Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и сис...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51736 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862589984376094720 |
|---|---|
| author | Попов, В.П. Сидоренко, В.П. |
| author_facet | Попов, В.П. Сидоренко, В.П. |
| citation_txt | Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и системах обеспечения безопасности. Предложенные СШП МШУ выполнены по безындуктивным электрическим схемам или схемам с минимальным числом индуктивностей. Проведено исследование и расчеты двух вариантов СШП МШУ. Диапазон рабочих частот от 0.5 до 11 ГГц.
Розглянуто принципи побудови інтегральних схем малошумливих підсилювачів (МШП) на основі кремній-германієвих гетероперехідних біполярних транзисторів (SiGe НВТ) для надширокосмугових (НШС) систем. НШС-системи діапазону 0,5-10,6 ГГц застосовуються в галузі зв’язку, радарах медичного призначення та системах забезпечення безпеки. Запропоновані НШС МШП виконані за безіндуктивними електричними схемами або схемами з мінімальним числом індуктивностей. Проведено дослідження і розрахунки двох варіантів НШС МШП. Діапазон робочих частот — від 0,5 ГГц до 11 ГГц.
This paper presents the principles of design of integrated circuits low-noise amplifiers (LNA) based on silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe НВТ) for ultra-wideband (UWB) systems. UWB systems range 0,5 — 10,6 GHz are used in communications, radars of medical applications and safety systems. The proposed UWB LNA implemented by inductorless or minimum number of inductors schemes. In this paper researched and designed two variants of UWB LNA 0,5 — 11 GHz frequency range.
|
| first_indexed | 2025-11-27T03:57:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51736 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T03:57:32Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Попов, В.П. Сидоренко, В.П. 2013-12-07T20:23:08Z 2013-12-07T20:23:08Z 2013 Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51736 621.382:029/64 Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и системах обеспечения безопасности. Предложенные СШП МШУ выполнены по безындуктивным электрическим схемам или схемам с минимальным числом индуктивностей. Проведено исследование и расчеты двух вариантов СШП МШУ. Диапазон рабочих частот от 0.5 до 11 ГГц. Розглянуто принципи побудови інтегральних схем малошумливих підсилювачів (МШП) на основі кремній-германієвих гетероперехідних біполярних транзисторів (SiGe НВТ) для надширокосмугових (НШС) систем. НШС-системи діапазону 0,5-10,6 ГГц застосовуються в галузі зв’язку, радарах медичного призначення та системах забезпечення безпеки. Запропоновані НШС МШП виконані за безіндуктивними електричними схемами або схемами з мінімальним числом індуктивностей. Проведено дослідження і розрахунки двох варіантів НШС МШП. Діапазон робочих частот — від 0,5 ГГц до 11 ГГц. This paper presents the principles of design of integrated circuits low-noise amplifiers (LNA) based on silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe НВТ) for ultra-wideband (UWB) systems. UWB systems range 0,5 — 10,6 GHz are used in communications, radars of medical applications and safety systems. The proposed UWB LNA implemented by inductorless or minimum number of inductors schemes. In this paper researched and designed two variants of UWB LNA 0,5 — 11 GHz frequency range. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре СВЧ-техника Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем Малошумливі підсилювачі на основі SiGe НВТ для надширокосмугових систем SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems Article published earlier |
| spellingShingle | Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем Попов, В.П. Сидоренко, В.П. СВЧ-техника |
| title | Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем |
| title_alt | Малошумливі підсилювачі на основі SiGe НВТ для надширокосмугових систем SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems |
| title_full | Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем |
| title_fullStr | Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем |
| title_full_unstemmed | Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем |
| title_short | Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем |
| title_sort | малошумящие усилители на основе sige-нвт для сверхширокополосных систем |
| topic | СВЧ-техника |
| topic_facet | СВЧ-техника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51736 |
| work_keys_str_mv | AT popovvp malošumâŝieusilitelinaosnovesigenvtdlâsverhširokopolosnyhsistem AT sidorenkovp malošumâŝieusilitelinaosnovesigenvtdlâsverhširokopolosnyhsistem AT popovvp malošumlivípídsilûvačínaosnovísigenvtdlânadširokosmugovihsistem AT sidorenkovp malošumlivípídsilûvačínaosnovísigenvtdlânadširokosmugovihsistem AT popovvp sigehbtlownoiseamplifiersforultrawidebandsystems AT sidorenkovp sigehbtlownoiseamplifiersforultrawidebandsystems |