Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра. Дослідження показало,...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51648 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862737425164402688 |
|---|---|
| author | Гаркавенко, А.С. |
| author_facet | Гаркавенко, А.С. |
| citation_txt | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра.
Дослідження показало, що оптимальними робочими переходами в лазерах з електронним збудженням на основі радіаційно легованих, оптично однорідних кристалів CdS є переходи з виродженої зони про відності на дрібні акцепторні рівні ізотопів паладію та срібла.
The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:59:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51648 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:59:27Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гаркавенко, А.С. 2013-12-05T20:07:38Z 2013-12-05T20:07:38Z 2012 Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51648 535.14.62 :375.828 Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра. Дослідження показало, що оптимальними робочими переходами в лазерах з електронним збудженням на основі радіаційно легованих, оптично однорідних кристалів CdS є переходи з виродженої зони про відності на дрібні акцепторні рівні ізотопів паладію та срібла. The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS Природа переходів та механізмів генерації в лазерах на основі радіаційно легованих кристалів CdS The nature of transitions and generation mechanisms in lasers based on radiationdoped CdS crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS Гаркавенко, А.С. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_alt | Природа переходів та механізмів генерації в лазерах на основі радіаційно легованих кристалів CdS The nature of transitions and generation mechanisms in lasers based on radiationdoped CdS crystals |
| title_full | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_fullStr | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_full_unstemmed | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_short | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_sort | природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов cds |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51648 |
| work_keys_str_mv | AT garkavenkoas prirodaperehodovimehanizmygeneraciivlazerahnaosnoveradiacionnolegirovannyhkristallovcds AT garkavenkoas prirodaperehodívtamehanízmívgeneracíívlazerahnaosnovíradíacíinolegovanihkristalívcds AT garkavenkoas thenatureoftransitionsandgenerationmechanismsinlasersbasedonradiationdopedcdscrystals |