Зображення обкладинки

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>

Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц. Способом інтеркалювання шаруватого монокристалу GaSe у розплаві сегнетоелектричної солі KNO₃ отримано сполуку GaSe<...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2010
Автори:	Ковалюк, З.Д., Коноплянко, Д.Ю., Нетяга, В.В., Бахтинов, А.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Теми:	Новые компоненты для электронной аппаратуры
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51945
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> / З.Д. Ковалюк, Д.Ю. Коноплянко, В.В. Нетяга, А.П. Бахтинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Первичные источники тока Li/Cu₄Bi₅S₁₀
за авторством: Дудяк, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)

Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)

Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
за авторством: Семёнов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Афанасьев, М.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Моделирование электротоковых микрореле
за авторством: Мухуров, Н.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
за авторством: Горох, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2015)

Electrical connectors for surface solderless mounting
за авторством: Yefimenko, A.A.
Опубліковано: (2012)

Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Малогабаритные высокоинформативные холестерические дисплеи с памятью
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
за авторством: Шевчик-Шекера, А.В.
Опубліковано: (2012)

Органические светоизлучающие структуры — технологии XXI века
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
за авторством: Головяшкин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2001)

Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (1999)

Полупроводниковые матричные оптические модуляторы
за авторством: Курмашов, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (1999)

Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
за авторством: Викулина, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)

Газочувствительные и светочувствительные варикапы для датчиков
за авторством: Негоденко, О.Н., та інші
Опубліковано: (2000)

Магниточувствительные транзисторы
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1998)

Метод "прозрачной стенки'' для контроля лучистых потоков различной мощности
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999)

Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
за авторством: Завьялов, С.В.
Опубліковано: (2000)

Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999)

Схемное решение термостабилизации выходного сигнала полупроводниковых датчиков
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1998)

Миниатюрные полупроводниковые преобразователи для измерения импульсных давлений
за авторством: Байцар, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)

Функционально интегрированный магнитометрический преобразователь
за авторством: Большакова, И.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Координатно-чувствительный анизотропный датчик лазерного излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1998)

Классификационный анализ акустооптических устройств управления лазерным пучком
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (2000)

Влияние радиационного облучения на характеристики солнечных элементов из поликристаллического кремния
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2001)

Магнитоуправляемый переключатель
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1999)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)

Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of composite nanostructures formed on the basis of p-GaSe layered semi-conductor and KNO3 ferroelectric nanosized three-dimensional inclusions
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2012)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)