Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами

Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2010
1. Verfasser: Ёдгорова, Д.М.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862713617279877120
author Ёдгорова, Д.М.
author_facet Ёдгорова, Д.М.
citation_txt Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов.
first_indexed 2025-12-07T17:44:42Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51881
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T17:44:42Z
publishDate 2010
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Ёдгорова, Д.М.
2013-12-14T21:10:48Z
2013-12-14T21:10:48Z
2010
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881
Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Электронные средства: исследования, разработки
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
Article
published earlier
spellingShingle Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
Ёдгорова, Д.М.
Электронные средства: исследования, разработки
title Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_full Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_fullStr Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_full_unstemmed Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_short Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_sort эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
topic Электронные средства: исследования, разработки
topic_facet Электронные средства: исследования, разработки
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881
work_keys_str_mv AT edgorovadm éffektusileniâfototokavfotodiodnoistrukturesprâmoiobratnovklûčennymiperehodami