Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц. Способом інтеркалювання шаруватого монокристалу GaSe у розплаві сегнетоелектричної солі KNO₃ отримано сполуку GaSe<...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51945 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> / З.Д. Ковалюк, Д.Ю. Коноплянко, В.В. Нетяга, А.П. Бахтинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859641001839165440 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Коноплянко, Д.Ю. Нетяга, В.В. Бахтинов, А.П. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Коноплянко, Д.Ю. Нетяга, В.В. Бахтинов, А.П. |
| citation_txt | Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> / З.Д. Ковалюк, Д.Ю. Коноплянко, В.В. Нетяга, А.П. Бахтинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц.
Способом інтеркалювання шаруватого монокристалу GaSe у розплаві сегнетоелектричної солі KNO₃ отримано сполуку GaSe<KNO₃>. Проведено рентгенівський аналіз структури й виміряно діелектричні частотні характеристики зразків. Встановлено, що в досліджуваних зразках спостерігається накопичення електричних зарядів в області частот 100-1000 Гц. На основі отриманої сполуки виготовлено зразок фільтрового конденсатора.
The compound GaSe<KNO₃> is obtained by the technique of intercalation of a GaSe single crystal in a melt of the ferroelectric salt KNO₃. The x-ray analysis of its crystal structure has been carried out and dielectric frequency characteristics of samples has been measured. It is established, that accumulation of electric charges occurs in the examined examples in frequency area 100-1000 Hz. A sample of filter capacitor has been created on the basis of the received compounds.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:21:55Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2010, ¹ 3
6
ÍÎÂÛÅ ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËß ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
29.12 2009 ã. � 31.03 2010 ã.
Îïïîíåíò ä. ô.-ì. í. À. È. ÄÌÈÒÐÈÅÂ
(Èí-ò ïðîáëåì ìàòåðèàëîâåäåíèÿ, ã. Êèåâ)
Ä. ô.-ì. í. Ç. Ä. ÊÎÂÀËÞÊ, Ä. Þ. ÊÎÍÎÏËßÍÊÎ,
ê. ô.-ì. í. Â. Â. ÍÅÒßÃÀ, ê. ô.-ì. í. À. Ï. ÁÀÕÒÈÍÎÂ
Óêðàèíà, ×åðíîâèöêîå îòäåëåíèå ÈÏÌ èì. È. Í. Ôðàíöåâè÷à
Å-mail: chimsp@ukrpost.ua
ÊÎÍÄÅÍÑÀÒÎÐÛ ÍÀ ÎÑÍÎÂÅ ÈÍÒÅÐÊÀËÀÒÀ GaSe<KNO
3
>
Ïîëó÷åíî íîâîå ñîåäèíåíèå GaSe<KNO3>,
îáëàäàþùåå ñâîéñòâîì íàêàïëèâàíèÿ
ýëåêòðè÷åñêîãî çàðÿäà. Íà åãî îñíîâå
ñîçäàíû êîíäåíñàòîðû, ðàáîòàþùèå â
÷àñòîòíîì äèàïàçîíå 100�1000 Ãö.
 ñîâðåìåííîé èíòåãðàëüíîé ìèêðî- è íàíîýëåêò-
ðîíèêå îäíîé èç ôóíäàìåíòàëüíûõ ïðîáëåì ÿâëÿåòñÿ
ïðîáëåìà ñîçäàíèÿ êîíäåíñàòîðîâ, îáåñïå÷èâàþùèõ
òðåáóåìûå ïëîòíîñòü åìêîñòè, ðàäèàöèîííóþ è òåì-
ïåðàòóðíóþ ñòîéêîñòü. Îñíîâíàÿ ÷àñòü ñîâðåìåííûõ
åìêîñòíûõ ýëåìåíòîâ äëÿ ðàäèîýëåêòðîíèêè ñîçäà-
åòñÿ íà îñíîâå êåðàìèêè, à òàêæå îêñèäíûõ èëè îðãà-
íè÷åñêèõ äèýëåêòðèêîâ [1, 2]. Ýòî, íàïðèìåð, ìàòå-
ðèàëû íà îñíîâå ZrO2 è HfO2 ñ âûñîêîé äèýëåêòðè-
÷åñêîé ïðîíèöàåìîñòüþ ε ñ óäåëüíîé åìêîñòüþ
Cóä≈2 ìêÔ/ñì2 ïðè òîëùèíå äèýëåêòðèêà d≈2 íì è
ðàáî÷åì íàïðÿæåíèè U≈1 Â, èëè ìàòåðèàëû ñ äåôåê-
òíûìè ñòðóêòóðàìè (ñîäåðæàùèìè ïîëîñòè), â êîòî-
ðûõ ïðè òîëùèíå ïëåíêè SiO2 4,5 íì ýôôåêòèâíîå
çíà÷åíèå Ñóä ñîñòàâëÿåò 3 ìêÔ/ñì2, à ïðè çàïîëíåíèè
ïîëîñòåé äèýëåêòðè÷åñêèìè âêëþ÷åíèÿìè ñ ε=15�
20, Ñóä âîçðàñòàåò äî 20 ìêÔ/ñì2 [3�5].
 ïîñëåäíåå âðåìÿ øèðîêîå ïðèìåíåíèå íàõîäÿò
êîíäåíñàòîðû, â êîòîðûõ çàðÿä íàêàïëèâàåòñÿ â ýëåê-
òðè÷åñêîì ïîëå äâîéíîãî ýëåêòðè÷åñêîãî ñëîÿ, îáðà-
çóþùåãîñÿ íà ãðàíèöå ðàçäåëà «òâåðäûé ýëåêòðîä �
ýëåêòðîëèò».  ñëó÷àå æèäêèõ ýëåêòðîëèòîâ íà ýëåê-
òðîäàõ ñ ðàçâèòîé âíóòðåííåé ïîâåðõíîñòüþ äîñòè-
ãàþòñÿ çíà÷åíèÿ Cóä≈1000 ìêÔ/ìì3 (÷òî â ïåðåñ÷åòå
íà ïëîùàäü âíóòðåííåé ïîâåðõíîñòè ñîñòàâëÿåò
15 ìêÔ/ñì2), íî ÷àñòîòà ôóíêöèîíèðîâàíèÿ òàêèõ ïðè-
áîðîâ íèçêàÿ (0,001�0,1 Ãö) [6].
Îñíîâíûì íàïðàâëåíèåì ðàçâèòèÿ òåõíîëîãèè èç-
ãîòîâëåíèÿ êîíäåíñàòîðîâ âñåõ òèïîâ ÿâëÿåòñÿ èõ ìè-
íèàòþðèçàöèÿ ñ óëó÷øåíèåì ìàññîãàáàðèòíûõ ïîêà-
çàòåëåé è ýíåðãåòè÷åñêèõ è åìêîñòíûõ õàðàêòåðèñ-
òèê. Â äàííîé ðàáîòå ïðåäëàãàåòñÿ íîâîå ñîåäèíåíèå
íà îñíîâå ñëîèñòîãî ïîëóïðîâîäíèêîâîãî ìîíîêðè-
ñòàëëà GaSe, èíòåðêàëèðîâàííîãî ìîëåêóëàìè ñåã-
íåòîýëåêòðè÷åñêîé ñîëè KNO3, â êà÷åñòâå êîíäåíñà-
òîðíîãî ýëåìåíòà ðàäèîýëåêòðîííîé àïïàðàòóðû [7, 8].
Ïîëó÷åíèå èíòåðêàëèðîâàííîãî ìàòåðèàëà äëÿ
êîíäåíñàòîðîâ
Ñåëåíèä ãàëëèÿ ïðèíàäëåæèò ê êëàññó ñëîèñòûõ
ïîëóïðîâîäíèêîâûõ êðèñòàëëîâ, â êîòîðûõ àòîìû
èìåþò ñèëüíûå êîâàëåíòíûå ñâÿçè âíóòðè ñëîåâ è
ñëàáûå âàí-äåð-âààëüñîâû ñâÿçè ìåæäó ñëîÿìè. Òà-
êàÿ àíèçîòðîïèÿ õèìè÷åñêèõ ñâÿçåé äåëàåò âîçìîæ-
íûì âíåäðåíèå (èíòåðêàëèðîâàíèå) àòîìîâ èëè ìî-
ëåêóë äðóãèõ âåùåñòâ â ïðîñòðàíñòâî ìåæäó ñëîÿ-
ìè. Íàìè áûëî óñòàíîâëåíî, ÷òî ìîíîêðèñòàëëè÷åñ-
êèå îáðàçöû GaSe ìîãóò áûòü èíòåðêàëèðîâàíû ìî-
ëåêóëàìè ñåãíåòîýëåêòðè÷åñêîé ñîëè KNO3 èç ðàñ-
ïëàâà. Ñõåìà òåõíîëîãè÷åñêîé óñòàíîâêè ïîêàçàíà íà
ðèñ. 1. Îáðàçöû ìîíîêðèñòàëëîâ GaSe ñ íàíåñåííû-
ìè êîíòàêòàìè ïîëíîñòüþ ïîãðóæàëèñü â ðàñïëàâ
KNO3 ïðè òåìïåðàòóðå 334±5°Ñ. Ìàòåðèàë äëÿ èçãî-
òîâëåíèÿ êîíòàêòîâ � ñïëàâ Pb-Sb � èìååò áîëåå
âûñîêóþ òåìïåðàòóðó ïëàâëåíèÿ è õîðîøóþ àäãåçèþ
ê ïîâåðõíîñòè îáðàçöîâ. Êîíòàêòû íàíîñèëèñü íà äâå
ïðîòèâîïîëîæíûå ïîâåðõíîñòè ñêîëà, ïåðïåíäèêóëÿð-
íèåâûå ïîäëîæêè ìàðêè ÊÄÁ-12 ñ îðèåíòàöèåé [100]
ïðè òåìïåðàòóðå 500�900°Ñ. Âî âñåõ ïðîâîäèìûõ
ýêñïåðèìåíòàõ îñòàòî÷íîå äàâëåíèå ñîñòàâëÿëî îò
1·10�3 äî 3·10�3 ìì ðò. ñò., ìîùíîñòü èçëó÷åíèÿ �
200 Âò.
Ïîëó÷åííûå ÀÏ èìåëè òåïëîïðîâîäíîñòü îêîëî
6,7 Âò/(ñì·Ê), äèýëåêòðè÷åñêóþ ïðîíèöàåìîñòü îêî-
ëî 5.
***
Èñïîëüçóÿ ðàçðàáîòàííûå òåõíîëîãèè ïîëó÷åíèÿ
ñåãíåòîýëåêòðè÷åñêèõ è àëìàçíûõ ïëåíîê, áûëè ñî-
çäàíû ýêñïåðèìåíòàëüíûå ìàêåòû ëèíèé çàäåðæêè.
Ïðÿìûå ïîòåðè ÑÂ×-ñèãíàëà â ËÇ ñîñòàâèëè íå áîëåå
5,0 äÁ â äèàïàçîíå 26�46 ÃÃö. Ðåàëèçàöèÿ íèçêèõ
ïîòåðü äîñòèãàëàñü ïóòåì èçãîòîâëåíèÿ ÌÏË è ïëà-
íàðíûõ êîíäåíñàòîðîâ èç ïëåíîê Ba0,8Sr0,2TiO3 òîë-
ùèíîé 70�100 íì, à òàêæå çà ñ÷åò ôîðìèðîâàíèÿ
ÌÏË íà àëìàçîïîäîáíîé ïëåíêå òîëùèíîé 2�3 ìêì,
íå øóíòèðóþùåé ÑÂ×-ñèãíàë â ÌÏË è îáëàäàþùåé
âûñîêîé òåïëîïðîâîäíîñòüþ.
Ðåçóëüòàòû èññëåäîâàíèé ïîêàçàëè, ÷òî ïî ñðàâ-
íåíèþ ñ ñóùåñòâóþùèìè ËÇ ýêñïåðèìåíòàëüíûå
ìàêåòû ëèíèé íà îñíîâå ñåãíåòîýëåêòðè÷åñêèõ è àë-
ìàçíûõ ïëåíîê ïîçâîëÿþò óâåëè÷èòü äèàïàçîí ðàáî-
÷èõ ÷àñòîò äî 80,0 ÃÃö, ñíèçèòü ïðÿìûå ïîòåðè ñèã-
íàëà äî 1,0 äÁ, äîâåñòè óâåëè÷åíèå ïðåäåëüíîé ìîù-
íîñòè âõîäíîãî ñèãíàëà äî 3,0 äÁ, óñòàíàâëèâàòü âðå-
ìÿ çàäåðæêè ñèãíàëà îò 0,1 äî 1,0 ìêñ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Àôàíàñüåâ Ì. Ñ., Èâàíîâ Ì. Ñ. Îñîáåííîñòè ôîðìèðîâà-
íèÿ òîíêèõ ñåãíåòîýëåêòðè÷åñêèõ ïëåíîê BaxSr1�xTiO3 íà ðàçëè÷-
íûõ ïîäëîæêàõ ìåòîäîì âûñîêî÷àñòîòíîãî ðàñïûëåíèÿ // ÔÒÒ.�
2009.� Ò. 51, âûï. 7.� Ñ. 1259�1262.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2010, ¹ 3
7
ÍÎÂÛÅ ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËß ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
íûå êðèñòàëëîãðàôè÷åñêîé îñè Ñ, ê íèì ïðèïàèâà-
ëèñü òîêîîòâîäû èç íèêåëåâîé ïðîâîëîêè. Ðàñïëàâ
KNO3 íàõîäèëñÿ â ôàðôîðîâîì òèãëå, õèìè÷åñêè
èíåðòíîì ê ðàñïëàâó.
Òåìïåðàòóðà ðàñïëàâà àâòîìàòè÷åñêè ïîääåðæèâà-
ëàñü âûñîêîòî÷íûì ðåãóëÿòîðîì òåìïåðàòóðû ÂÐÒ-3
ñ òî÷íîñòüþ ±0,1°Ñ. Èíòåðêàëèðîâàíèå ïðîâîäèëîñü
â ãåðìåòè÷íîì áîêñå â ñóõîé àòìîñôåðå (îñóøåííîé
ñ ïîìîùüþ P2O5).
Ïðèãîòîâëåííûé òàêèì îáðàçîì îáðàçåö ãåðìåòè-
çèðîâàëñÿ ïîãðóæåíèåì â êîìïàóíä. Íà ðèñ. 2 ïðåä-
ñòàâëåíà êîíñòðóêöèÿ ëàáîðàòîðíîãî îáðàçöà êîíäåí-
ñàòîðà.
Ïàðàìåòðû ïîëó÷åííûõ îáðàçöîâ èçìåðÿëèñü ñ
ïîìîùüþ êîìïüþòåðèçèðîâàííîãî êîìïëåêñà íà îñ-
íîâå ÷àñòîòíîãî àíàëèçàòîðà ñïåêòðà «Solartron 1255».
Ðåçóëüòàòû èññëåäîâàíèé è èõ îáñóæäåíèå
Êàê óæå áûëî îòìå÷åíî, ñëîèñòûå êðèñòàëëû îò-
íîñÿòñÿ ê ìàòåðèàëàì ñî çíà÷èòåëüíîé àíèçîòðîïèåé
õèìè÷åñêîé ñâÿçè. Ìîëåêóëÿðíûé õàðàêòåð ñâÿçåé
ìåæäó ñîñåäíèìè ñëîÿìè ïîçâîëÿåò ïóòåì èíòåðêà-
ëÿöèè çàïîëíÿòü ìåæñëîåâûå ùåëè ïîñòîðîííèìè
àòîìàìè, èîíàìè èëè ìîëåêóëàìè, êîëè÷åñòâî êîòî-
ðûõ ìîæåò áûòü ñîïîñòàâèìî ñ ÷èñëîì ìîëåêóë îñ-
íîâíîãî âåùåñòâà èëè ïðåâûøàòü åãî. Â íàøåì ñëó-
÷àå èç ïîëó÷åííûõ ðåçóëüòàòîâ ðåíòãåíîâñêîãî àíà-
ëèçà ñëåäóåò, ÷òî èíòåðêàëèðîâàííûé îáðàçåö
GaSe<KNO3> ñîõðàíÿåò ìîíîêðèñòàëëè÷åñêóþ ñòðóê-
òóðó, à ñïåêòð ðåíòãåíîâñêîé äèôðàêòîãðàììû ñîäåð-
æèò äîïîëíèòåëüíûå ïèêè äðóãîé ôàçû, ÷òî ñâèäå-
òåëüñòâóåò î âõîæäåíèè èíòåðêàëÿíòà â âàí-äåð-âà-
àëüñîâû ùåëè ñëîèñòîãî ìîíîêðèñòàëëà GaSe.
Âñëåäñòâèå äåôîðìàöèîííîãî âçàèìîäåéñòâèÿ èíòåð-
êàëÿíòà è ìàòðèöû ïðîèñõîäèò ôàçîâûé ïåðåõîä
ε-2Í-ìîäèôèêàöèè GaSe â ε-4Í-ìîäèôèêàöèþ ñ óâå-
ëè÷åíèåì ïàðàìåòðà ðåøåòêè ñ îò 15,948 äî 15,9546 Å
è ñîõðàíåíèåì ïàðàìåòðà à, ðàâíûì 3,7551 Å.
Êàê âèäíî íà ðèñ. 3, â ïðîöåññå èíòåðêàëÿöèè íà-
áëþäàåòñÿ èçìåíåíèå ìàññû Ì è òîëùèíû d îáðàçöà
âäîëü êðèñòàëëîãðàôè÷åñêîé îñè Ñ, êîòîðîå èìååò
íåìîíîòîííûé õàðàêòåð ñ ó÷àñòêàìè ðàçíîé ñêîðîñ-
òè. Êîëè÷åñòâî χ âíåäðåííîãî èíòåðêàëÿíòà KNO3
ïðîïîðöèîíàëüíî ñêîðîñòè èíòåðêàëÿöèè νi è âðåìå-
íè ýêñïîíèðîâàíèÿ ti:
x∝νiti.
Ïîñêîëüêó ðàçìåðû âàí-äåð-âààëüñîâûõ ùåëåé â
GaSe ñîñòàâëÿþò 0,3�0,4 íì, ñåãíåòîýëåêòðè÷åñêèé
ìàòåðèàë âõîäèò â ìàòðèöó ýòîãî êðèñòàëëà â âèäå
íàíîðàçìåðíûõ âêëþ÷åíèé. Ðàññìàòðèâàåìóþ ñòðóê-
òóðó ìîæíî ïðåäñòàâëÿòü êàê êîìïîçèöèîííóþ ñâåðõ-
ðåøåòêó, êîòîðàÿ ñîñòîèò èç ðåøåòêè àíèçîòðîïíîãî
ñëîèñòîãî ïîëóïðîâîäíèêà ñ âñòðîåííûìè â íåå ñëî-
ÿìè ñåãíåòîýëåêòðèêà. Ïðîâîäèìîñòü íåèíòåðêàëèðî-
âàííîãî ïîëóïðîâîäíèêà GaSe îïðåäåëÿåòñÿ ïåðå-
êðûòèåì âîëíîâûõ ôóíêöèé àòîìîâ õàëüêîãåíà è íà-
ëè÷èåì äåôåêòîâ íà âàí-äåð-âààëüñîâûõ ïîâåðõíîñ-
òÿõ. Ïðîâîäèìîñòü σ⊥ êðèñòàëëîâ GaSe ïðè Ò=300 Ê
îïðåäåëÿåòñÿ áàçèñíûìè äåôåêòàìè è ñâÿçàííûìè ñ
íèìè ïîòåíöèàëüíûìè áàðüåðàìè. Èíòåðêàëèðîâàíèå
ñëîèñòûõ êðèñòàëëîâ ñåãíåòîýëåêòðè÷åñêèì ìàòåðè-
àëîì ïðèâîäèò íå òîëüêî ê èçìåíåíèþ ïåðåêðûòèÿ âîë-
íîâûõ ôóíêöèé íîñèòåëåé çàðÿäà, íî è ê ïðîÿâëåíèþ
îñîáåííîñòåé àêêóìóëÿöèè íîñèòåëåé çàðÿäà è ïðî-
òåêàíèÿ òîêà âäîëü êðèñòàëëîãðàôè÷åñêîé îñè Ñ êðè-
ñòàëëà. Îíè ìîãóò áûòü îáóñëîâëåíû êâàíòîðàçìåð-
íûìè ýôôåêòàìè, îïðåäåëÿþùèìè òðàíñïîðò íîñè-
òåëåé çàðÿäà ÷åðåç âàí-äåð-âààëüñîâû ùåëè èíòåðêà-
ëèðîâàííîãî ñëîèñòîãî êðèñòàëëà, à òàêæå ñâîéñòâà-
ìè ñåãíåòîýëåêòðè÷åñêîãî ìàòåðèàëà (óïîðÿäî÷åíè-
åì ýëåêòðè÷åñêîé äîìåííîé ñòðóêòóðû â ëàòåðàëü-
4
3 2 1
Ðèñ. 2. Êîíñòðóêöèÿ êîíäåíñàòîðà GaSe<KNO3>:
1 � èíòåðêàëèðîâàííûé ìàòåðèàë; 2 � òîêîïðîâîäÿùèå ïëîñêèå
êîíòàêòû; 3 � îáîëî÷êà êîìïàóíäà; 4 � òîêîîòâîäû
Ì, ìã
36
32
28
24
d, ìì
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0 5 10 15 20 tèíò, ñ
