Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS

Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра. Дослідження показало,...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2012
1. Verfasser: Гаркавенко, А.С.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51648
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51648
record_format dspace
spelling Гаркавенко, А.С.
2013-12-05T20:07:38Z
2013-12-05T20:07:38Z
2012
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51648
535.14.62 :375.828
Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра.
Дослідження показало, що оптимальними робочими переходами в лазерах з електронним збудженням на основі радіаційно легованих, оптично однорідних кристалів CdS є переходи з виродженої зони про відності на дрібні акцепторні рівні ізотопів паладію та срібла.
The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
Природа переходів та механізмів генерації в лазерах на основі радіаційно легованих кристалів CdS
The nature of transitions and generation mechanisms in lasers based on radiationdoped CdS crystals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
spellingShingle Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
Гаркавенко, А.С.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
title_full Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
title_fullStr Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
title_full_unstemmed Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
title_sort природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов cds
author Гаркавенко, А.С.
author_facet Гаркавенко, А.С.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2012
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Природа переходів та механізмів генерації в лазерах на основі радіаційно легованих кристалів CdS
The nature of transitions and generation mechanisms in lasers based on radiationdoped CdS crystals
description Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра. Дослідження показало, що оптимальними робочими переходами в лазерах з електронним збудженням на основі радіаційно легованих, оптично однорідних кристалів CdS є переходи з виродженої зони про відності на дрібні акцепторні рівні ізотопів паладію та срібла. The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51648
citation_txt Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT garkavenkoas prirodaperehodovimehanizmygeneraciivlazerahnaosnoveradiacionnolegirovannyhkristallovcds
AT garkavenkoas prirodaperehodívtamehanízmívgeneracíívlazerahnaosnovíradíacíinolegovanihkristalívcds
AT garkavenkoas thenatureoftransitionsandgenerationmechanismsinlasersbasedonradiationdopedcdscrystals
first_indexed 2025-12-07T19:59:27Z
last_indexed 2025-12-07T19:59:27Z
_version_ 1850880890232635392