Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51881 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineBe the first to leave a comment!