Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2010
• Main Authors: Ковалюк, З.Д., Коноплянко, Д.Ю., Нетяга, В.В., Бахтинов, А.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Subjects: Новые компоненты для электронной аппаратуры
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51945
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> / З.Д. Ковалюк, Д.Ю. Коноплянко, В.В. Нетяга, А.П. Бахтинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц. Способом інтеркалювання шаруватого монокристалу GaSe у розплаві сегнетоелектричної солі KNO₃ отримано сполуку GaSe<...