающей и поверхностной плазмонной волны. При возникновении поверхно- стного плазмонного резонанса большинство падающей световой энергии погло- щается. Отраженная интенсивность падающего p-поляризованного света достига- ет минимума при .θsin 32 32 1 ee ee e +¢ ¢ =SPR (7) Если отражательная способность R [6] имеет самое низкое значение, то ин- тенсивность электромагнитного поля на поверхности достигает своего максиму- ма, что называется эффектом усиления поля. Значение усиления задается отноше- нием интенсивности поля на поверхности металла со стороны воздуха ( 13 =e ) ( ) 2 2/3yH ( yH — магнитное поле поверхностной плазмонной волны) к входящей интенсивности поля ( ) 2 1 2/1yH среды с 1e для p-поляризованного света: ( ) ( ) ( ) ( ) , 2exp1 exp 2/1 2/3 2 222312 2223122 1232 1 2 dikrr dikttt H H z z pp p y y + == (8) где 2 123 pt — коэффициент передачи Френеля для двухграничной системы, а p ikt — соответствующие коэффициенты для системы с одной границей. Имеет место вы- ражение для корреляции: ,1 p ik p ik rt += (9) где p ikr — соответствующие коэффициенты отражения Френеля для системы с од- ной границей: .÷÷ ø ö çç è æ +÷÷ ø ö çç è æ -= zk zk zi zi zk zk zi zip ik kkkk r eeee (10) Е. Е. Голдаевич 18 Резонансные характеристики поверхностных плазмонов могут быть получе- ны из соотношения (8). 2 123 pt как функция от угла падения 0θ при значении па- раметра mindd = имеет максимум, который записывается как: , 1 21 22 2 2 1 2 max123 ee e e ¢+¢¢ ¢ = at p (11) где ( ) 112 2 1 eee --¢=a . (12) В общем случае интересует значение максимального увеличения интенсивно- сти электрического поля elTmax , которое получается из выражения ( ) ( ) ( ) ( ) el y y T E E H H max 1 3 max 2 1 2 1 3 max 2 1 2 2/1 2/3 2/1 2/3 e e e e = ÷ ÷ ø ö ç ç è æ = ÷÷ ÷ ø ö çç ç è æ (13) и равно: . 1 21 22 2 2 3 max ee e e ¢+¢¢ ¢ = aT el (14) Также следует отметить, что увеличение значения 3e приводит к увеличению значения волнового вектора xk ¢ . Это больше влияет на s-моду, чем на a-моду. К аналогичному заключению можно прийти при увеличении или уменьшении тол- щины металлической пленки d (рис. 3). В данном случае больше изменяется a-мода, чем s-мода (волновой вектор увеличивается при уменьшении толщины пленки). Это означает, что локальные изменения толщины d или проницаемостей может в полной аналогии с обычной трехмерной оптикой дать возможность изме- нять направление распространения поверхностных плазмонных волн. Поверхностные плазмоны в записывающих элементах ближнеполевых оптических систем Электромагнитная энергия, связанная с главной модой волновода, может привести к возникновению поверхностных плазмонов по аналогии с описанной выше плоской структурой. После возбуждения поверхностные плазмоны распро- страняются вдоль металлического покрытия в сторону вершины острия оптоволо- конного волновода. По мере изменения радиуса волновода распространение по- верхностных плазмонных волн сопровождается потерями на излучение, которые можно минимизировать применением адиабатически заостренного волокна [3]. Для создания сильного увеличения поля в области самого острия, распростра- Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, Т. 8, № 4 19 няющиеся поверхностные плазмонные волны должны интерферировать конструк- тивно. Условие конструктивной интерференции встречается только для опреде- ленных симметрий и видов поляризации главной моды. Если линейно поляризованная мода входит в оптоволокно, электрические по- ля, связанные с распространением поверхностных плазмонных волн, исчезают на конце острия и, следовательно, не обеспечивают какого-либо усиления поля (рис. 4а). Если мода внутри волокна является радиально поляризованной, то враща- тельная симметрия моды такова, что электрические поля поверхностных плазмо- нов накладываются друг на друга по фазе на конце острия, порождая, таким обра- зом, высокую поверхностную плотность заряда, а, следовательно, и сильное уве- личение поля. Рис. 4. Схематическое изображение плазмонов, возбужденных а) линейно-поляризованной и б) радиально-поляризованной распространяющейся световой волной На рис. 5 изображены результаты моделирования плотности распределения электромагнитного поля внутри заостренной части оптоволоконного волновода для линейной (рис. 5а, 5б) и радиальной (рис. 5в, 5г) поляризации светового излу- чения внутри оптоволокна [3]. Кроме разницы между распределениями интенсив- ностей внутри оптоволокна основным отличием между двумя конфигурациями является ситуация вблизи самого окончания острия. Если в первом случае (ли- нейная поляризация) симметрия поверхностных плазмонов приводила к прекра- щению электрического поля вблизи окончания острия, то во втором случае (ради- альная поляризация) ситуация характеризуется чрезвычайным усилением поля вблизи окончания острия. Усиление вызвано тем фактом, что фазовая связь между плазмонами представляет собой конструктивное сложение продольных компо- нент поля (поле поляризовано вдоль оси острия). Соответственно, после форми- рования отверстия апертуры на конце острия интенсивность светового излучения, выходящего из апертуры, будет увеличена. В другом конструктивном решении был предложен иной подход для усиле- ния оптического ближнего поля [2]. Как показано на рис. 6 в центре отверстия апертуры (диаметром 400 нм) вертикального поверхностно излучающего лазера (ВПИЛ) при помощи фокусированного ионно-лучевого фрезерования была изго- товлена наночастица золота (диаметром 100 нм). Е. Е. Голдаевич 20 Рис. 5. Распределения интенсивности электромагнитного поля внутри оптоволоконного острия для линейно поляризованного (а, б) и радиально поляризованного (в, г) светового излучения. На б) и г) показаны увеличенные изображения окончания острия (120×120 нм) Рис. 6. Вертикальный поверхностно излучающий лазер с наночастицей золота в центре апертуры: а) схематическая структура лазера; б) наноапертура с золотой частицей (вид сверху) Согласно описанной выше модели (см. рис. 3) под наноапертурой располо- жен слой диэлектрика SiO2 для увеличения плазмонного эффекта. В результате исследования [2] было получено увеличение выходной мощности поля в 1,8 раз по сравнению с мощностью поля, получаемой с использованием обычной наноа- пертуры (без наночастицы в центре). При длине волны 850 нм, диаметре апертуры 400 нм, диаметре наночастицы 100 нм на расстоянии 20 нм от наноапертуры раз- мер ближнеполевого пятна составил 240 нм, а плотность мощности 7,7 мВт/мкм². С целью получения большего пространственного разрешения оптического зонда, а, значит, и уменьшения ближнеполевого пятна, был уменьшен размер наноапер- туры до 200 нм (размер наночастицы остался прежним — 100 нм). В результате Анализ влияния плазмонов на пропускную способность ближнеполевых элементов систем сверхплотной оптической записи информации ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2006, Т. 8, № 4 21 размер пятна уменьшился до 130 нм, а плотность мощности составила 1 мВт/мкм². Выводы В данной статье были приведены теоретические основы возникновения по- верхностных плазмонных волн, базирующиеся на теории Максвелла. Теоретиче- ски показана возможность усиления слабого, затухающего ближнего поля, пред- ставляющего собой световое излучение, прошедшее через наноапертуру в метал- лической пленке, размеры которой меньше 2/l (дифракционный предел). При рассмотрении практических реализаций записывающих элементов ближнеполе- вых оптических систем было отмечено увеличение пропускной способности на- ноапертур, что согласуется с теорией. Например, при размещении частицы метал- ла в центре наноапертуры было получено увеличение выходной мощности поля в 1,8 раз по сравнению с мощностью поля, получаемой с использованием обычной наноапертуры без наночастицы в центре. Также в случае цилиндрической формы оптоволоконного элемента ближнеполевой оптической записи рекомендуется применять радиально поляризованное излучение для возбуждения плазмонов на металлизированном покрытии острия в области наноапертуры. Приведены дан- ные, показывающие, что при уменьшении размеров апертуры уменьшаются раз- меры светового ближнеполевого пятна. Данный факт может позволить увеличить объемы хранения данных, т.к. размеры битов данных уменьшатся. В дальнейшем будет исследована возможность еще большего увеличения ин- тенсивности ближнеполевого излучения и уменьшения размеров светового пятна путем изменения геометрической формы наноапертуры и добавления периодиче- ских решетчатых металлических структур в ее области. 1. Drezet A., Hohenau A., Krenn J.R., Brun M., Huant S. Surface Plasmon Мediated Near-Field Imaging and Оptical Аddressing in Nanoscience // Micron. — 2006. 2. Hashizume J., Koyama F. Plasmon Enhanced Optical Near-Field Probing of Metal Nanoaperture Surface Emitting Laser // Opt. Express. — 2004. — Vol. 12. — Р. 6391–6396. 3. Bouhelier A., Renger J., Beversluis M.R., Novotny L. Plasmon-Сoupled Tip-Еnhanced Near- Field Оptical Microscopy // J. Microscopy. — 2003, June. — Vol. 210. — Pt 3. — Р. 220–224. 4. Goto K., Masuda Y., Kirigaya T., Kurihara K., Mitsugi S. New Optical Disk System of Ultrahigh Density and High Data Rate Using 2-D VCSEL Array // The Bulletin of School of High-Technology for Human Welfare Tokai Univ. — 2004. — Vol. 14. — Р. 23–33. 5. Olkkonen J.T. Study of High Throughput Aperture for Near-Field Optical Data Storage // Optical Data Storage, OSA Technical Digest Series (Optical Society of America), 2003. — Р. TuD3. 6. Sun L., Wang J., Zhang E., Tian Q. Study on the Mechanism of Super-Resolution Near-Field Structure High-Density Optical Data Storage // Jpn. J. Аppl. Рhys. — 2003. — Vol. 42(1), N 8. — Р. 5113–5116. Поступила в редакцию 20.11.2006 Введение Поверхностные плазмоны Поверхностные плазмоны в записывающих элементах ближнеполевых оптических систем Выводы