Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл. Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площин...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51986 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. 2013-12-22T01:08:15Z 2013-12-22T01:08:15Z 2010 Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986 Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл. Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площинах. Встановлено, що їх опір суттєво змінюється лише на протязі перших 5 хвилин періоду окислення. Збільшення часу окислення не впливає на його еличину, але призводить до трансформації топології поерхні. На зображеннях атомно-силової мікроскопії виявлено наноструктуризацію поверхні оксиду у вигляді наноголок. Їх латеральні та вертикальні розміри, а також їх щільність залежать від температурно-часових факторів. The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe Електричні та топологічні властивості плівок оксидів, термічно вирощених на підкладках InSe Electrical and topological properties of oxides films grown thermally on InSe substrates Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| spellingShingle |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. Материалы электроники |
| title_short |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_full |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_fullStr |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_full_unstemmed |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_sort |
электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках inse |
| author |
Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. |
| author_facet |
Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Електричні та топологічні властивості плівок оксидів, термічно вирощених на підкладках InSe Electrical and topological properties of oxides films grown thermally on InSe substrates |
| description |
Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл.
Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площинах. Встановлено, що їх опір суттєво змінюється лише на протязі перших 5 хвилин періоду окислення. Збільшення часу окислення не впливає на його еличину, але призводить до трансформації топології поерхні. На зображеннях атомно-силової мікроскопії виявлено наноструктуризацію поверхні оксиду у вигляді наноголок. Їх латеральні та вертикальні розміри, а також їх щільність залежать від температурно-часових факторів.
The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986 |
| citation_txt |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT katerinčukvn élektričeskieitopologičeskiesvoistvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT kovalûkzd élektričeskieitopologičeskiesvoistvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT homâkvv élektričeskieitopologičeskiesvoistvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT katerinčukvn električnítatopologíčnívlastivostíplívokoksidívtermíčnoviroŝenihnapídkladkahinse AT kovalûkzd električnítatopologíčnívlastivostíplívokoksidívtermíčnoviroŝenihnapídkladkahinse AT homâkvv električnítatopologíčnívlastivostíplívokoksidívtermíčnoviroŝenihnapídkladkahinse AT katerinčukvn electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates AT kovalûkzd electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates AT homâkvv electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates |
| first_indexed |
2025-12-02T10:00:59Z |
| last_indexed |
2025-12-02T10:00:59Z |
| _version_ |
1850862228803158016 |