Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт амперной характеристики импульсным способом. Про анализировано влияние саморазогрева на электрические параметры полупроводниковых приборов. Сформулированы рекомендац...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51705 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом / Е.А. Ермоленко, А.Ф. Бондаренко, А.Н. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 14-18. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862564892571074560 |
|---|---|
| author | Ермоленко, Е.А. Бондаренко, А.Ф. Баранов, А.Н. |
| author_facet | Ермоленко, Е.А. Бондаренко, А.Ф. Баранов, А.Н. |
| citation_txt | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом / Е.А. Ермоленко, А.Ф. Бондаренко, А.Н. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 14-18. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт амперной характеристики импульсным способом. Про анализировано влияние саморазогрева на электрические параметры полупроводниковых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значении параметров измерительной импульсной последовательности, использование которых позволяет минимизировать саморазогрев полупроводниковой структуры.
Теплова математична модель використовується для оцінки саморозігріву напівпровідникових приладів різних типів в процесі вимірювання їх ВАХ імпульсним способом. Проаналізовано вплив саморозігріву на електричні параметри напівпровідникових приладів. Сформульовано рекомендації з вибору значень параметрів вимірювальної імпульсної послідовності, використання яких дозволяє мінімізувати саморозігрів напівпровідникової структури.
The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determination of values of measuring pulse sequence parameters are formulated to minimize self-heating of semiconductor structure.
|
| first_indexed | 2025-11-25T23:50:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51705 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T23:50:44Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ермоленко, Е.А. Бондаренко, А.Ф. Баранов, А.Н. 2013-12-07T00:57:23Z 2013-12-07T00:57:23Z 2012 Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом / Е.А. Ермоленко, А.Ф. Бондаренко, А.Н. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 14-18. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51705 621.317: 621.3.08 В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт амперной характеристики импульсным способом. Про анализировано влияние саморазогрева на электрические параметры полупроводниковых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значении параметров измерительной импульсной последовательности, использование которых позволяет минимизировать саморазогрев полупроводниковой структуры. Теплова математична модель використовується для оцінки саморозігріву напівпровідникових приладів різних типів в процесі вимірювання їх ВАХ імпульсним способом. Проаналізовано вплив саморозігріву на електричні параметри напівпровідникових приладів. Сформульовано рекомендації з вибору значень параметрів вимірювальної імпульсної послідовності, використання яких дозволяє мінімізувати саморозігрів напівпровідникової структури. The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determination of values of measuring pulse sequence parameters are formulated to minimize self-heating of semiconductor structure. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом Теплова математична модель напівпровідникових приладів при вимірюванні вольт-амперних характеристик імпульсним способом Thermal mathematical model of semiconductor devices for measurement of current-voltage characteristics by pulse method Article published earlier |
| spellingShingle | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом Ермоленко, Е.А. Бондаренко, А.Ф. Баранов, А.Н. Электронные средства: исследования, разработки |
| title | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_alt | Теплова математична модель напівпровідникових приладів при вимірюванні вольт-амперних характеристик імпульсним способом Thermal mathematical model of semiconductor devices for measurement of current-voltage characteristics by pulse method |
| title_full | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_fullStr | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_full_unstemmed | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_short | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_sort | тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении вах импульсным способом |
| topic | Электронные средства: исследования, разработки |
| topic_facet | Электронные средства: исследования, разработки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51705 |
| work_keys_str_mv | AT ermolenkoea teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom AT bondarenkoaf teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom AT baranovan teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom AT ermolenkoea teplovamatematičnamodelʹnapívprovídnikovihpriladívprivimírûvannívolʹtampernihharakteristikímpulʹsnimsposobom AT bondarenkoaf teplovamatematičnamodelʹnapívprovídnikovihpriladívprivimírûvannívolʹtampernihharakteristikímpulʹsnimsposobom AT baranovan teplovamatematičnamodelʹnapívprovídnikovihpriladívprivimírûvannívolʹtampernihharakteristikímpulʹsnimsposobom AT ermolenkoea thermalmathematicalmodelofsemiconductordevicesformeasurementofcurrentvoltagecharacteristicsbypulsemethod AT bondarenkoaf thermalmathematicalmodelofsemiconductordevicesformeasurementofcurrentvoltagecharacteristicsbypulsemethod AT baranovan thermalmathematicalmodelofsemiconductordevicesformeasurementofcurrentvoltagecharacteristicsbypulsemethod |