Buchumschlag

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>

Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц. Способом інтеркалювання шаруватого монокристалу GaSe у розплаві сегнетоелектричної солі KNO₃ отримано сполуку GaSe<...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Ковалюк, З.Д., Коноплянко, Д.Ю., Нетяга, В.В., Бахтинов, А.П.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schlagworte:	Новые компоненты для электронной аппаратуры
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51945
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> / З.Д. Ковалюк, Д.Ю. Коноплянко, В.В. Нетяга, А.П. Бахтинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Первичные источники тока Li/Cu₄Bi₅S₁₀
von: Дудяк, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
von: Цибрий, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
von: Семёнов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Афанасьев, М.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Моделирование электротоковых микрореле
von: Мухуров, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
von: Горох, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electrical connectors for surface solderless mounting
von: Yefimenko, A.A.
Veröffentlicht: (2012)

Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Малогабаритные высокоинформативные холестерические дисплеи с памятью
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: Sai, P.O.
Veröffentlicht: (2016)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
von: Druzhinin, A.O., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
von: Шевчик-Шекера, А.В.
Veröffentlicht: (2012)

Органические светоизлучающие структуры — технологии XXI века
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
von: Головяшкин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Полупроводниковые матричные оптические модуляторы
von: Курмашов, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
von: Викулина, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Газочувствительные и светочувствительные варикапы для датчиков
von: Негоденко, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Магниточувствительные транзисторы
von: Викулина, Л.Ф.
Veröffentlicht: (1998)

Метод "прозрачной стенки'' для контроля лучистых потоков различной мощности
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
von: Завьялов, С.В.
Veröffentlicht: (2000)

Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Схемное решение термостабилизации выходного сигнала полупроводниковых датчиков
von: Викулина, Л.Ф.
Veröffentlicht: (1998)

Миниатюрные полупроводниковые преобразователи для измерения импульсных давлений
von: Байцар, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Функционально интегрированный магнитометрический преобразователь
von: Большакова, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Координатно-чувствительный анизотропный датчик лазерного излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Классификационный анализ акустооптических устройств управления лазерным пучком
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (2000)

Влияние радиационного облучения на характеристики солнечных элементов из поликристаллического кремния
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Магнитоуправляемый переключатель
von: Викулина, Л.Ф.
Veröffentlicht: (1999)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Physical properties of composite nanostructures formed on the basis of p-GaSe layered semi-conductor and KNO3 ferroelectric nanosized three-dimensional inclusions
von: A. P. Bakhtinov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)