Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації
Розглянуто вплив технологічних умов одержання, опромінення та відпалу на структуру ближнього порядку стекол і плівок у системі миш’як–сірка–селен.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2007
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50903 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації / М.Ю. Риган, П.П. Штець, В.В. Рубіш, Е.В. Гера, А.А. Тарнай, В.К. Кириленко, С.М. Гасинець, В.П. Перевузник, В.М. Мар’ян, Г.М. Шпирко, В.О. Степанович, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2007. — Т. 9, № 3. — С. 145-156. — Бібліогр.: 33 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859614313404170240 |
|---|---|
| author | Риган, М.Ю. Штець, П.П. Рубіш, В.В. Гера, Е.В. Тарнай, А.А. Кириленко, В.К. Гасинець, С.М. Перевузник, В.П. Мар’ян, В.М. Шпирко, Г.М. Степанович, В.О. Рубіш, В.М. |
| author_facet | Риган, М.Ю. Штець, П.П. Рубіш, В.В. Гера, Е.В. Тарнай, А.А. Кириленко, В.К. Гасинець, С.М. Перевузник, В.П. Мар’ян, В.М. Шпирко, Г.М. Степанович, В.О. Рубіш, В.М. |
| citation_txt | Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації / М.Ю. Риган, П.П. Штець, В.В. Рубіш, Е.В. Гера, А.А. Тарнай, В.К. Кириленко, С.М. Гасинець, В.П. Перевузник, В.М. Мар’ян, Г.М. Шпирко, В.О. Степанович, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2007. — Т. 9, № 3. — С. 145-156. — Бібліогр.: 33 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| description | Розглянуто вплив технологічних умов одержання, опромінення та відпалу на структуру ближнього порядку стекол і плівок у системі миш’як–сірка–селен.
|
| first_indexed | 2025-11-28T18:13:54Z |
| format | Article |
| fulltext |
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2007, Т. 9, № 3 145
УДК 539.213; 539.219.1; 548.75
М. Ю. Риган, П. П. Штець, В. В. Рубіш, Е. В. Гера, А. А. Тарнай,
В. К. Кириленко, С. М. Гасинець, В. П. Перевузник, В. М. Мар’ян,
Г. М. Шпирко, В. О. Степанович, В. М. Рубіш
Ужгородський науково-технологічний центр матеріалів
оптичних носіїв інформації ІПРІ НАН України,
вул. Замкові сходи, 4-а, 88000 Ужгород, Україна
Особливості одержання та структура халькогенідних
склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації
Розглянуто вплив технологічних умов одержання, опромінення та від-
палу на структуру ближнього порядку стекол і плівок у системі
миш’як–сірка–селен.
Ключові слова: халькогенідні стекла, аморфні плівки, спектри комбі-
наційного розсіювання світла, фот структурні перетворення.
Вступ
Модифіковані структури на базі склоподібних халькогенідів миш’яку та сур-
ми й аморфні плівки на їхній основі знаходять практичне використання в ІЧ опти-
ці, оптоелектроніці, оптоволоконних пристроях зв’язку, як середовища для голог-
рафії та оптичного запису інформації [1–7]. Можливість створення таких оптич-
них середовищ на основі тонких халькогенідних плівок побудована на фотострук-
турних змінах, які відбуваються в плівках під дією актинічного опромінення. У
більшості випадків для запису інформації найчастіше використовують переходи
між різними аморфними станами та «аморфний стан ↔ кристалічний стан». При
цих переходах суттєво змінюються їхні оптичні, механічні та хімічні властивості.
Під час першої реакції проходить перерозподіл хімічних зв’язків зі зміною ближ-
нього й середнього атомних порядків аморфного стану. У цьому плані значний
інтерес викликають оптичні середовища на основі стекол системи As–S–Se, які
мають високу здатність до фотостимульованих структурних перетворень [8–10].
Однак, підвищена увага до цього часу приділялась стеклам і плівкам As40S60-xSeх
із х ≥ 20. Стекла даної системи з малим вмістом селену практично не досліджува-
лись.
Структура аморфних плівок і структурні перетворення, які в них відбувають-
ся при опроміненні, є залежними від умов одержання та опромінення. Передісто-
рія вихідних матеріалів (чистота вихідних компонентів, технологічні умови син-
тезу полікристалічних і склоподібних сплавів й їхньої термообробки), швидкість
© М. Ю. Риган, П. П. Штець, В. В. Рубіш, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, В. К. Кириленко,
С. М. Гасинець, В. П. Перевузник, В. М. Мар’ян, Г. М. Шпирко, В. О. Степанович, В. М. Рубіш
М. Ю. Риган, П. П. Штець, В. В. Рубіш, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, В. К. Кириленко,
С. М. Гасинець, В. П. Перевузник, В. М. Мар’ян, Г. М. Шпирко, В. О. Степанович, В. М. Рубіш
146
осадження, температурний режим, якість очистки й поверхнева енергія підкладки,
енергія та склад потоку частинок, які осаджуються на підкладку, енергія та час
експонування визначають не тільки структуру й рівень фотоструктурних перетво-
рень халькогенідних плівок, а й рівень зміни фізико-хімічних параметрів [8–10].
Тому широке використання халькогенідних склоподібних матеріалів у якості се-
редовища для запису потребує оптимізації технологічних режимів одержання як
стекол, так і аморфних плівок на їхній основі, із відтворюваними структурою й
властивостями.
У даній роботі приведені результати досліджень впливу умов одержання, від-
палу та опромінення на структуру ближнього порядку стекол і плівок системи As–
S–Se із малим вмістом селену.
Експериментальна частина
Оптична однорідність халькогенідних стекол і плівок на їхній основі в знач-
ній мірі визначається чистотою вихідних компонентів. Як правило, елементарні
хімічні речовини, які випускаються промисловістю, містять значну кількість різ-
номанітних домішок. Тому перед синтезом склоподібних сплавів у системі As–S–
Se різними методами проводилась додаткова очистка вихідних компонентів.
Сірка. Згідно з паспортними даними, сірка марки ОСЧ 16–5 містить у якості
домішок Ag, Ga, Mn, Sn (<1·10–6 мас. %), Co, Ni, Pb (<2·10–6 мас. %), Te (<5·10–6
мас. %), Fe, Cd, Cu, F, Cl, As (<10–5 мас. %), Al (<4·10–5 мас. %), Se (<2·10–4 мас.
%), бітуми (<2·10–3 мас. %). Експериментально встановлено, що крім домішок,
наведених у технічному паспорті, у сірці містяться також Zn, Na, Ti, Cz, Mg, Si,
Sb, V, Ca і кисень (6·10–4–2·10–5 мас. %).
На першому етапі сірку обробляли 70 % розчином HNO3 при температурі 323
К протягом 0,5 год. з подальшим промиванням бідистильованою водою та вакуу-
мною сушкою. Результати кислотної обробки сірки показали, що більшість домі-
шок видаляються в межах одного порядку. У значній кількості видаляються Al,
Cu, Ag і Na. Після кислотного травлення у вакуумованих (0,1–0,01 Па) кварцових
ампулах в інтервалі температур 1170–1200 К проводиться високотемпературна
обробка сірки, яка є ефективним методом розкладання бітумовмісних речовин. У
процесі обробки частина органічних речовин розкладається на вуглець і водень.
Водень повністю взаємодіє із сіркою в процесі обробки (H2S), а вуглець тільки
частково (CS2, COS, CH4 і ін.).
У подальшому проводилася вакуумна дистиляція. Експериментально встано-
влено, що в результаті 5–7 перегонок одержується сірка, в якій більшість домішок
понижується на один–два порядки. У межах одного порядку й менше сірка очи-
щається від Te, Se, As, P, Sb і Bi. Наступним етапом очистки сірки було зонне ви-
топлювання, яке проводили при швидкостях руху розплавленої зони 0,5–5 мм/год.
Установлено, що при даному методі очистки проходить як очищення сірки від
домішок, так і агрегація бітумовмісних речовин.
Кінцевим методом очистки сірки був ріст її кристалів із газової фази. Дослі-
дами встановлено, що в результаті росту одержуються голкоподібні кристали, а
також суміш монокристалів і дендритів. Сумарний вміст домішок в очищеній сір-
ці складав 2,7·10–6 мас. % [11, 12].
Особливості одержання та структура
халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2007, Т. 9, № 3 147
Селен. Селен марки ОСЧ 17–4 містить Ag, Sn, Ga, Co, Cd (<1·10–6 мас. %), Cu,
P (<2·10–6 мас. %), Ni, Sb, Mn (<3·10–6 мас. %), B, Cr, Te, Bi, Tl (<1·10–5 мас. %), Hg
(<3·10–5 мас. %), Al·(<4·10–5 мас. %), F, Cl, Br, I (<7·10–5 мас. % ), S (<1·10–4 мас. %).
Крім того, у даній марці Se містяться незначні домішки Zn, Ti, Na, In, Mg, Si, As, C,
O і H2O. Виявлені також N2, CH4, CO, CO2, COS, COSe, H2Se, NO, NН3, H2S, SeO2.
У зв’язку з тим що дана марка селену містить значну кількість SeO2, то пер-
шим етапом очистки було кислотне травлення за допомогою 60–70 % HNO3. У
процесі кислотної обробки селену зменшується вміст більшості домішок. Наступ-
ним етапом очистки була вакуумна дистиляція, що проводилась при тиску 0,1–
0,01 Па в інтервалі температур 520–550 К. Установлено, що в залишку (після виз-
гону) концентруються Cd, Cr, Mn, Ti, Pb, Ga, In, Si і галогени, а на градієнтному
конденсаторі ― Sn, P, Te, Hg, As, Bi і кисень (SeO2). Кристалізаційними методами
селен очищено від Ag, Ga, Co, Ni, Cu, P, Sb, Ti, Mn, Pb, Na, Cr, In.
У результаті комплексної очистки сумарна кількість домішок у селені пони-
жена до 2,8·10–5 мас. % [13].
Миш’як. У наших дослідах використовувався миш’як марки В 7, одержаний
гідридним способом. Очищення проводилось методом вакуумного (0,1 Па) визго-
ну з використанням градієнтного конденсатора. Температура зони визгону скла-
дала ― 700 К, а градієнтного конденсатора — 300–600 К.
Сумарна кількість домішок в очищеному миш’яку складає 2,3·10–5 мас. % [14].
Склоподібні зразки системи As–S–Se (розріз As2S3–As2Se3) готувались або
шляхом прямого синтезу з особливо чистих елементарних компонентів, або з по-
передньо синтезованих сполук As2S3 і As2Se3 у евакуйованих (0,01 Па) кварцових
ампулах протягом 24–48 год. Установлено, що при синтезі сплавів з елементарних
компонентів має місце відхилення складів одержаних склоподібних сплавів від
заданих у ділянку менших значень халькогена (на 1–3 мас. %). Тому в подальшо-
му синтез сплавів даної системи проводили з бінарних сполук As2S3 і As2Se3.
Оскільки в склад сплавів входила сірка, яка характеризується високою пружністю
парів, синтез проводили в декілька етапів.
Температура гомогенізації розплаву вибиралась для кожного складу й не пе-
ревищувала температуру плавлення (Tm) більше ніж на 50–100 К. Періодично роз-
плави перемішували. Час гомогенізації розплаву складав 20–24 год. Охолоджува-
ли сплави зі швидкістю ~10 К/с. Для зняття залишкових механічних напруг стекла
відпалювались протягом декількох годин при температурах, на 20–30 К нижче
температури склування (Tg) відповідних складів.
Технологічний процес отримання плівок на основі складних халькогенідів
включає в себе цілий ряд послідовних взаємопов’язаних технологічних операцій,
точність виконання яких визначає відтворюваність сукупності властивостей
отримуваних покрить. Кожна технологічна операція є невід’ємною частиною
всього технологічного процесу, який передбачає вимірювання, контроль і стабілі-
зацію основних параметрів: температуру підкладки, температуру пароутворення
плівкоутворюючих матеріалів, склад парової фази, товщини отримуваних плівок,
швидкості росту шарів, рівномірності по товщині й складу на всій площині підк-
ладки.
М. Ю. Риган, П. П. Штець, В. В. Рубіш, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, В. К. Кириленко,
С. М. Гасинець, В. П. Перевузник, В. М. Мар’ян, Г. М. Шпирко, В. О. Степанович, В. М. Рубіш
148
При виборі методу й оптимальних режимів випаровування вихідних плівкоу-
творюючих матеріалів нами враховувався реальний склад парової фази, характер
структуроутворення конденсату та механізм природного й стимульованого ста-
ріння. Для отримання плівок нами був використаний метод резистивного випаро-
вування із квазізамкнутої ефузійної комірки, що конструктивно представляє со-
бою сформований із танталової фольги струмопровідний паралелепіпед з ефузій-
ними й завантажувальним отворами, та із кварцових і молібденових тиглів. Екс-
периментальні напилення халькогенідів проводились на серійній вакуумній уста-
новці ВУП-5, яка оснащена системою лазерного контролю товщини плівок у про-
цесі росту.
Розроблений нами підковпачний пристрій вакуумної установки дозволяє в
широких межах змінювати як температуру випаровувача, так і температуру підк-
ладок, а також відстань між випаровувачем і підкладкою та здійснювати планета-
рне обертання підкладок. Дана методика дозволяє в широких межах змінювати й
швидкість осадження — від 1–2 нм/с до 5–6 мкм/с. Товщина плівок у процесі на-
пилення вимірювалась по інтерференційно-модульованому оптичному пропус-
канню плівки на довжинах хвиль, прозорих для досліджуваних складів плівкоут-
ворюючих матеріалів (у більшості випадків на λ = 0,63 і 1,15 мкм). Сталість тов-
щини шарів у робочій зоні забезпечувалась планетарним обертанням підкладок.
Перед напилюванням плівок підкладки підлягали хімічній очистці в розчині
поверхнево-активних речовин, що складається із суміші синтанолу ДС-10, 3 %
розчину перекису водню й 0,3 % аміаку. Відмивки здійснювались у такому режи-
мі: витримка підкладок у розчині впродовж 40-а хв., механічне протирання підк-
ладок тампоном із батисту ~5 хв., промивання підкладок у проточній бідистильо-
ваній воді — 12 хв. Остаточна очистка підкладок проводилась іонним бомбарду-
ванням безпосередньо у вакуумній камері установки перед нанесенням плівки.
Джерелом іонів був тліючий розряд у атмосфері інертного газу (Ar), що створю-
вався між спеціальними електродами, котрі перебували під високим потенціалом
2¸4 кВ. Тонкі плівки As40S60–xSex осаджувалися на скляні підкладки при кімнатній
температурі.
Структура ближнього порядку стекол і плівок вивчалась методом спектрос-
копії комбінаційного розсіювання (КР) світла. Дослідження КР-спектрів здійсню-
вали з використанням спектрофотометра ДФС–24 на довжині хвилі 0,63 мкм в 90-
і 180-градусній геометрії. Роздільна здатність складала 1–4 см–1. Вимірювання
проводились при кімнатній температурі.
Результати та їхнє обговорення
Спектри комбінаційного розсіювання світла стекол системи As–S–Se, синте-
зованих із додатково очищених компонентів, наведені на рис. 1. КР-спектр скла
As2S3 (крива 1) містить інтенсивну смугу при 343 см–1, обумовлену коливаннями
атомів As і S у тригональних пірамідах AsS3, низку слабких смуг в області 146–
231 см–1 та ряд особливостей при 316, 330, 360, 380 см–1 та 426 см–1. Широке пле-
че в області 380 см–1 може бути віднесене до взаємодії між пірамідами AsS3. Сла-
бкі смуги 146 і 162 см–1 зв’язані з As–S–As коливаннями, а смуги 187 і 231 см–1
обумовлені наявністю в матриці скла гомополярних зв’язків As–As [15]. Слабка
Особливості одержання та структура
халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2007, Т. 9, № 3 149
особливість при 426 см–1 може бути зв’язана з наявністю в структурній сітці скло-
подібного As2S3 фрагментів кілець S8, плече при 316 см–1 відповідає деформацій-
ним коливанням S–As–S зв’язків тригональних пірамід AsS3 [16]. Особливості при
330 і 360 см–1 обумовлені структурними одиницями As4S4 [17].
Суттєвий вплив на локальну структуру
халькогенідних стекол мають умови приготу-
вання. На рис. 2 подані КР-спектри скла
As40S60, одержаного термічною обробкою ал-
кіламонієвого розчину трисульфіду ми-ш’яку
(крива 1), охолодженням розплаву від Т =
= 1000 К зі швидкістю 102 К/с (крива 2) і охо-
лодженням розплаву в переохолоджений со-
льовий розчин від Т = 1300 К (крива 3). Вид-
но, що ці спектри містять набагато більше
особливостей, ніж спектри скла As2S3, одер-
жаного за звичайною технологією (рис. 1,
крива 1). У першу чергу, звертає на себе ува-
гу значна інтенсивність смуг при 150, 187,
220, 231, 360 та 470–490 см–1. Це обумовлено
наявністю в склоподібних сплавах As2S3 зна-
чної кількості структурних угрупувань, у
яких реалізуються гомополярні зв’язки As–
As і S–S [15]. Одержані результати свідчать
про можливість значної зміни атомної струк-
тури халькогенідних стекол, а, відповідно, і
властивостей при варіації умов одержання.
Аналогічна ситуація спостерігається і
для склоподібного триселеніду миш’яку.
Спектр КР склоподібного As2Sе3 містить на-
багато менше особливостей ніж спектр As2S3.
Він виявляє інтенсивну смугу з максимумом
при 227 см–1 (рис. 1, крива 1), яка відповідає
симетричним коливанням структурних оди-
ниць AsSe3. Слабкі особливості в області
110–150 см–1 і 250 см–1 пов’язані з наявністю
в матриці склоподібного As2Sе3 певної кіль-
кості структурних груп із гомополярними
зв’язками [15, 16]. Спектр КР аморфного
Рис. 2. КР-спектри стекол As2S3, одержаних в
різних режимах: 1 — термічною обробкою
алкіламонієвого розчину трисульфіду миш’яку;
2 — охолодженням розплаву від Т = 1000 К
із швидкістю 100 К/с; 3 — охолодженням
розплаву від Т = 1300 К із швидкістю 250 К/с
Рис. 1. КР спектри стекол
As40S60-xSex: х = 0 (1); 5 (2); 10
(свіжоприготоване) (3);
10 (відпалене) (4); 15 (5);
30 (6); 40 (7); 60 (8)
М. Ю. Риган, П. П. Штець, В. В. Рубіш, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, В. К. Кириленко,
С. М. Гасинець, В. П. Перевузник, В. М. Мар’ян, Г. М. Шпирко, В. О. Степанович, В. М. Рубіш
150
миш’яку містить максимуми при 200, 240, 285 см–1 і ряд особливостей в області
110–160 см–1 [16, 17]. Основними деталями спектра КР склоподібного селену є
максимум при 250 см–1 і плече при 235 см–1 [18].
При переході від подвійних стекол As40S(Se)60 до потрійних As40S60–хSех спек-
три КР дещо ускладнюються [15]. Вони виявляють двохмодовий характер (рис. 1,
криві 2–7). Спектри містять, в основному, дві інтенсивні смуги, максимуми яких
знаходяться майже при тих же частотах, що й для As2S3 та As2Sе3 (рис. 1, криві 2,
8). Це свідчить про переважаючу роль структурних одиниць AsS3/2 і AsSе3/2 у фо-
рмуванні матриці стекол системи As–S–Se. Проте, як видно з даного рисунка
(криві 3, 4) КР-спектри, а відповідно й структура стекол, залежать від технологіч-
них факторів.
У спектрі невідпаленого скла As40S50Sе10 максимуми основних смуг знахо-
дяться при 235 і 339 см–1 (рис. 1, крива 3). Різниця в положенні максимумів цих
смуг з їхнім положенням у склоподібних As2S3 і As2Sе3 свідчить про взаємний
вплив структурних угрупувань AsS3/2 і AsSе3/2 і появу змішаних структурних пі-
рамідальних одиниць AsS2Sе або AsSSе2. Обидві смуги є асиметричними. При
цьому частотне положення особливостей високочастотної області спектра, яка ві-
дповідальна за сульфідну підсистему, практично зберігається (316, 363 і 380–400
см–1). Дещо складнішим є характер зміни спектра в області, відповідальній за се-
ленідну підсистему. В області основного піка As2Sе3 (227 см–1) знаходяться й осо-
бливості, характерні для As2S3. У результаті основна низькочастотна смуга скла
As40S50Sе10 має складний характер (рис. 1, крива 3). У КР-спектрі невідпаленого
скла As40S50Sе10 виявлені смуги при 186, 209, 228, 249 і 258 см–1. Крім того, в об-
ласті 277 см–1 спостерігається плече, яке можна віднести до взаємодії між пірамі-
дами AsSе3. Смугу 186 см–1 можна приписати структурним групам, що містять
гомополярні зв’язки As–As. Наявність плеча в області 209 см–1 може бути зумов-
лено присутністю зв’язків S–S. Більш складною є ситуація в області 230–260 см–1.
У цій області знаходяться смуги, характерні для коливань ланцюжків і кілець се-
лену [18, 19], а також смуга (~260 см–1), зв’язана з Se–Se коливаннями в структу-
рах As–Se–Se–As [17]. У цій же області частот активними є й зв’язки As–As. Сму-
гу в області 256–258 см–1 можна зв’язувати й з присутністю молекулярних фраг-
ментів As4Sе4. Використовуючи коефіцієнт масштабування 0,71, характерний для
стекол As2S3 і As2Sе3 в області основних смуг [17, 20], ми одержуємо її співвідно-
шення зі смугою 363 см–1 в спектрах КР склоподібного As2S3. Ця смуга характер-
на для коливань молекулярних фрагментів As4S4. Слід відмітити, що при порів-
нянні стекол As2S3 і Sb2S3 коефіцієнт масштабування складає ~0,84 [21].
Для відпаленого скла As40S50Se10 спектр КР дещо змінюється (рис. 1, крива 4).
У низькочастотній області основний максимум знаходиться при 258 см–1, а інтен-
сивність смуги при 235 см–1 є значно меншою. Не так яскраво вираженою, як у
спектрі невідпаленого скла, є й особливість при 186 см–1, обумовлена зв’язками
As–As. Зміни у високочастотній ділянці спектра є мінімальними. Така поведінка
спектрів КР дозволяє припустити зменшення кількості гомополярних зв’язків у
матриці скла при відпалі, яке приводить до її впорядкування.
Змінюються КР-спектри й при збільшенні вмісту селену в складі стекол
As40S60–хSех (рис. 1) [15, 22, 23]. Інтенсивність високочастотної смуги зменшуєть-
Особливості одержання та структура
халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2007, Т. 9, № 3 151
ся, відображаючи зменшення кількості структурних одиниць AsS3/2 в матриці
скла. Для стекол As40S45Sе15, As40S30Sе30 в області низьких частот основним є мак-
симум при 253 см–1. Це свідчить про значну роль зв’язків Se–Se в структурі сте-
кол. Значною є й роль смуги при 235 см–1. Для скла As40S20Sе40 основний макси-
мум локалізований при 230 см–1. Відсутня особливість при 209 см–1, і слабко про-
являється плече при 228 см–1. Однак, у спектрі стекол присутня смуга при
187 см–1, яка свідчить про наявність зв’язків As–As. Проте її інтенсивність для цих
стекол значно менша, ніж для скла з х = 10. Даних, які б свідчили про значне зрос-
тання кількості змішаних пірамідальних структурних одиниць AsSySе3–y (y = 0, 1,
2, 3) у сітці стекол не виявлено. Частоти коливальних мод змішаних груп
AsS(Sе)3/2 відрізняються від частот, притаманним структурним одиницям AsS3/2 і
AsSе3/2 [24, 25]. Розрахунок частот коливань змішаних тригональних комплексів
AsSySе3–y, який проводився з урахуванням їхніх приведених мас та усереднених
довжин зв’язків, показав [23], що в КР-спектрах вони мають проявлятися при час-
тотах 345 см–1 (y = 3), 298 см–1 (y = 2), 251 см–1 (y = 1) і 233 см–1 (y = 0). Для край-
ніх випадків (y = 3 і 0) результати розрахунків і вимірювань (343 і 227 см–1) прак-
тично співпадають, що свідчить про переважаючу роль структурних груп AsS3 і
AsSe3 у побудові сітки стекол As40S60 і As40Se60. Смуги ж в області 290 см-1 у КР-
спектрах стекол даної системи не виявлено.
Таким чином, аналіз КР-спектрів стекол As40S60–хSех дозволяє зробити висно-
вок про їхню мікрогетерогенну структуру. Їхня структура може бути подана у ви-
гляді матриці, що складається з пірамідальних одиниць AsS3, AsSе3, AsSSе2. Міс-
тить вона й значну кількість молекулярних фрагментів As4S(Sе)4 та S(Sе)n із гомо-
полярними зв’язками As–As, S–S та Se–Se. Це свідчить про можливість зміни
структури, а значить і властивостей, стекол при дії на них зовнішніх чинників.
Структура аморфних плівок і рівень її змін ще в більшій мірі, ніж для стекол,
залежить від умов одержання й зовнішніх
чинників. Спектр комбінаційного розсію-
вання свіжоприготованої (u = 1–6 нм/с) на
скляну підкладку плівки As2S3 містить
набагато більше особливостей (рис. 3,
крива 1), ніж спектр скла As2S3 (рис. 1,
крива 1). У першу чергу, звертає на себе
увагу значна інтенсивність смуг при 231 і
187 см-1, та наявність слабких смуг при
102, 120, 134 і 221 см-1. Високочастотна
область спектра практично не зазнала
змін при переході від скла до плівки, хоча
плече при 316 см–1 у КР-спектрі плівки
виражене дуже слабко. Така поведінка
КР-спектрів може свідчити про більшу
ступінь розупорядкування структури амо-
рфних плівок. Смуги при 102, 120, 134 і
221 см–1 вказують на присутність у мат-
риці плівки структурних угрупувань із
Рис. 3. КР-спектри свіжоприготованих
(1, 3) і опромінених (2, 4) плівок As40S60
(1, 2) та As40S50Se10 (3, 4)
М. Ю. Риган, П. П. Штець, В. В. Рубіш, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, В. К. Кириленко,
С. М. Гасинець, В. П. Перевузник, В. М. Мар’ян, Г. М. Шпирко, В. О. Степанович, В. М. Рубіш
152
гомополярними зв’язками. Такими структурними угрупуваннями є молекулярні
As4S4 одиниці [8, 10, 25].
На рис. 4 (крива 1) приведений спектр
КР плівки As2S3, одержаний при швидкості
осадження u = 1–2 мкм/с. Видно, що він
суттєво відрізняється від спектра плівки,
одержаної в більш рівноважних умовах
(рис. 3, крива 1). Спектр плівки представляє
собою суперпозицію континуальної складо-
вої, подібної спектру об’ємного скла, і серії
порівняно гострих коливних смуг. Гострі
особливості, очевидно, відповідають інтен-
сивним лініям, які спостерігаються в крис-
талах b-As4S4 (361 і 342 см–1) і a-As4S4 (220
см–1). Особливості в області частот менше
200 см–1 і при 490 см–1 зв’язані з наявністю в
матриці скла гомополярних зв’язків As–As і
S–S. Усі порівняно гострі спектральні особ-
ливості свіжоприготованих плівок спостері-
гаються й у збагачених миш’яком стеклах, а
також шарах на їхній основі [25, 26]. Відпо-
відно, ці смуги зв’язані з вібраційними мо-
дами молекулярних фрагментів As4S4. Од-
нак, усі особливості КР-спектрів стекол і
плівок As2S3 можна пояснити, прийнявши, що їхня матриця містить два типи кла-
стерів As4S4 [10, 27]. У мономерній формі два зв’язки As–As зв’язані чотирма мо-
стиковими атомами сірки таким чином, що формується закрита кліткова (cage-
like) структурна одиниця. При цьому задовольняється умова валентності для всіх
атомів. У другій моделі мономерна клітка розкрита, та додані ще два атоми сірки.
Такі кластери дозволяють формувати просторово розгалужену структурну сітку
скла або плівки й у значній мірі визначають характер коливальних спектрів.
Таким чином, на основі даних результатів можна вважати, що структура сві-
жоприготованих плівок As2S3 представляє собою суміш пірамідальних структур-
них угрупувань AsS3 і частково полімеризованих розупорядкованих молекул
As4S4 і Sn. Освітлення таких плівок приводить до розриву й перемикання зв’язків
As-As і S–S в молекулах As4S4 і ланцюжках сірки. Це, у свою чергу, спричиняє
полімеризацію молекулярних груп, просторово розміщених найбільш оптималь-
но, у сітку тригональних пірамід AsS3 при слабкій зміні кутів S–As–S зв’язків. На
КР-спектрах (рис. 3, крива 2; рис. 4, крива 2) така структурна перебудова супро-
воджується зменшенням інтенсивності смуг, відповідальних за гомополярні
зв’язки As–As і S–S. Проте кількість молекулярних груп As4S4 і Sn у структурі
плівок залишається значною.
Більш кардинально змінюється КР-спектр, а відповідно і структура, при тер-
мічному відпалі свіжоприготованої плівки (рис. 4, крива 3). При відпалі розрив і
перемикання зв’язків в умовах підвищеної мобільності атомів у більшій мірі су-
Рис. 4. КР-спектри свіжоприготованих
(1, 4), опромінених (2) і відпалених
(3, 5) плівок As2S3, одержаних при
швидкостях конденсації 1–2 мкм/с
(1–3) та 5 мкм/с (4, 5)
Особливості одержання та структура
халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2007, Т. 9, № 3 153
проводжується полімеризацією структури, що виражається в суттєвій зміні кутів
S–As–S, обумовлюючи розкид частот деформаційних коливань і розширення їхніх
ліній КР [10, 28]. Як при відпалі, так і при опроміненні свіжоприготованих плівок,
концентрація дефектів, зв’язаних із порушенням координації атомів, зменшується.
Однак, домінуючим, напевно, є бездефектний механізм незворотної термополіме-
ризації. Зростання рівноважності процесу напилення сприяє полімеризації моле-
кулярних груп. Це призводить до зменшення частки незворотних фото- і термост-
руктурних змін [25, 29].
Руйнування одних і виникнення інших хімічних зв’язків супроводжується ге-
нерацією особливого типу структурних дефектів над- і недокоординованих атомів
миш’яку (As2
– i As4
+) і сірки (S3
+ і S1
–) [9, 10, 29]. У подальшому заряджені дефектні
стани трансформуються (релаксують) у структуру пірамідальних AsS3 одиниць.
Можлива й бездефектна фото- і термополімеризація молекулярних фрагмен-
тів типу As4S4 і S2 в структурну сітку AsS3/2. Однак, такі трансформації можливі
лише при високій концентрації вихідних молекул, оскільки для їхнього прохо-
дження необхідно, щоб при одночасному розриві двох гомополярних зв’язків As–
As і S–S усі чотири атоми були в позиції, яка задовольняє утворенню двох гетеро-
полярних зв’язків As–S. Генерація ж пари заряджених дефектів (As2
–, S3
+) або
(As4
+, S1
–) вимагає виконання даної умови всього для двох атомів.
Зростання швидкості осадження приводить до звуження ліній КР-спектрів і
зникнення континуальної складової. У КР-спектрі плівки As2S3, одержаної при
швидкості осадження ~5 мкм/с, відсутня смуга при 490 см–1, але проявляються
різкі спектральні лінії при 120, 150, 200, 233 і 273 см–1 (рис. 4, крива 4). Такий вид
спектрів КР характерний для кристалічних матеріалів. Лінія при 273 см–1 є домі-
нуючою в спектрі й свідчить про присутність у структурній сітці такої сильно не-
рівноважної плівки значної кількості молекулярних фрагментів As4S3 [28, 30], які
утворюють кристаліти значних розмірів. При опроміненні цих плівок КР-спектри
практично не змінюються. Відпал же (при Т ~450 К) призводить до звуження та
розщеплення спектральних ліній і перерозподілу їхніх відносних інтенсивностей
(рис. 4, крива 5), тобто він сприяє росту кристалічних включень і переходу плівки
в полікристалічний стан. Підтвердженням цьому є наявність у КР-спектрі відпа-
леної плівки інтенсивної низькочастотної смуги в області 60 см–1.
У КР-спектрі опроміненої плівки виявлені особливості при 186 і 238 см–1 й
інтенсивні смуги з максимумами при 211 і 269 см–1. Слабкі особливості мають,
напевно, ту ж природу, що й інтенсивні смуги при 187 і 231 см–1 у КР-спектрі сві-
жоприготованої плівки й обумовлені наявністю в структурній сітці певної кілько-
сті молекулярних фрагментів As4S4. Смуга при 269 см–1 зв’язана із присутністю в
матриці плівок значної кількості молекулярних одиниць As4S3, які виникають за
рахунок розривів і перемикання хімічних включень і переходу плівки в полікрис-
талічний стан. Підтвердженням цьому є наявність у КР-спектрі відпаленої плівки
інтенсивної низькочастотної смуги в області 60 см–1.
Подібна ситуація має місце й у плівках As40S60–хSех (0 ≤ х ≤ 20). Cпектри ком-
бінаційного розсіювання плівок As40S60-хSех, як і КР-спектри відповідних стекол
(рис. 1), виявляють двомодовий характер (рис. 3, криві 3, 4). Особливості спектрів
стекол і плівок в основному зберігаються. Це свідчить про збереження ближнього
М. Ю. Риган, П. П. Штець, В. В. Рубіш, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, В. К. Кириленко,
С. М. Гасинець, В. П. Перевузник, В. М. Мар’ян, Г. М. Шпирко, В. О. Степанович, В. М. Рубіш
154
й середнього порядку в структурі матеріалів [31]. Частотне положення основних
смуг в областях 230–260 і 310–400 см–1 практично не змінюється, але проходить
перерозподіл інтенсивностей смуг. Особливо це стосується смуги при 363 см–1.
Більш вираженими є й смуги в області 230–260 см–1. Для свіжонапиленої плівки
As40S50Sе10 (рис. 3, крива 3) проявляються смуги в низькочастотній області КР-
спектра (115, 136, 150, 174, 200 см–1), які відсутні в спектрі скла (рис. 1, крива 3).
Існування цих смуг зв’язане з наявністю гомополярних зв’язків As–As і S(Se)–
S(Se). Зрозумілим є й перерозподіл інтенсивностей особливостей спектра при збі-
льшенні вмісту селену. Необхідно відмітити й той факт, що особливості, які спо-
стерігаються на фоні основної низькочастотної смуги КР-спектра в склі
As40S50Sе10, у плівках того ж складу зміщені. У плівці такі особливості виявлені
при 223, 231, 239 і 256 см–1. Найбільш інтенсивною є смуга при 231 см–1. Аналогі-
чна картина спостерігається й у плівці As40S40Se20 [32].
Таким чином, аналіз КР-спектрів стекол і плівок As40S60-хSех дозволяє зробити
висновок про їхню мікрогетерогенну структуру. Їхня структура може бути подана
у вигляді матриці, що складається з пірамідальних одиниць AsS3/2, AsSе3/2,
AsS(Sе)3/2. Містить вона й значну кількість молекулярних фрагментів As4S(Sе)4 та
S(Sе)n із гомополярними зв’язками As–As, S–S та Se–Se.
Експонування плівок As40S60–хSех приводить до суттєвого зменшення кількос-
ті гомополярних зв’язків за рахунок розриву й перемикання зв’язків As–As і
S(Se)–S(Se) у молекулярних фрагментах As4S4(As4Sе4) і ланцюжках Sn(Se)n. Про
це свідчать зменшення інтенсивності (136, 150, 174, 187, 239, 256 см–1) і зникнен-
ня (200 см–1) деяких смуг у КР-спектрі засвіченої плівки As40S50Sе10 (рис. 3, крива
4). З термодинамічної точки зору переключення зв’язків, яке супроводжується
зменшенням кількості гомополярних зв’язків, є вигідним. З підвищенням дози ек-
спонування процес полімеризації молекулярних груп у основній матриці плівки
посилюється [33], і спектр плівки стає подібним спектру скла. Кількість гомопо-
лярних зв’язків у плівках As40S60-хSех із ростом дози експонування зменшується.
Термічний відпал теж приводить до полімеризації молекулярних груп, причому в
деяких випадках він виявляється набагато ефективнішим, ніж експонування [32,
33].
