Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем

Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и сис...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2013
Main Authors: Попов, В.П., Сидоренко, В.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51736
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и системах обеспечения безопасности. Предложенные СШП МШУ выполнены по безындуктивным электрическим схемам или схемам с минимальным числом индуктивностей. Проведено исследование и расчеты двух вариантов СШП МШУ. Диапазон рабочих частот от 0.5 до 11 ГГц. Розглянуто принципи побудови інтегральних схем малошумливих підсилювачів (МШП) на основі кремній-германієвих гетероперехідних біполярних транзисторів (SiGe НВТ) для надширокосмугових (НШС) систем. НШС-системи діапазону 0,5-10,6 ГГц застосовуються в галузі зв’язку, радарах медичного призначення та системах забезпечення безпеки. Запропоновані НШС МШП виконані за безіндуктивними електричними схемами або схемами з мінімальним числом індуктивностей. Проведено дослідження і розрахунки двох варіантів НШС МШП. Діапазон робочих частот — від 0,5 ГГц до 11 ГГц. This paper presents the principles of design of integrated circuits low-noise amplifiers (LNA) based on silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe НВТ) for ultra-wideband (UWB) systems. UWB systems range 0,5 — 10,6 GHz are used in communications, radars of medical applications and safety systems. The proposed UWB LNA implemented by inductorless or minimum number of inductors schemes. In this paper researched and designed two variants of UWB LNA 0,5 — 11 GHz frequency range.
ISSN:2225-5818