Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |