Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Ковалюк, З.Д., Коноплянко, Д.Ю., Нетяга, В.В., Бахтинов, А.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Schlagworte: Новые компоненты для электронной аппаратуры
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51945
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> / З.Д. Ковалюк, Д.Ю. Коноплянко, В.В. Нетяга, А.П. Бахтинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц. Способом інтеркалювання шаруватого монокристалу GaSe у розплаві сегнетоелектричної солі KNO₃ отримано сполуку GaSe<KNO₃>. Проведено рентгенівський аналіз структури й виміряно діелектричні частотні характеристики зразків. Встановлено, що в досліджуваних зразках спостерігається накопичення електричних зарядів в області частот 100-1000 Гц. На основі отриманої сполуки виготовлено зразок фільтрового конденсатора. The compound GaSe<KNO₃> is obtained by the technique of intercalation of a GaSe single crystal in a melt of the ferroelectric salt KNO₃. The x-ray analysis of its crystal structure has been carried out and dielectric frequency characteristics of samples has been measured. It is established, that accumulation of electric charges occurs in the examined examples in frequency area 100-1000 Hz. A sample of filter capacitor has been created on the basis of the received compounds.