Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл. Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площин...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862659841652162560 |
|---|---|
| author | Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. |
| author_facet | Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. |
| citation_txt | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл.
Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площинах. Встановлено, що їх опір суттєво змінюється лише на протязі перших 5 хвилин періоду окислення. Збільшення часу окислення не впливає на його еличину, але призводить до трансформації топології поерхні. На зображеннях атомно-силової мікроскопії виявлено наноструктуризацію поверхні оксиду у вигляді наноголок. Їх латеральні та вертикальні розміри, а також їх щільність залежать від температурно-часових факторів.
The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors.
|
| first_indexed | 2025-12-02T10:00:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51986 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T10:00:59Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. 2013-12-22T01:08:15Z 2013-12-22T01:08:15Z 2010 Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986 Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл. Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площинах. Встановлено, що їх опір суттєво змінюється лише на протязі перших 5 хвилин періоду окислення. Збільшення часу окислення не впливає на його еличину, але призводить до трансформації топології поерхні. На зображеннях атомно-силової мікроскопії виявлено наноструктуризацію поверхні оксиду у вигляді наноголок. Їх латеральні та вертикальні розміри, а також їх щільність залежать від температурно-часових факторів. The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe Електричні та топологічні властивості плівок оксидів, термічно вирощених на підкладках InSe Electrical and topological properties of oxides films grown thermally on InSe substrates Article published earlier |
| spellingShingle | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. Материалы электроники |
| title | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_alt | Електричні та топологічні властивості плівок оксидів, термічно вирощених на підкладках InSe Electrical and topological properties of oxides films grown thermally on InSe substrates |
| title_full | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_fullStr | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_full_unstemmed | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_short | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_sort | электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках inse |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986 |
| work_keys_str_mv | AT katerinčukvn élektričeskieitopologičeskiesvoistvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT kovalûkzd élektričeskieitopologičeskiesvoistvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT homâkvv élektričeskieitopologičeskiesvoistvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT katerinčukvn električnítatopologíčnívlastivostíplívokoksidívtermíčnoviroŝenihnapídkladkahinse AT kovalûkzd električnítatopologíčnívlastivostíplívokoksidívtermíčnoviroŝenihnapídkladkahinse AT homâkvv električnítatopologíčnívlastivostíplívokoksidívtermíčnoviroŝenihnapídkladkahinse AT katerinčukvn electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates AT kovalûkzd electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates AT homâkvv electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates |