Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb

Исследованы эпитаксиальные структуры, состоящие из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb. Представлено результати дослідження спектрів фотолюмінесценції епітаксійних структур, що складаються з матриці...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2011
Main Authors: Андронова, Е.В., Баганов, Е.А., Курак, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51850
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862647974630260736
author Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Курак, В.В.
author_facet Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Курак, В.В.
citation_txt Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследованы эпитаксиальные структуры, состоящие из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb. Представлено результати дослідження спектрів фотолюмінесценції епітаксійних структур, що складаються з матриці GaSb, в об’ємі якої методом імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву сформовано иизькорозмірні структури з InSb. Показано, що спостережувані смуги фотолюмінесценції пов'язані з випромінювальними переходами за участю енергетичних рівнів низькорозмірних острівцевих структур InSb, що формуються на змочувальному шарі антимоніду індію товщиною приблизно 2 нм. Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt arc presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiation transitions through energy levels of InSb low-dimensional structures formed on InSb wetting layer with thickness of 2 nm.
first_indexed 2025-12-01T14:08:48Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51850
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-01T14:08:48Z
publishDate 2011
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Курак, В.В.
2013-12-12T23:15:13Z
2013-12-12T23:15:13Z
2011
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51850
621.362.621.383
Исследованы эпитаксиальные структуры, состоящие из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb.
Представлено результати дослідження спектрів фотолюмінесценції епітаксійних структур, що складаються з матриці GaSb, в об’ємі якої методом імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву сформовано иизькорозмірні структури з InSb. Показано, що спостережувані смуги фотолюмінесценції пов'язані з випромінювальними переходами за участю енергетичних рівнів низькорозмірних острівцевих структур InSb, що формуються на змочувальному шарі антимоніду індію товщиною приблизно 2 нм.
Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt arc presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiation transitions through energy levels of InSb low-dimensional structures formed on InSb wetting layer with thickness of 2 nm.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
Дослідження спектрів фотолюмінесценції низькорозмірних структур InSb, сформованих в матриці GaSb
Investigation of photoluminescence spectrumsof InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix
Article
published earlier
spellingShingle Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Курак, В.В.
Материалы электроники
title Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
title_alt Дослідження спектрів фотолюмінесценції низькорозмірних структур InSb, сформованих в матриці GaSb
Investigation of photoluminescence spectrumsof InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix
title_full Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
title_fullStr Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
title_full_unstemmed Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
title_short Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
title_sort исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур insb, сформированных в матрице gasb
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51850
work_keys_str_mv AT andronovaev issledovaniespektrovfotolûminescenciinizkorazmernyhstrukturinsbsformirovannyhvmatricegasb
AT baganovea issledovaniespektrovfotolûminescenciinizkorazmernyhstrukturinsbsformirovannyhvmatricegasb
AT kurakvv issledovaniespektrovfotolûminescenciinizkorazmernyhstrukturinsbsformirovannyhvmatricegasb
AT andronovaev doslídžennâspektrívfotolûmínescencíínizʹkorozmírnihstrukturinsbsformovanihvmatricígasb
AT baganovea doslídžennâspektrívfotolûmínescencíínizʹkorozmírnihstrukturinsbsformovanihvmatricígasb
AT kurakvv doslídžennâspektrívfotolûmínescencíínizʹkorozmírnihstrukturinsbsformovanihvmatricígasb
AT andronovaev investigationofphotoluminescencespectrumsofinsblowdimensionalstructuresformedingasbmatrix
AT baganovea investigationofphotoluminescencespectrumsofinsblowdimensionalstructuresformedingasbmatrix
AT kurakvv investigationofphotoluminescencespectrumsofinsblowdimensionalstructuresformedingasbmatrix