Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb

Исследованы эпитаксиальные структуры, состоящие из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb. Представлено результати дослідження спектрів фотолюмінесценції епітаксійних структур, що складаються з матриці...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2011
Hauptverfasser: Андронова, Е.В., Баганов, Е.А., Курак, В.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51850
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51850
record_format dspace
spelling Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Курак, В.В.
2013-12-12T23:15:13Z
2013-12-12T23:15:13Z
2011
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51850
621.362.621.383
Исследованы эпитаксиальные структуры, состоящие из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb.
Представлено результати дослідження спектрів фотолюмінесценції епітаксійних структур, що складаються з матриці GaSb, в об’ємі якої методом імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву сформовано иизькорозмірні структури з InSb. Показано, що спостережувані смуги фотолюмінесценції пов'язані з випромінювальними переходами за участю енергетичних рівнів низькорозмірних острівцевих структур InSb, що формуються на змочувальному шарі антимоніду індію товщиною приблизно 2 нм.
Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt arc presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiation transitions through energy levels of InSb low-dimensional structures formed on InSb wetting layer with thickness of 2 nm.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
Дослідження спектрів фотолюмінесценції низькорозмірних структур InSb, сформованих в матриці GaSb
Investigation of photoluminescence spectrumsof InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
spellingShingle Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Курак, В.В.
Материалы электроники
title_short Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
title_full Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
title_fullStr Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
title_full_unstemmed Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
title_sort исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур insb, сформированных в матрице gasb
author Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Курак, В.В.
author_facet Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Курак, В.В.
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
publishDate 2011
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Дослідження спектрів фотолюмінесценції низькорозмірних структур InSb, сформованих в матриці GaSb
Investigation of photoluminescence spectrumsof InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix
description Исследованы эпитаксиальные структуры, состоящие из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb. Представлено результати дослідження спектрів фотолюмінесценції епітаксійних структур, що складаються з матриці GaSb, в об’ємі якої методом імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву сформовано иизькорозмірні структури з InSb. Показано, що спостережувані смуги фотолюмінесценції пов'язані з випромінювальними переходами за участю енергетичних рівнів низькорозмірних острівцевих структур InSb, що формуються на змочувальному шарі антимоніду індію товщиною приблизно 2 нм. Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt arc presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiation transitions through energy levels of InSb low-dimensional structures formed on InSb wetting layer with thickness of 2 nm.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51850
citation_txt Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT andronovaev issledovaniespektrovfotolûminescenciinizkorazmernyhstrukturinsbsformirovannyhvmatricegasb
AT baganovea issledovaniespektrovfotolûminescenciinizkorazmernyhstrukturinsbsformirovannyhvmatricegasb
AT kurakvv issledovaniespektrovfotolûminescenciinizkorazmernyhstrukturinsbsformirovannyhvmatricegasb
AT andronovaev doslídžennâspektrívfotolûmínescencíínizʹkorozmírnihstrukturinsbsformovanihvmatricígasb
AT baganovea doslídžennâspektrívfotolûmínescencíínizʹkorozmírnihstrukturinsbsformovanihvmatricígasb
AT kurakvv doslídžennâspektrívfotolûmínescencíínizʹkorozmírnihstrukturinsbsformovanihvmatricígasb
AT andronovaev investigationofphotoluminescencespectrumsofinsblowdimensionalstructuresformedingasbmatrix
AT baganovea investigationofphotoluminescencespectrumsofinsblowdimensionalstructuresformedingasbmatrix
AT kurakvv investigationofphotoluminescencespectrumsofinsblowdimensionalstructuresformedingasbmatrix
first_indexed 2025-12-01T14:08:48Z
last_indexed 2025-12-01T14:08:48Z
_version_ 1850860348274376704