Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. До...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |