Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Катеринчук, В.Н., Ковалюк, З.Д., Хомяк, В.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schriftenreihe:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51986
record_format	dspace
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-519862025-02-10T01:13:53Z Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe Електричні та топологічні властивості плівок оксидів, термічно вирощених на підкладках InSe Electrical and topological properties of oxides films grown thermally on InSe substrates Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. Материалы электроники Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл. Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площинах. Встановлено, що їх опір суттєво змінюється лише на протязі перших 5 хвилин періоду окислення. Збільшення часу окислення не впливає на його еличину, але призводить до трансформації топології поерхні. На зображеннях атомно-силової мікроскопії виявлено наноструктуризацію поверхні оксиду у вигляді наноголок. Їх латеральні та вертикальні розміри, а також їх щільність залежать від температурно-часових факторів. The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors. 2010 Article Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Материалы электроники Материалы электроники
spellingShingle	Материалы электроники Материалы электроники Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description	Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл.
format	Article
author	Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В.
author_facet	Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В.
author_sort	Катеринчук, В.Н.
title	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_short	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_full	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_fullStr	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_full_unstemmed	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
title_sort	электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках inse
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2010
topic_facet	Материалы электроники
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51986
citation_txt	Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
series	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv	AT katerinčukvn élektričeskieitopologičeskiesvoistvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT kovalûkzd élektričeskieitopologičeskiesvoistvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT homâkvv élektričeskieitopologičeskiesvoistvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT katerinčukvn električnítatopologíčnívlastivostíplívokoksidívtermíčnoviroŝenihnapídkladkahinse AT kovalûkzd električnítatopologíčnívlastivostíplívokoksidívtermíčnoviroŝenihnapídkladkahinse AT homâkvv električnítatopologíčnívlastivostíplívokoksidívtermíčnoviroŝenihnapídkladkahinse AT katerinčukvn electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates AT kovalûkzd electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates AT homâkvv electricalandtopologicalpropertiesofoxidesfilmsgrownthermallyoninsesubstrates
first_indexed	2025-12-02T10:00:59Z
last_indexed	2025-12-02T10:00:59Z
_version_	1850390252675399680
fulltext	Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2010, ¹ 5�6 51 ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ Ä. ô.-ì. í. Â. Í. ÊÀÒÅÐÈÍ×ÓÊ, ä. ô.-ì. í. Ç. Ä. ÊÎÂÀËÞÊ, ê. ô.-ì. í. Â. Â. ÕÎÌßÊ Óêðàèíà, ×åðíîâèöêîå îòäåëåíèå ÈÏÌ èì. È. Í. Ôðàíöåâè÷à ÍÀÍÓ E-mail: chimsp@ukrpost.ua ÝËÅÊÒÐÈ×ÅÑÊÈÅ È ÒÎÏÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÑÂÎÉÑÒÂÀ ÏËÅÍÎÊ ÎÊÑÈÄÎÂ, ÒÅÐÌÈ×ÅÑÊÈ ÂÛÐÀÙÅÍÍÛÕ ÍÀ ÏÎÄËÎÆÊÀÕ InSe Êà÷åñòâåííûå ïëåíêè In2O3 âûñîêîé ïðî- âîäèìîñòè ïîëó÷åíû òåðìè÷åñêèì îêèñ- ëåíèåì InSe ïðè íåâûñîêèõ òåìïåðàòó- ðàõ. Îáíàðóæåíà íàíîñòðóêòóðèçàöèÿ ïîâåðõíîñòè îêñèäà â ôîðìå íàíîèãë. Îäíèì èç ñïîñîáîâ ñîçäàíèÿ êà÷åñòâåííûõ ïëå- íîê îêñèäîâ ÿâëÿåòñÿ òåðìè÷åñêîå îêèñëåíèå ïîëó- ïðîâîäíèêîâ. Ýòè îêñèäû ìîãóò èìåòü ðàçëè÷íûå ñâîéñòâà â ÷àñòè ïðîâîäèìîñòè è îïòè÷åñêîãî ïðî- ïóñêàíèÿ, çàâèñÿùèå îò õèìè÷åñêîãî ñîåäèíåíèÿ, òåõ- íîëîãè÷åñêèõ ôàêòîðîâ è òîëùèíû ïëåíîê. Íàèáî- ëåå ÷àñòî îêñèäû ïîëóïðîâîäíèêîâ èñïîëüçóþò â ðàç- ëè÷íîãî òèïà ãåòåðîñòðóêòóðàõ, ïîñêîëüêó îíè ñíè- æàþò ïëîòíîñòü ïîâåðõíîñòíûõ äåôåêòîâ íà ãåòåðî- ãðàíèöå ñ ïîëóïðîâîäíèêîì [1, ñ. 396]. Â ïðîöåññå âûðàùèâàíèÿ îäíîé õèìè÷åñêîé ôàçû íà ïîäëîæêàõ äðóãîé, êàê ïðàâèëî, îáðàçóåòñÿ ñëîé, èìåþùèé íàíîñòðóêòóðèðîâàííóþ ïîâåðõíîñòü [2]. Âîçíèêàþùèå íàíîîáúåêòû ìîãóò èìåòü ðàçëè÷íóþ ôîðìó è ðàçìåðû, ÷òî îïðåäåëÿåòñÿ òåõíîëîãè÷åñêè- ìè ôàêòîðàìè [3]. Èçó÷åíèå çàêîíîìåðíîñòåé ðîñòà òàêèõ ïëåíîê è èõ ýëåêòðè÷åñêèõ ñâîéñòâ íåîáõîäè- ìî äëÿ îïòèìèçàöèè ôîòîýëåêòðè÷åñêèõ ïàðàìåòðîâ ãåòåðîñòðóêòóð. Â íàñòîÿùåé ðàáîòå èññëåäîâàíà äèíàìèêà ïîâåðõ- íîñòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ ïëåíîê îêñèäà èíäèÿ, ïîëó- ÷åííûõ òåðìè÷åñêèì îêèñëåíèåì InSe, è òîïîëîãèÿ îêèñëåííîé ïîâåðõíîñòè. Êðèñòàëëû InSe âûðàùèâàëèñü ìåòîäîì Áðèäæ- ìåíà. Â òîì ñëó÷àå, êîãäà ïîäëîæêè èç íèõ âûðåçà- ëèñü ïóòåì ñêàëûâàíèÿ ïëàñòèí ñî ñëèòêà, íîðìàëü ê ïîâåðõíîñòè ïîäëîæêè N è êðèñòàëëîãðàôè÷åñêàÿ îñü ñ áûëè êîëëèíåàðíû, ò. å. N\|\|ñ. Äëÿ ïîëó÷åíèÿ ïîäëî- æåê ñ N⊥c íåîáõîäèìàÿ ãðàíü êðèñòàëëà ñíà÷àëà âû- ðåçàëàñü, à ïîòîì îáðàáàòûâàëàñü õèìè÷åñêèìè òðà- âèòåëÿìè. Òåðìè÷åñêîå îêèñëåíèå êðèñòàëëè÷åñêèõ ïîäëîæåê InSe ïðîâîäèëîñü â àòìîñôåðå âîçäóõà ïðè òåìïåðàòóðå 350, 400 èëè 450îÑ â ýëåêòðîïå÷è ñ áëî- êîì ðåãóëèðîâàíèÿ è ñòàáèëèçàöèè òåìïåðàòóðû. Äëè- òåëüíîñòü îêèñëåíèÿ ñîñòàâëÿëà îò íåñêîëüêèõ ìè- íóò äî íåñêîëüêèõ äåñÿòêîâ ÷àñîâ. Ïîâåðõíîñòíîå ñîïðîòèâëåíèå Rs îêñèäà èçìåðÿ- ëîñü äëÿ îáðàçöîâ, èìåþùèõ ôîðìó êâàäðàòà, ïðè- ÷åì äâå åãî ïðîòèâîïîëîæíûå ñòîðîíû ñëóæèëè òî- êîâûìè êîíòàêòàìè. Èçìåðåíèå Rs îêñèäà èìååò îñî- áåííîñòè, ñâÿçàííûå ñ åãî ñòðóêòóðîé. Ïðè íà÷àëü- íîì îêèñëåíèè ïîäëîæêè InSe ñëîé îêñèäà íà åå ïî- âåðõíîñòè îáðàçóåòñÿ â ñëåäóþùåé ïîñëåäîâàòåëü- íîñòè: ôîðìèðîâàíèå îòäåëüíûõ åãî çàðîäûøåé, èõ ðàçðàñòàíèå è îáðàçîâàíèå íàíîñåò÷àòîé ñòðóêòóðû è, íàêîíåö, åå ñëèÿíèå â ñïëîøíîé ñëîé. Ñîîòâåò- ñòâåííî ýòèì ôàçàì ôîðìèðîâàíèÿ îêñèäà åãî ïîâåðõíîñòíîå ñîïðîòèâëåíèå áóäåò îïðåäåëÿòüñÿ, âî- ïåðâûõ, ñëîåì ïîëóïðîâîäíèêà ñ íèçêîîìíûìè âêëþ- ÷åíèÿìè îêñèäà; âî-âòîðûõ, ñåò÷àòîé ñòðóêòóðîé îê- ñèäà, øóíòèðóåìîé ñëîåì InSe è çåðêàëüíî îòðàæåí- íîé ñåò÷àòîé ñòðóêòóðîé âûñîêîîìíûõ îáåäíåííûõ îáëàñòåé; â òðåòüèõ, ñîáñòâåííî ñëîåì îêñèäà, èçî- ëèðîâàííûì îò ïîäëîæêè îáåäíåííûì ñëîåì ãåòåðî- ïåðåõîäà «îêñèä � p-InSe». Ïðèñóòñòâèå îáåäíåí- íûõ îáëàñòåé íà ãåòåðîãðàíèöå ìåæäó îêñèäîì è ïîä- ëîæêîé âî âñåõ ðàññìîòðåííûõ ñëó÷àÿõ íå âëèÿåò íà âåëè÷èíó Rs ââèäó èõ áîëüøîãî ñîïðîòèâëåíèÿ. Â êà÷åñòâå êîíòàêòîâ èñïîëüçîâàëñÿ ÷èñòûé èí- äèé. Ïðè ýòîì ïðåäïîëàãàëîñü, ÷òî ðàñïëàâëåííûé èíäèé õîðîøî ñìà÷èâàåò êàê îêèñëåííûå, òàê è íå- îêèñëåííûå ó÷àñòêè ïîâåðõíîñòè ïîäëîæêè. Ïîâåðõíîñòíàÿ òîïîëîãèÿ íåîêèñëåííûõ è îêèñ- ëåííûõ îáðàçöîâ êðèñòàëëîâ InSe èññëåäîâàëàñü ñ ïîìîùüþ àòîìíîãî ñèëîâîãî ìèêðîñêîïà Nanoscope IIIà D³mens³on 3000 SPM (D³g³tal ²nstruments, USA). Ðèñ. 1. Çàâèñèìîñòü ïîâåðõíîñòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ ïëåíêè In2O3 íà ïîäëîæêàõ p-InSe ñ N\|\|c (ñïëîøíûå) è N⊥ñ (ïóíêòèðíûå) îò âðåìåíè îêèñëåíèÿ ïðè ðàçëè÷- íîé òåìïåðàòóðå: 1 � 350°Ñ; 2, 4 � 400°Ñ; 3 � 450°Ñ Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ 14.05 2010 ã. Îïïîíåíò ê. ô.-ì. í. Ç. Ô. ÖÈÁÐÈÉ (ÈÔÏ èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà, ã. Êèåâ) 105 103 101 0 5 10 15 20 1 2 3 4 R s, Î ì /ê âà äð àò Âðåìÿ îêèñëåíèÿ, ìèí Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2010, ¹ 5�6 52 ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ Èç ðåçóëüòàòîâ èçìåðåíèé, ïðåäñòàâëåííûõ íà ðèñ. 1, âèäíî, ÷òî çíà÷åíèå Rs ñóùåñòâåííî èçìåíÿ- åòñÿ ëèøü â íà÷àëüíûé ïåðèîä îêèñëåíèÿ, êîòîðûé äëèòñÿ íå áîëåå 5 ìèíóò, ïðè÷åì ÷åì âûøå òåìïåðà- òóðà îêèñëåíèÿ, òåì ñèëüíåå óáûâàíèå Rs è òåì íèæå åãî âåëè÷èíà â íà÷àëüíûé ïåðèîä îêèñëåíèÿ. Äàëü- íåéøåå îêèñëåíèå ïîäëîæêè íå ïðèâîäèò ê ñóùå- ñòâåííîìó èçìåíåíèþ ñîïðîòèâëåíèÿ, êîòîðîå ñòà- áèëèçèðóåòñÿ íà óðîâíå 100 Îì/êâàäðàò. Õàðàêòåð èç- ìåíåíèé Rs äëÿ ïîäëîæåê ñ N\|\|ñ ïðàêòè÷åñêè íè÷åì íå îòëè÷àåòñÿ äëÿ ñëó÷àÿ, êîãäà ïëîñêîñòü îêèñëåíèÿ ïåðïåíäèêóëÿðíà ñ, îäíàêî çàâèñèìîñòü Rs(t) çäåñü áîëåå ðåçêàÿ, ÷òî ñâèäåòåëüñòâóåò î áîëåå áûñòðîì ïðîöåññå îêèñëåíèÿ ñîîòâåòñòâóþùåé ãðàíè êðèñòàë- ëà è î ìåíüøåì ïîâåðõíîñòíîì ñîïðîòèâëåíèè îêñè- äà íà ýòîé ãðàíè. Ïîëó÷åííûå çàâèñèìîñòè Rs ïðåäïîëàãàþò ñëå- äóþùóþ êà÷åñòâåííóþ ñõåìó ïðîöåññà îêèñëåíèÿ ïîäëîæêè. Íà ïîâåðõíîñòè InSe ðàâíîâåðîÿòíî îá- ðàçóþòñÿ êàê îêñèäû èíäèÿ, òàê è îêñèäû ñåëåíà, ïîñêîëüêó äàííîå ñîåäèíåíèå áèíàðíîå. Îäíàêî îêñèäû ñåëåíà ïðè òåìïåðàòóðå âûøå 100îÑ ðàçëà- ãàþòñÿ, à êîìïîíåíòû ðàçëîæåíèÿ ëåãêî èñïàðÿþò- ñÿ. Òåìïåðàòóðà îêèñëåíèÿ ïîäëîæåê â íàøåì ýêñ- ïåðèìåíòå ñîñòàâëÿëà 350�450îÑ è ïîýòîìó ìîæ- íî ñ÷èòàòü, ÷òî ïðîèñõîäèëî îáðàçîâàíèå ïëåíêè òîëüêî îêñèäà èíäèÿ In2O3. Ñ óâåëè÷åíèåì åå òîë- ùèíû ïðîèñõîäèò îãðàíè÷åíèå äîñòóïà êèñëîðîäà ê ãåòåðîãðàíèöå «îêñèä � ïîëóïðîâîäíèê» è îáðàò- íûé ïðîöåññ � óëåòó÷èâàíèå îêñèäîâ ñåëåíà. Ïî- ýòîìó íàèáîëüøèå èçìåíåíèÿ ïîâåðõíîñòíîãî ñîïðî- òèâëåíèÿ ïëåíêè îêñèäà íàáëþäàþòñÿ â òå÷åíèå ïåð- âûõ ìèíóò îêèñëåíèÿ. Èçìåíåíèÿ ïîâåðõíîñòíîé òîïîëîãèè ïëåíîê In2O3, îáðàçóþùèõñÿ ïðè òåðìè÷åñêîì îêèñëåíèè ïîäëîæåê InSe ïðè òåìïåðàòóðå 450îÑ â òå÷åíèå 20 ÷, ìîæíî âèäåòü íà ôîòî íà ðèñ. 2. Íà ðèñ. 2, à èçîá- ðàæåí ôðàãìåíò ïîâåðõíîñòè íåîêèñëåííîé ïîäëîæ- êè � åñòåñòâåííîé ãðàíè êðèñòàëëà ïîñëå ñêîëà îá- ðàçöà ñî ñëèòêà (N\|\|ñ). Ñðåäíåàðèôìåòè÷åñêîå çíà÷å- íèå øåðîõîâàòîñòè ýòîé ïîâåðõíîñòè ñîñòàâëÿ- ëî 0,053 íì, ÷òî óêàçûâàåò íà âûñîêîå åå êà÷åñòâî è ïîçâîëÿåò ñ÷èòàòü åå àòîìàðíî ðîâíîé. Ïîñëå îêèñ- ëåíèÿ îáðàçöîâ íà ïðîòÿæåíèè 15 ìèí íà ïîâåðõíî- ñòè InSe îáðàçóþòñÿ ñêîïëåíèÿ êðèñòàëëèòîâ îêñèäà èíäèÿ, êîòîðûå íà ðèñ. 2, á ïîêàçàíû ñâåòëûìè. Ëà- òåðàëüíûå ðàçìåðû êðèñòàëëèòîâ ñîñòàâëÿþò ïîðÿäêà ñîòåí íàíîìåòðîâ, à íàèáîëüøàÿ âûñîòà � 7�8 íì, ÷òî îòâå÷àåò çíà÷åíèþ ÷åòûðåõ ïåðèîäîâ ðåøåòêè InSe (ñ = 16,7 Å [4]). Çíà÷åíèå øåðîõîâàòîñòè ïðè ýòîì óâåëè÷èëîñü äî 0,422 íì. Ðèñ. 2. Èçîáðàæåíèÿ, ïîëó÷åííûå ñ ïîìîùüþ àòîìíî-ñèëîâîé ìèêðîñêîïèè, ôðàãìåíòîâ íåîêèñëåííîé (à) ïî- âåðõíîñòè êðèñòàëëîâ ²nSe (0001) è îêèñëåííîé ïðè òåìïåðàòóðå 450îÑ â òå÷åíèå ðàçëè÷íîãî âðåìåíè îêèñëåíèÿ: á � 15 ìèí; â � 1 ÷; ã � 5 ÷; ä � 20 ÷ 10 0 �10 20 0 �20 10 0 �10 100 0 �100 20 0 �20 ìêì ìêì ìêì ìêì íì íì íì íì íì 0 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,8 1 ,0 à) á) â) ã) ä) 0 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,8 1 ,0 0 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,8 1 ,0 0 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,8 1 ,0 ìêì 0 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,8 1 ,0 Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2010, ¹ 5�6 53 ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ Óâåëè÷åíèå âðåìåíè îêèñëåíèÿ ïîäëîæêè äî 1 ÷ ïðèâîäèò ê óìåíüøåíèþ ëàòåðàëüíûõ ðàçìåðîâ íå- îêèñëåííûõ ó÷àñòêîâ (ðèñ. 2, â). Âìåñòå ñ òåì, íà ïî- âåðõíîñòè îáðàçóåòñÿ íåáîëüøîå êîëè÷åñòâî êðèñ- òàëëèòîâ îêèñëà â âèäå íàíîèãë, è íàñòóïàåò óïîðÿ- äî÷èâàíèå ýëåìåíòîâ ïîâåðõíîñòè. Âûñîòà îòäåëüíûõ íàíîèãë äîñòèãàëà 10 íì. Çíà÷åíèå øåðîõîâàòîñòè ñîñòàâèëî 0,631 íì, à âûñîòà ïðåîáëàäàþùåãî ÷èñëà êðèñòàëëèòîâ îêñèäà óâåëè÷èëàñü äî 0,8 � 2,5 íì. Äëÿ ïîâåðõíîñòè ñëîÿ îêñèäà, ïîëó÷åííîãî ïðè îêèñëåíèè ïîäëîæêè íà ïðîòÿæåíèè 5 ÷ (ðèñ. 2, ã), õàðàêòåðíî ôîðìèðîâàíèå äîñòàòî÷íî îäíîðîäíîãî àí- ñàìáëÿ íàíîèãë, îðèåíòèðîâàííûõ ïåðïåíäèêóëÿðíî ïîâåðõíîñòè. Èõ ïëîòíîñòü äîñòèãàëà 1010�1011 ñì�2, à ðàçìåðû îòëè÷àëèñü ðàçáðîñîì êàê ïî âûñîòå, òàê è ïî ðàäèóñó îñíîâàíèé. Ïðè ýòîì âûñîòà íàíîèãë âîçðàñòàëà ïî÷òè â äâà ðàçà ïî ñðàâíåíèþ ñ ïðåä- ñòàâëåííûìè íà ðèñ. 2, â. Ïîñëå îêèñëåíèÿ ïîäëîæåê â òå÷åíèå 20 ÷ òîïîëî- ãèÿ ïîâåðõíîñòè ñóùåñòâåííî ìåíÿåòñÿ � êðèñòàëëè- òû ïðèîáðåòàþò êóïîëîîáðàçíóþ ôîðìó (ðèñ. 2, ä). Ýòî ñâèäåòåëüñòâóåò î òîì, ÷òî òîïîëîãèÿ ïîâåðõíî- ñòè â ýòîì ñëó÷àå îïðåäåëÿåòñÿ ïðîöåññàìè ðåêðèñ- òàëëèçàöèè. Â ðåçóëüòàòå êîàëåñöåíöèè êðèñòàëëèòîâ íà÷èíàåò ôîðìèðîâàòüñÿ ñëîé îêñèäà ñ ýôôåêòèâíîé âûñîòîé íàíîîáðàçîâàíèé îêîëî 50 íì. *** Îáíàðóæåííûå çàêîíîìåðíîñòè ïîâåðõíîñòíîé òîïîëîãèè ïëåíîê îêñèäà, ïîëó÷åííûõ â ðàçëè÷íûõ òåõíîëîãè÷åñêèõ óñëîâèÿõ, ñâèäåòåëüñòâóþò î íåîäíîðîäíîñòè èõ íàðàùèâàíèÿ, ÷òî ïðèâîäèò ê ôîð- ìèðîâàíèþ íàíîîáðàçîâàíèé. Ïðè÷èíîé ýòîìó ìîãóò ñëóæèòü ìåõàíè÷åñêèå íàïðÿæåíèÿ íà ãåòåðîãðàíèöå ïðè çàðîæäåíèè ìîëåêóë îêñèäà, ïðèâîäÿùèå ê èõ ñëèÿíèþ â îáðàçîâàíèÿ, èìåþùèå íàèáîëüøóþ òåð- ìîäèíàìè÷åñêóþ ñòîéêîñòü ê ðàçðóøåíèþ. Îïòèìè- çàöèÿ òåõíîëîãè÷åñêèõ ðåæèìîâ îêèñëåíèÿ ìîæåò áûòü èñïîëüçîâàíà äëÿ íàíîðàçìåðíîãî óïîðÿäî÷è- âàíèÿ ïîâåðõíîñòè îêèñëà. ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Çè Ñ. Ôèçèêà ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ.� Ò. 1.� Ì.: Ìèð, 1984. 2. Barabasi A.-L. Self-assembled island formation in hetero- epitaxial growth // Appl. Phys. Lett.� 1997.� Vol. 70, N 19.� P. 2565�2567. 3. Kovalyuk Z. D., Katerynchuk V. M., Savchuk A. I., Lytvyn O. S. Surface topology of GaSe oxidized crystals // Superlattices and Microstructures.� 2008.� Vol. 44, N 4�5.� P. 416�419. 4. Ikari T., Shigetomi S., Nashimoto K. Crystal structure and Raman spectra of InSe // Phys. Stat. Sol. (b).� 1982.� Vol. 111, N 2.� P. 477�481. ÍÎÂÛÅ ÊÍÈÃÈ Í Î Â Û Å Ê Í È Ã È ×îáàíó Ì. Ìíîãîìåðíûå ìíîãîñêîðîñòíûå ñèñòåìû îáðàáîòêè ñèãíà- ëîâ.� Ì.: Òåõíîñôåðà, 2009.� 480 c. Â êíèãå ðàññìàòðèâàþòñÿ ìíîãîìåðíûå ìíîãîñêîðîñòíûå ñèñòå- ìû, êîòîðûå èñïîëüçóþòñÿ äëÿ îáðàáîòêè ÌÌ öèôðîâûõ ñèã- íàëîâ. Çäåñü âïåðâûå íà ðóññêîì ÿçûêå ñèñòåìàòè÷åñêè èçëîæå- íû òåîðèÿ è ìåòîäû íåðàçäåëèìîé îáðàáîòêè ÌÌ ñèãíàëîâ, ïðèâîäèòñÿ âñå íåîáõîäèìîå äëÿ ðàçðàáîòêè ÌÌ ìíîãîñêîðîñò- íûõ ñèñòåì, íà÷èíàÿ ñ ôóíäàìåíòàëüíûõ ðåçóëüòàòîâ èç òåîðèè öèôðîâîé îáðàáîòêè ÌÌ ñèãíàëîâ è çàêàí÷èâàÿ àëãîðèòìàìè è ïðîãðàììíûì/àïïàðàòíûì îáåñïå÷åíèåì äëÿ ÌÌ ìíîãîñêî- ðîñòíûõ ñèñòåì. ÍÎÂÛÅ ÊÍÈÃÈ Í Î Â Û Å Ê Í È Ã È Íàíîãåòåðîñòðóêòóðû â ñâåðõâûñîêî÷àñòîòíîé ïîëóïðîâîäíèêîâîé ýëåêò- ðîíèêå.� Ì.: Òåõíîñôåðà, 2010.� 432 ñ. Â ñáîðíèê âîøëè 30 ñòàòåé Â. Ã. Ìîêåðîâà çà ïåðèîä ñ 1986 ïî 2009 ãîä. Ýòè ðàáîòû ïîñâÿùåíû âîïðîñàì ñîçäàíèÿ íàíîãåòåðî- ñòðóêòóð è ïîñëóæèëè îñíîâàíèåì äëÿ ñîçäàíèÿ Èíñòèòóòà ñâåðõ- âûñîêî÷àñòîòíîé ïîëóïðîâîäíèêîâîé ýëåêòðîíèêè Ðîññèéñêîé àêà- äåìèè íàóê â 2002 ãîäó. ×ë.-êîð. ÐÀÍ Â. Ã. Ìîêåðîâ áûë áåñ- ñìåííûì ðóêîâîäèòåëåì ÈÑÂ×ÏÝ ÐÀÍ ñ 2002 ïî 2008 ãîä. Ãëàâ- íîé öåëüþ äåÿòåëüíîñòè Èíñòèòóòà ÿâëÿåòñÿ ïðîâåäåíèå ôóíäà- ìåíòàëüíûõ è ïîèñêîâûõ íàó÷íûõ èññëåäîâàíèé è ïðèêëàäíûõ ðàçðàáîòîê â îáëà- ñòè ñâåðõâûñîêî÷àñòîòíîé ïîëóïðîâîäíèêîâîé ýëåêòðîíèêè, âêëþ÷àÿ ðàçðàáîòêó ãåòåðîñòðóêòóðíûõ ÑÂ× ìîíîëèòíûõ èíòåãðàëüíûõ ñõåì äëÿ áîðòîâûõ ðàäàðîâ, øèðîêîïîëîñíûõ ñèñòåì áåñïðîâîäíîé ñâÿçè, îïòîâîëîêîííûõ ëèíèé ñâÿçè, âûñî- êî÷óâñòâèòåëüíûõ ðàäèîìåòðîâ. Ñáîðíèê ñòàòåé ïîñâÿùåí 70-ëåòèþ ñî äíÿ ðîæäåíèÿ Â. Ã. Ìîêåðîâà (1940�2010 ãã.).

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

Institution

Ähnliche Einträge