Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2009
• Main Authors: Ковалюк, З.Д., Кушнир, О.И., Сидор, О.Н., Нетяга, В.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. Досліджені електричні і фотоелектричніотриманих структур показали перевагу анізотипної гетероструктури n-InS/p-InSe над її ізотипним аналогом. Проведено порівняння спектральних характеристик гетероструктур n-InS/p-InSe, отриманих при різній тривалості відпалу. Для плівки INS визначена величина міжзонних переходів, а також параметри елементарної кристалічної комірки.· InS/InSe heterostructures were created by a long-term (during 120 h) thermal processing of InSe monocrystals in sulfur vapor. Investigations of electrical and photoelectric properties of structures manufactured by this method showed essential advantage of the anysotype heterostructure n-InS/p-InSe in comparison with its isotype analog. A comparison of the spectral properties of n-InS/p-InSe heterostructures obtained at different times of annealing were performed. The quantities of interband transitions and parameters of the unit lattice cell were determined defined for the InS film.