Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51881 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ёдгорова, Д.М. 2013-12-14T21:10:48Z 2013-12-14T21:10:48Z 2010 Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881 Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| spellingShingle |
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами Ёдгорова, Д.М. Электронные средства: исследования, разработки |
| title_short |
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| title_full |
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| title_fullStr |
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| title_full_unstemmed |
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| title_sort |
эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| author |
Ёдгорова, Д.М. |
| author_facet |
Ёдгорова, Д.М. |
| topic |
Электронные средства: исследования, разработки |
| topic_facet |
Электронные средства: исследования, разработки |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881 |
| citation_txt |
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT edgorovadm éffektusileniâfototokavfotodiodnoistrukturesprâmoiobratnovklûčennymiperehodami |
| first_indexed |
2025-12-07T17:44:42Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:44:42Z |
| _version_ |
1850872412368797696 |