Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра. Дослідження показало,...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51648 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |