Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Андронова, Е.В., Баганов, Е.А., Курак, В.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51850
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Исследованы эпитаксиальные структуры, состоящие из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb. Представлено результати дослідження спектрів фотолюмінесценції епітаксійних структур, що складаються з матриці...