Висновки
Халькогенідні стекла As40S60–хSех і тонкі плівки на їхній основі мають мікро-
гетерогенну будову. Їхня матриця, побудована переважно структурними одини-
цями AsS3/2 і AsSe3/2, містить значну кількість структурних угрупувань із гомопо-
лярними зв’язками As–As, S(Se)–S(Se), а також змішаних AsS(Se)3/2 груп. Струк-
тура стекол і плівок у значній мірі визначається умовами одержання. Опромінен-
ня й термовідпал плівок призводять до структурних перетворень, у результаті
яких відбувається розрив і перемикання зв’язків As–As, S–S, Se–Se у молекуляр-
них фрагментах As4S4, As4Se4 і ланцюжках S(Se)n з утворенням структурних оди-
ниць із гетерополярними зв’язками As–S і As–Se. Встановлена роль у цьому про-
цесі структурних дефектів над- (S3
+; As4
+) і недокоординованих (S1
–; As2
–) атомів
миш’яку й халькогену.
Особливості одержання та структура
халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2007, Т. 9, № 3 155
1. Свечников С.В., Химинец В.В., Довгошей Н.И. Сложные некристаллические халькогалоге-
ниды и халькогениды и их применение в оптоэлектронике. — К.: Наук. думка, 1992. — 296 с.
2. Sanghera J.S., Aggarwal I.D. Active and Passive Chalcogenide Glass Optical Fibers for IR Ap-
plications: A Teview // J. Non-Cryst. Solids. — 1999. — Vol. 256–257. — P. 6–16.
3. Lucas J. Infrared Glasses // Curr. Opin. Solid. St. M. — 1999. — Vol .4, N 2. — P. 181–187.
4. Костюкевич С.А., Шепелявый П.Е., Москаленко Н.Л., Венгер Е.Ф., Свечников С.В., Пет-
ров В.В., Крючин А.А., Шанойло С.М. Исследование процесса мастеринга компакт-дисков на неор-
ганических фоторезистах // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2001. — Т. 3, № 4. — С. 5–11.
5. Петров В.В., Крючин А.А., Шанойло С.М., Костюкевич С.А., Кравец В.Г., Лапчук А.С. Оп-
тические диски: история, состояние, перспективы развития. — К.: Наук. думка, 2003. — С. 176.
6. Kostyukevych S.A., Morozovska G.M., Minko V.I., Shepeliavyi P.E., Kudryavtsev A.A., Rubish
V.M., Rubish V.V., Tverdokhleb I.V., Kostyukevych A.S., Dyrda S.V. Recording the Highly Efficient Dif-
fraction Gratings by Using He-Cd laser // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectron-
ics. — 2004. — Vol. 7, N 4. — P. 472–477.
7. Teteris J., Reinfelde M. Application of Amorphous Chalcogenide Semiconductor Thin Films in
Optical Recording Technologies // J. of Optoelectronics and Advanced Materials. — 2003. — Vol. 5, N
5. — P. 1355–1360.
8. Семак Д.Г., Різак В.М., Різак І.М. Фото-термоструктурні перетворення халькогенідів. —
Ужгород (Закарпаття), 1999. — 392 с.
9. Рубіш В.В., Рубіш В.М., Леонов Д.С., Тарнай А.А., Кириленко В.К. Особливості структури і
структурних перетворень в халькогенідних склоподібних напівпровідниках // Наносистеми, нано-
матеріали, нанотехнології. — 2004. — Т. 2, № 2. — С. 417–440.
10. Рубіш В.М., Стефанович В.О., Рубіш В.В., Костюкевич С.О., Крючин А.А., Штець П.П.,
Дуркот В.М., Петров В.В. Вплив опромінення на структуру і властивості світлочутливих плівко-
вих конденсатів // Металлофизика и новейшие технологи. — 2006. — Т. 28, № 5. — С. 643–655.
11. Риган М.Ю., Головей М.И., Олексеюк И.Д., Семрад Е.Е., Стасюк Н.П. Некоторые вопро-
сы очистки серы и серебра от примесей // Труды по химии и химической технологии. — Горький,
1973. — С. 6–8.
12. Пат. 60990 А Україна. МПК СОІ В 17/02. Риган М.Ю., Богданова-Борець О.В., Шпирко
Г.М. Спосіб очистки сірки. Заяв. 18.12.2002; Опубл. 15.10.2003; Бюл. № 10.
13. Риган М.Ю., Рубіш В.М., Гасинець С.М., Шпирко Г.М. Одержання високочистого селену
// Наук. Вісник Ужгород. ун-ту, Серія Хімія, 2006. — № 15 — С. 28–32.
14. Риган М.Ю. Получение мышьяка высокой чистоты // Тез. докл. Всес. Конф. «Перспекти-
вы развития производства мышьяка и его соединений, в том числе и особочистых в IX пятилетке и
до 2000 года» — Тбилиси, 1983 — С. 37–38.
15. Rubish V.M., Guranich O.G, Rubish V.V. Structure and Properties of As40S60–xSex Glasses //
Photoelectronics. — 2007. — N 16. — С. 41—45.
16. Рубиш В.М., Куценко Я.П., Полтавцев О.Ю., Туряница С.И., Михалев Н.И., Попов А.И.
Локальная структура халькогенидных и оксидных стеклообразных сплавов на основе полуторных
соединений мышьяка и сурьмы // Труды Моск. энерг. ин-та. — 1993. — Вып. 667. — С. 31–45.
17. Ewen P.J.S., Sik M.J., Owen A.E. The Raman Spectra and Structure of Glasses in the As–S and
As–Se Aystems // In: The Structure of Non-Crystalline Materials, Taylor and Francis. — London, 1977.
— P. 231–234.
18. Sohottmiller J., Tabak M., Lucovsky G., Ward A. The Effects of Valence on Transport Properties
in Vitreous Binary Alloys of Selenium // J. Non-Cryst. Solids. — 1970. — Vol. 4, N 1. — P. 80–96.
М. Ю. Риган, П. П. Штець, В. В. Рубіш, Е. В. Гера, А. А. Тарнай, В. К. Кириленко,
С. М. Гасинець, В. П. Перевузник, В. М. Мар’ян, Г. М. Шпирко, В. О. Степанович, В. М. Рубіш
156
19. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. — М.: Мир, 1986. —
556 с.
