Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2013
• Main Authors: Попов, В.П., Сидоренко, В.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Subjects: СВЧ-техника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51736
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и сис...