Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713617279877120 |
|---|---|
| author | Ёдгорова, Д.М. |
| author_facet | Ёдгорова, Д.М. |
| citation_txt | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:44:42Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51881 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:44:42Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ёдгорова, Д.М. 2013-12-14T21:10:48Z 2013-12-14T21:10:48Z 2010 Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881 Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами Article published earlier |
| spellingShingle | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами Ёдгорова, Д.М. Электронные средства: исследования, разработки |
| title | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| title_full | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| title_fullStr | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| title_full_unstemmed | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| title_short | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| title_sort | эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами |
| topic | Электронные средства: исследования, разработки |
| topic_facet | Электронные средства: исследования, разработки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881 |
| work_keys_str_mv | AT edgorovadm éffektusileniâfototokavfotodiodnoistrukturesprâmoiobratnovklûčennymiperehodami |