20. Zallen R. The Physics of Amorphous Solids. — John Wiley and Sons. Inc., 1983. — 192 p.
21. Шпак А.П., Рубіш В.М. Склоутворення і властивості сплавів в халькогенідних системах
на основі миш’яку та сурми. — К.: ІМФ НАНУ, 2006. — 120 с.
22. Vlček M., Stronski A.V., Sklenar A., Wagner T., Kasap S.O. Structure and Properties of
As40S60–xSеx Glasses // J. Non-Cryst. Solids. — 2000. — Vol. 266–269, I. 1–3. — P. 964–968.
23. Микайло О.А., Рубіш В.М., Стефанович В.О., Шпак І.І., Павлишинець Т.В. Аналіз струк-
тури ближнього порядку і властивостей стекол системи As–S–Se з малим вмістом селену // Зб. тез
ІІІ Міжнар. семінару «Оптична пам’ять та оптичний захист». — Київ (Україна). — 2005. — С. 28.
24. Fejes I., Billes F., Mitsa V. A Theoretical Study of the Effect on the Vibrational Spectrum of the
Stepwise Sulfur by Selenium Substitution in Arsenic Pentasulfide // J. Molec. Structure (Theochem). —
2000. — Vol. 531. — P. 407–414.
25. Mykaylo O.A., Rubish V.M., Stefanovich V.O., Guranich O.G., Kaynts A.I., Shpak I.I., Petrov
V.V. Analysis of Short-Range Order and Glass Properties on As–S–Se System with Low Content of Sele-
nium // Abstr. 10th Intern. Conf. on the Structure of Non-Crystalline Materials (NCM 10). — Praha
(Czech Republic). — 2006. — P. 165.
26. Аморфные полупроводники; Под ред. М. Бродски. — М.: Мир, 1982. — 419 с.
27. Georgiev D.G., Boolchand P., Jackson K.A. Intrinsic Nanoscale Phase Separation of Bulk As2S3
Glass // Phil. Mag., 2003. — Vol. 83, N 25. — P.2941–2953.
28. Mikla V.I., Rubish V.M., Zabedovsky V.A., Semak D.G., Shtets P.P., Yurkin I.M., Fedelesh V.I.,
Turjanitsa I.D. Vitreous Chalcogenides — Materials for Optical Information Recording // Proc. Int. Conf.
«Daylighting ’90», Moscow (October 1990). — Moscow, 1990. — Vol. 2, C6. — P. 1–7.
29. Шпотюк О.И., Шварц К.К., Корнелюк В.Н., Шунин Ю.Н., Пирогов Ф.В. Деструкционно-
полимеризационные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. — Изд-во
ИФ Латвийской АН, 1991. — 105 с.
30. Razetti C., Lottici P. Polarization Analysis of Raman Spectrum of As2S3 Crystals // Sol. State
Communs, 1979. — Vol. 29, N 4. — P. 361–364.
31. Rubish V.M, Stefanovich V.O., Guranich O.G., Rubish V.V., Kostiukevych S.A., Kryuchyn A.A.
Raman Spectra and Optical Properties of Thin As40S60 and As40S50Se10 Films // Ukr. J. Phys. Optics. —
2007. — Vol.8, N 2. — P. 69–77.
32. Mykaylo O.A., Kaynts A.I., Rubish V.M., Guranich O.G., Rubish V.V., Stefanovich V.A., Kostyu-
kevich S.A., Kryuchin A.A. Structural Transformations and Optical Properties of Glasses and Thin-Films
of the As2S3–As2Se3 System. // Abst. 1st Intern. Symposium on Innovations in Advanced mat. for Elec-
tronics & Optics (ISIAMEO–1 — La Rochell-2006). — La Rochell (France). — 2006. — Vol. 3. — P. 6.
33. Рубіш В.В., Москаленко Н.Л., іж нар ич В.О., Штець П.П., Костюкевич С.О., Семак
Д.І., Шпак І.І., Савченко М.Д., Рубіш В.М. Фото- і термостимульовані перетворення в тонких плів-
ках системи As-S-Se // Матер. Mіжнар. науково-практ. конф. «Структурна релаксація у твердих
тілах». — Вінниця (Україна). — 2003. — С. 135–136.
Надійшла до редакції 30.08.2007
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-50903 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-9189 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-28T18:13:54Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Риган, М.Ю. Штець, П.П. Рубіш, В.В. Гера, Е.В. Тарнай, А.А. Кириленко, В.К. Гасинець, С.М. Перевузник, В.П. Мар’ян, В.М. Шпирко, Г.М. Степанович, В.О. Рубіш, В.М. 2013-11-06T11:58:59Z 2013-11-06T11:58:59Z 2007 Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації / М.Ю. Риган, П.П. Штець, В.В. Рубіш, Е.В. Гера, А.А. Тарнай, В.К. Кириленко, С.М. Гасинець, В.П. Перевузник, В.М. Мар’ян, Г.М. Шпирко, В.О. Степанович, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2007. — Т. 9, № 3. — С. 145-156. — Бібліогр.: 33 назв. — укр. 1560-9189 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50903 539.213; 539.219.1; 548.75 Розглянуто вплив технологічних умов одержання, опромінення та відпалу на структуру ближнього порядку стекол і плівок у системі миш’як–сірка–селен. uk Інститут проблем реєстрації інформації НАН України Реєстрація, зберігання і обробка даних Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації Article published earlier |
| spellingShingle | Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації Риган, М.Ю. Штець, П.П. Рубіш, В.В. Гера, Е.В. Тарнай, А.А. Кириленко, В.К. Гасинець, С.М. Перевузник, В.П. Мар’ян, В.М. Шпирко, Г.М. Степанович, В.О. Рубіш, В.М. |
| title | Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації |
| title_full | Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації |
| title_fullStr | Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації |
| title_full_unstemmed | Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації |
| title_short | Особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації |
| title_sort | особливості одержання та структура халькогенідних склоподібних матеріалів для оптичного запису інформації |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50903 |
| work_keys_str_mv | AT riganmû osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT štecʹpp osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT rubíšvv osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT geraev osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT tarnaiaa osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT kirilenkovk osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT gasinecʹsm osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT perevuznikvp osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT marânvm osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT špirkogm osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT stepanovičvo osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí AT rubíšvm osoblivostíoderžannâtastrukturahalʹkogenídnihsklopodíbnihmateríalívdlâoptičnogozapisuínformacíí |