Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2011
• Автори: Андронова, Е.В., Баганов, Е.А., Курак, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51850
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Исследованы эпитаксиальные структуры, состоящие из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb. Представлено результати дослідження спектрів фотолюмінесценції епітаксійних структур, що складаються з матриці GaSb, в об’ємі якої методом імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву сформовано иизькорозмірні структури з InSb. Показано, що спостережувані смуги фотолюмінесценції пов'язані з випромінювальними переходами за участю енергетичних рівнів низькорозмірних острівцевих структур InSb, що формуються на змочувальному шарі антимоніду індію товщиною приблизно 2 нм. Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt arc presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiation transitions through energy levels of InSb low-dimensional structures formed on InSb wetting layer with thickness of 2 nm.