2
1
Ðèñ. 3. Çàâèñèìîñòü ìàññû (1) îáðàçöà GaSe<KNO3> è
åãî òîëùèíû (2) îò âðåìåíè èíòåðêàëèðîâàíèÿ
Ð2Î5 Òï
Òð
ÂÐÒ-3
ÂÐÒ-2 ÁÓÒ
ÁÒ
Ðèñ. 1. Ñõåìà èíòåðêàëÿöèè ìåòîäîì ïðÿìîãî ýêñïîíè-
ðîâàíèÿ èç ðàñïëàâà:
Òï � òåðìîïàðà; ÂÐÒ-2 è ÂÐÒ-3 � ñèñòåìà âûñîêîòî÷íûõ ðå-
ãóëÿòîðîâ òåìïåðàòóðû; ÁÓÒ � áëîê óïðàâëåíèÿ òèðèñòîðàìè;
ÁÒ � áëîê òèðèñòîðîâ; Òð � òðàíñôîðìàòîð
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2010, ¹ 3
8
ÍÎÂÛÅ ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËß ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
íîé ïëîñêîñòè êðèñòàëëà (0001) ïîä äåéñòâèåì ïî-
ñòîÿííîãî ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ è îñîáåííîñòÿìè ïðî-
òåêàíèÿ ñåãíåòîýëåêòðè÷åñêèõ ôàçîâûõ ïåðåõîäîâ â
êîìïîçèòíûõ íàíîðàçìåðíûõ ñòðóêòóðàõ). Êðîìå òîãî,
äåôîðìàöèîííîå âçàèìîäåéñòâèå, êîòîðîå èìååò ìå-
ñòî ìåæäó ìàòåðèàëîì ñëîèñòîé ìàòðèöû è ñåãíåòî-
ýëåêòðè÷åñêèìè âêëþ÷åíèÿìè, ïðèâîäèò ê ïîÿâëåíèþ
ïîëèòèïíûõ ôàçîâûõ ïåðåõîäîâ Ïàéåðëñà [9] è âîëí
çàðÿäîâîé ïëîòíîñòè [10], êîòîðûå îïðåäåëÿþò òðàíñ-
ïîðòíûå ñâîéñòâà òàêèõ êîìïîçèòíûõ íàíîñèñòåì.
×àñòîòíàÿ çàâèñèìîñòü ýëåêòðè÷åñêîé åìêîñòè Ñ òà-
êèõ ñèñòåì (ðèñ. 4, êðèâàÿ 1) îòëè÷àåòñÿ îò çàâèñè-
ìîñòåé Ñ=F(f) äëÿ ñèñòåì íà îñíîâå GaSe, èíòåðêà-
ëèðîâàííûõ íåñåãíåòîýëåêòðè÷åñêèìè ìàòåðèàëàìè.
 íàñòîÿùåå âðåìÿ àâòîðàìè ñîçäàí ôèëüòðîâûé êîí-
äåíñàòîð «ñëîèñòûé ïîëóïðîâîäíèê � ñåãíåòîýëåê-
òðèê» ñ ïàðàìåòðàìè Ñóä=0,51 Ô/ã èëè Ñóä=0,425 Ô/ìì3
íà ÷àñòîòå 100 Ãö ïðè êîìíàòíîé òåìïåðàòóðå. Áîëü-
øîå çíà÷åíèå åìêîñòè ýòèõ êîíäåíñàòîðîâ è íàëè÷èå
ó÷àñòêà ðåçêîãî èçìåíåíèÿ åìêîñòè êîíäåíñàòîðîâ â
îïðåäåëåííîì äèàïàçîíå ÷àñòîò ïðè çàäàííîì çíà÷å-
íèè ïðèëîæåííîãî ê íèì ïîñòîÿííîãî íàïðÿæåíèÿ îò-
êðûâàåò ïåðñïåêòèâó èõ èñïîëüçîâàíèÿ â êà÷åñòâå íà-
êîïèòåëüíûõ êîíäåíñàòîðîâ è ôèëüòðîâûõ êîíäåíñà-
òîðîâ äëÿ öåïåé ïåðåìåííîãî òîêà.
***
Òàêèì îáðàçîì, ïðåäëîæåííûé ñïîñîá èçãîòîâ-
ëåíèÿ èíòåðêàëÿöèîííûõ ôèëüòðîâûõ êîíäåíñàòîðîâ
ïîçâîëÿåò çíà÷èòåëüíî óâåëè÷èâàòü èõ óäåëüíóþ åì-
êîñòü ïðè çíà÷èòåëüíîì óìåíüøåíèè ãåîìåòðè÷åñêèõ
ðàçìåðîâ ïî ñðàâíåíèþ ñ èçâåñòíûìè êîíäåíñàòîðà-
ìè, âûïóñêàåìûìè ïðîìûøëåííîñòüþ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Áåëåíüêèé Á., Ãîðáóíîâ Í. Òåõíîëîãè÷åñêèå è ìàòåðèàëî-
âåä÷åñêèå ïðîáëåìû ðàçâèòèÿ êîíäåíñàòîðîâ è íåëèíåéíûõ ïîëó-
ïðîâîäíèêîâûõ ðåçèñòîðîâ // Ñîâðåìåííûå òåõíîëîãèè.� 2008.�
¹ 1.� Ñ. 10�13.
2. Äåñïîòóëè À., Àíäðååâà À. Âûñîêîåìêèå êîíäåíñàòîðû äëÿ
0,5-âîëüòîâîé íàíîýëåêòðîíèêè áóäóùåãî // Ñîâðåìåííûå òåõíî-
ëîãèè.� 2007.� ¹ 7.� Ñ. 24�29.
3. Gusev E. P., Narayanan V., Frank M. M. Advanced high-ê
dielectric stacks with polySi and metal gates: recent progress and
current challenges // IBM Journal of Research and Development.�
2006.� Vol. 50, N 4/5.� P. 387�410.
4. Black C. T., Guarini K. W., Ying Zhang et al. High-capacity,
self-assembled metal-oxide-semiconductor decoupling capacitors //
Electron Device Letters, IEEE.� 2004.� Vol. 25, ¹ 9.� P. 622�624.
5. Klootwijk J. H., Jinesh K. B., Dekkers W. et al. Ultrahigh
capacitance density for multiple ALD-grown MIM capacitor stacks
in 3-D silicon // Electron Device Letters, IEEE.� 2008.� Vol. 29,
N 7.� P. 740�742.
6. Ïàíêðàøêèí À. Èîíèñòîðû Panasonic: ôèçèêà, ïðèíöèï
ðàáîòû, ïàðàìåòðû // Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè.� 2006.� ¹ 9.�
Ñ. 12�17.
7. Çàÿâêà ¹ à2009 11618 â³ä 13.11 2009 íà âèäà÷ó ïàòåíòó
Óêðà¿íè. Ñïîñ³á âèãîòîâëåííÿ ³íòåðêàëÿö³éíîãî ô³ëüòðîâîãî êîí-
äåíñàòîðà / Ç. Ä. Êîâàëþê, Ä. Þ. Êîíîïëÿíêî, Â. Â. Íåòÿãà, À. Ï.
Áàõò³íîâ.
8. Çàÿâêà ¹ à2009 11286 â³ä 06.11 2009 íà âèäà÷ó ïàòåíòó
Óêðà¿íè. ²íòåðêàëÿö³éíèé ô³ëüòðîâèé êîíäåíñàòîð / Ç. Ä. Êîâà-
ëþê, Ä. Þ. Êîíîïëÿíêî, Â. Â. Íåòÿãà, À. Ï Áàõò³íîâ.
9. Kovalyuk Z. D., Bakhtinov A. P., Vodop�yanov V. N. et al.
Hydrogen ³orption in äayered òanoporous GaSe ñrystals // In book:
Carbon Nanomaterials in Clean Energy Hydrogen Systems.�
Netherlands: Springer, 2009.� P. 765�777.
10. Ëàøêàðåâ Ã. Â., Äìèòðèåâ À. È., Áàéäà À. À. è äð. Àíîìà-
ëèè ñòàòè÷åñêîé è äèíàìè÷åñêîé ïðîâîäèìîñòè ìîíîñåëåíèäà
èíäèÿ // Ôèçèêà è òåõíèêà ïîëóïðîâîäíèêîâ.� 2003.� Ò. 37,
¹ 2.� Ñ. 145�150.
Ñ, Ô
10�4
10�6
10�8
10�10
1
2
tgδ
100
10�1
102 103 104 105 106
×àñòîòà, Ãö
Ðèñ. 4. ×àñòîòíàÿ çàâèñèìîñòü ýëåêòðè÷åñêîé åìêîñòè Ñ (1)
è òàíãåíñà óãëà ïîòåðü tgδ (2) êîíäåíñàòîðîâ GaSe<KNO3>
ïðè ñìåùåíèè ïîñòîÿííûì íàïðÿæåíèåì îò 5 äî 10 Â
ÍÎÂÛÅ ÊÍÈÃÈ
Í
Î
Â
Û
Å
Ê
Í
È
Ã
È Âîðîáü¸â Í. Â., ßêóíèí À. Í. Ñõåñîòåõíèêà ÝÂÌ: â 2-õ ÷àñòÿõ. ×àñòü 1:
Êîìáèíàöèîííûå óçëû.� Ì.: ÌÈÝÒ, 2009.� 164 ñ.
Ïî åäèíîé ìåòîäèêå ðàññìîòðåíû áàçîâûå îïåðàöèîííûå ñòðóêòóðû öèôðîâûõ
êîìáèíàöèîííûõ óçëîâ, ÿâëÿþùèõñÿ îñíîâîé ïîñòðîåíèÿ óñòðîéñòâ ñàìîãî ðàç-
ëè÷íîãî íàçíà÷åíèÿ è, ïðåæäå âñåãî, âû÷èñëèòåëüíîé òåõíèêè. Âñå óçëû êëàññè-
ôèöèðóþòñÿ ïî ôóíêöèîíàëüíîìó íàçíà÷åíèþ. Ïîäðîáíî èçëîæåíà ìåòîäèêà
ïðåêòèðîâàíèÿ óçëîâ ñ èñïîëüçîâàíèåì ìàòåìàòè÷åñêîãî àïïàðàòà òåîðèè êîíå÷-
íûõ àâòîìàòîâ.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51945 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:21:55Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Коноплянко, Д.Ю. Нетяга, В.В. Бахтинов, А.П. 2013-12-20T17:57:44Z 2013-12-20T17:57:44Z 2010 Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> / З.Д. Ковалюк, Д.Ю. Коноплянко, В.В. Нетяга, А.П. Бахтинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51945 Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц. Способом інтеркалювання шаруватого монокристалу GaSe у розплаві сегнетоелектричної солі KNO₃ отримано сполуку GaSe<KNO₃>. Проведено рентгенівський аналіз структури й виміряно діелектричні частотні характеристики зразків. Встановлено, що в досліджуваних зразках спостерігається накопичення електричних зарядів в області частот 100-1000 Гц. На основі отриманої сполуки виготовлено зразок фільтрового конденсатора. The compound GaSe<KNO₃> is obtained by the technique of intercalation of a GaSe single crystal in a melt of the ferroelectric salt KNO₃. The x-ray analysis of its crystal structure has been carried out and dielectric frequency characteristics of samples has been measured. It is established, that accumulation of electric charges occurs in the examined examples in frequency area 100-1000 Hz. A sample of filter capacitor has been created on the basis of the received compounds. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новые компоненты для электронной аппаратуры Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> Конденсатори на основі інтеркалату GaSe <KNO₃> Capacitors on the basis of intercalate <KNO₃> Article published earlier |
| spellingShingle | Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> Ковалюк, З.Д. Коноплянко, Д.Ю. Нетяга, В.В. Бахтинов, А.П. Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| title | Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> |
| title_alt | Конденсатори на основі інтеркалату GaSe <KNO₃> Capacitors on the basis of intercalate <KNO₃> |
| title_full | Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> |
| title_fullStr | Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> |
| title_full_unstemmed | Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> |
| title_short | Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> |
| title_sort | конденсаторы на основе интеркалата gase <kno₃> |
| topic | Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet | Новые компоненты для электронной аппаратуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51945 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd kondensatorynaosnoveinterkalatagasekno3 AT konoplânkodû kondensatorynaosnoveinterkalatagasekno3 AT netâgavv kondensatorynaosnoveinterkalatagasekno3 AT bahtinovap kondensatorynaosnoveinterkalatagasekno3 AT kovalûkzd kondensatorinaosnovíínterkalatugasekno3 AT konoplânkodû kondensatorinaosnovíínterkalatugasekno3 AT netâgavv kondensatorinaosnovíínterkalatugasekno3 AT bahtinovap kondensatorinaosnovíínterkalatugasekno3 AT kovalûkzd capacitorsonthebasisofintercalatekno3 AT konoplânkodû capacitorsonthebasisofintercalatekno3 AT netâgavv capacitorsonthebasisofintercalatekno3 AT bahtinovap capacitorsonthebasisofintercalatekno3 |