Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем

Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и сис...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2013
Main Authors: Попов, В.П., Сидоренко, В.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51736
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine