Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. До...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859955766547447808 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. |
| citation_txt | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы.
Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. Досліджені електричні і фотоелектричніотриманих структур показали перевагу анізотипної гетероструктури n-InS/p-InSe над її ізотипним аналогом. Проведено порівняння спектральних характеристик гетероструктур n-InS/p-InSe, отриманих при різній тривалості відпалу. Для плівки INS визначена величина міжзонних переходів, а також параметри елементарної кристалічної комірки.·
InS/InSe heterostructures were created by a long-term (during 120 h) thermal processing of InSe monocrystals in sulfur vapor. Investigations of electrical and photoelectric properties of structures manufactured by this method showed essential advantage of the anysotype heterostructure n-InS/p-InSe in comparison with its isotype analog. A comparison of the spectral properties of n-InS/p-InSe heterostructures obtained at different times of annealing were performed. The quantities of interband transitions and parameters of the unit lattice cell were determined defined for the InS film.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:19:04Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2008, ¹ 1
61
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
10.10 2008 ã.
Îïïîíåíò ä. õ. í. Â. Í. ÒÎÌÀØÈÊ
(ÈÔÏ èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà, ã. Êèåâ)
Ä. ô.-ì. í. Ç. Ä. ÊÎÂÀËÞÊ, Î. È. ÊÓØÍÈÐ,
ê. ô.-ì. í. Î. Í. ÑÈÄÎÐ, ê. ô.-ì. í. Â. Â. ÍÅÒßÃÀ
Óêðàèíà, ×åðíîâèöêîå îòä. ÈÏÌ èì. È. Í. Ôðàíöåâè÷à
E-mail: chimsp@ukrpost.ua
ÃÅÒÅÐÎÑÒÐÓÊÒÓÐÛ, ÏÎËÓ×ÅÍÍÛÅ ÌÅÒÎÄÎÌ
ÎÒÆÈÃÀ ÌÎÍÎÊÐÈÑÒÀËËΠInSe  ÏÀÐÀÕ ÑÅÐÛ
Èññëåäîâàíû ýëåêòðè÷åñêèå è ôîòî-
ýëåêòðè÷åñêèå õàðàêòåðèñòèêè ãåòåðî-
ñòðóêòóð InS/InSe, ïîëó÷åííûõ ïðè äëè-
òåëüíîì îòæèãå ìîíîêðèñòàëëîâ InSe
n- è p-òèïà ïðîâîäèìîñòè â ïàðàõ ñåðû.
Ñëàáàÿ âàí-äåð-âààëüñîâàÿ ñâÿçü ìåæäó ñëîÿìè
ïîëóïðîâîäíèêîâ ÀIIIÂVI ïîçâîëÿåò ëåãêî ïîëó÷àòü
ïëàñòèíû ýòèõ ñîåäèíåíèé ëþáîé, âïëîòü äî ìèêðîí-
íîé, òîëùèíû ñ ïðàêòè÷åñêè èäåàëüíîé çåðêàëüíîé
ïîâåðõíîñòüþ. Îíè íå òðåáóþò äîïîëíèòåëüíûõ îá-
ðàáîòîê è ïîýòîìó ñ ïðàêòè÷åñêîé òî÷êè çðåíèÿ óäîá-
íû ïðè èçãîòîâëåíèè ãåòåðîñòðóêòóð (ÃÑ). Íà ñëîè-
ñòûõ êðèñòàëëàõ áûëè ñîçäàíû è øèðîêî èññëåäîâà-
íû ñòðóêòóðû, ñôîðìèðîâàííûå ìåòîäîì ïîñàäêè íà
îïòè÷åñêèé êîíòàêò [1] èëè æå òåðìè÷åñêèì îêèñëå-
íèåì InSå [2]. Ïîýòîìó ïîëóïðîâîäíèêè ãðóïïû
ÀIIIÂVI îñòàþòñÿ ïåðñïåêòèâíûì ìàòåðèàëîì äëÿ ñî-
çäàíèÿ ýôôåêòèâíûõ ôîòîïðåîáðàçîâàòåëåé. Â äàí-
íîé ðàáîòå ïðåäëîæåí íîâûé ìåòîä ôîðìèðîâàíèÿ
ÃÑ íà îñíîâå ñåëåíèäà èíäèÿ � ãåòåðîâàëåíòíîå
çàìåùåíèå àòîìîâ Se ïîäëîæêè íà ñåðó.
Ìåòîäèêà ýêñïåðèìåíòà
Ìîíîêðèñòàëëû ñåëåíèäà èíäèÿ âûðàùèâàëè âåð-
òèêàëüíûì ìåòîäîì Áðèäæìåíà èç ðàñïëàâà íåñòå-
õèîìåòðè÷åñêîãî ñîñòàâà In1,03Se0,97. Îíè îáëàäàëè
n-òèïîì ïðîâîäèìîñòè ñ êîíöåíòðàöèåé ñâîáîäíûõ
íîñèòåëåé çàðÿäà n=4·1014 ñì�3 è õîëëîâñêîé ïîäâèæ-
íîñòüþ µ=650 ñì2/(·ñ) ïðè Ò=300 Ê. Äëÿ ïîëó÷åíèÿ
äûðî÷íîé ïðîâîäèìîñòè èñõîäíûå êðèñòàëëû ëåãè-
ðîâàëè êàäìèåì (ìàññîâàÿ äîëÿ 0,2%), ÷òî ïðèâîäè-
ëî ê ïîëó÷åíèþ ñëåäóþùèõ ïàðàìåòðîâ: ð=1013 ñì�3,
µ=80 ñì2/(·ñ) ïðè Ò=300 Ê.
Ïðîöåññ ñóëüôóðèçàöèè ìîíîêðèñòàëëîâ InSe
îáîèõ òèïîâ ïðîâîäèìîñòè ïðîâîäèëè â çàðàíåå âà-
êóóìèðîâàííûõ è ãåðìåòè÷åñêè çàïàÿííûõ ïèðåêñî-
âûõ àìïóëàõ â ñïåöèàëüíî ñêîíñòðóèðîâàííîé òðóá-
÷àòîé ïå÷è. Îáðàçöû (ñðåäíèé ðàçìåð 12×7×0,4 ìì)
è íàâåñêó ñåðû ðàçìåùàëè â ïðîòèâîïîëîæíûõ êîí-
öàõ àìïóëû, ãäå òåìïåðàòóðà âî âðåìÿ îòæèãà ïîä-
äåðæèâàëàñü ïîñòîÿííîé è ðàâíîé 523 è 453 Ê, ñîîò-
âåòñòâåííî. Ïðè ýòîì äàâëåíèå íàñûùåííûõ ïàðîâ
ñåðû ñîñòàâëÿëî 146,65 Ïà. Äëèòåëüíîñòü ïðîöåññà
îòæèãà ñîñòàâëÿëà 24�120 ÷. Â ðåçóëüòàòå ãåòåðîâà-
ëåíòíîãî çàìåùåíèÿ àòîìîâ ñåëåíà ïîäëîæêè íà àòî-
ìû ñåðû íà ïîâåðõíîñòè èñõîäíûõ êðèñòàëëîâ ôîð-
ìèðîâàëàñü îäíîðîäíàÿ ïëåíêà ñóëüôèäà èíäèÿ. Îíà
îáëàäàëà ýëåêòðîííûì òèïîì ïðîâîäèìîñòè, ÷òî
îïðåäåëÿëîñü ïî çíàêó òåðìî-ýäñ. Çàòåì îáðàçöû ðàç-
äåëÿëè íà îòäåëüíûå ýëåìåíòû, òîëùèíó êîòîðûõ äî-
âîäèëè äî 70�80 ìêì ïóòåì ìíîãîêðàòíîãî ñêàëû-
âàíèÿ ñëîåâ. Ïëîùàäü S ïîëó÷åííûõ ÃÑ ñîñòàâëÿåò
0,25 ñì2.  êà÷åñòâå îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ èñïîëüçî-
âàëè ÷èñòûé èíäèé.
Ðåçóëüòàòû èññëåäîâàíèé è èõ îáñóæäåíèå
Áûëè èññëåäîâàíû ðàçëè÷íûå õàðàêòåðèñòèêè ïî-
ëó÷åííûõ ÃÑ: ôîòîâîëüòàè÷åñêèå, âîëüò-àìïåðíûå
(ÂÀÕ) â òåìïåðàòóðíîì äèàïàçîíå 253�320 Ê, âîëüò-
ôàðàäíûå (ÂÔÕ) íà ÷àñòîòàõ 10, 20 è 30 êÃö è ñïåê-
òðàëüíûå çàâèñèìîñòè ôîòîîòâåòà.
Êîýôôèöèåíò âûïðÿìëåíèÿ k èçîòèïíûõ ÃÑ n-InS/
n-InSe íåçíà÷èòåëåí è ñîñòàâëÿåò 6 ïðè íàïðÿæåíèè
V=2 B. Áûëà ñäåëàíà ïîïûòêà èçìåðèòü ÂÔÕ îáðàç-
öîâ, íî ñëàáàÿ çàâèñèìîñòü åìêîñòè îò îáðàòíîãî ñìå-
ùåíèÿ, à òàêæå âèä ÂÀÕ, ãîâîðèò î ìàëîé âûñîòå
áàðüåðà òàêîé ñòðóêòóðû. Íà ýòî òàêæå óêàçûâàåò íå-
áîëüøàÿ âåëè÷èíà íàïðÿæåíèÿ õîëîñòîãî õîäà Vxx
(ñì. òàáëèöó).
Çíà÷èòåëüíî ëó÷øèìè ïàðàìåòðàìè îáëàäàëè àíè-
çîòèïíûå ïåðåõîäû n-InS/p-InSe � äëÿ íèõ k=200
(ñì. òàáëèöó). Íà ðèñ. 1 âèäíî, ÷òî íàêëîí ïðÿìîëè-
íåéíûõ ó÷àñòêîâ ÂÀÕ äàííûõ ÃÑ èçìåíÿåòñÿ â çàâè-
ñèìîñòè îò òåìïåðàòóðû, à îïðåäåëåííûé îòñþäà äè-
îäíûé êîýôôèöèåíò n=1,5 ñâèäåòåëüñòâóåò î íàä-
áàðüåðíîì õàðàêòåðå ïðîòåêàíèÿ òîêà.
Ïðè îñâåùåíèè ÃÑ n-InS/p-InSe ñî ñòîðîíû ïëåíêè
ñóëüôèäà èíäèÿ âîëüôðàìîâîé ëàìïîé ñ ïëîòíîñòüþ
ïîòîêà èçëó÷åíèÿ P=100 ìÂò/ñì2 íàáëþäàëñÿ ôîòî-
âîëüòàè÷åñêèé ýôôåêò.
Íà ðèñ. 2 ïðåäñòàâëåíû ÂÔÕ ÃÑ n-InS/p-InSe.
Ëèíåéíîñòü õàðàêòåðèñòèê ñâèäåòåëüñòâóåò î ðåçêîì
Òèï
ñòðóêòóðû
Vxx,
ìÂ
Jêç,
ìêÀ/ñì2 FF
k
(ïðè
V=2 B)
n
SI,
ìÀ/Âò
SV,
B/Âò
n-InS/n-InSe 4 110 0,25 6 � 0,25 21
n-InS/p-InSe 280 400 0,3 200 1,5 44 104
Çäåñü Jêç � òîê êîðîòêîãî çàìûêàíèÿ; FF � ôàêòîð çàïîë-
íåíèÿ; SI, SV � ìîíîõðîìàòè÷åñêèå (ïðè λ=0,98 ìêì) âîëüò-
àìïåðíàÿ è âîëüò-âàòòíàÿ ÷óâñòâèòåëüíîñòè, ñîîòâåòñòâåííî.
Ôîòîýëåêòðè÷åñêèå õàðàêòåðèñòèêè ÃÑ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2008, ¹ 1
62
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
p�n-ïåðåõîäå ïîëó÷åííûõ ÃÑ, à èõ ÷àñòîòíàÿ çàâèñè-
ìîñòü � î âëèÿíèè ïîñëåäîâàòåëüíîãî ñîïðîòèâëå-
íèÿ áàçû. Èñïîëüçóÿ ìåòîäèêó [3], ïî îòñå÷êàì, êî-
òîðûå äàþò ÂÔÕ ïðè êàæäîé ÷àñòîòå, áûëà ïîñòðîå-
íà çàâèñèìîñòü V îò (2πf )2 (ñì. âñòàâêó). Ïîëó÷åí-
íàÿ èç íåå âåëè÷èíà âñòðîåííîãî ïîòåíöèàëà Vbi ãåòå-
ðîñòðóêòóðû ñîñòàâèëà ≈0,6 Â.
Íà ðèñ. 3 ïîêàçàíû ñïåêòðàëüíûå çàâèñèìîñòè ôî-
òîîòâåòà η îò ýíåðãèè ôîòîíîâ hν äëÿ ÃÑ n-InS/p-InSe,
ïîëó÷åííûõ ïðè ðàçíîé äëèòåëüíîñòè îòæèãà. Âåëè÷è-
íà η îïðåäåëÿëàñü îòíîøåíèåì ôîòîòîêà ê ÷èñëó ïà-
äàþùèõ ôîòîíîâ. Ïðè ìèíèìàëüíîì âðåìåíè òåðìî-
îáðàáîòêè (êðèâàÿ 1) â ÃÑ íà÷èíàåò ôîðìèðîâàòüñÿ
êðàé, ãäå ïîãëîùåíèå ïðîèñõîäèò â ñóëüôèäå èíäèÿ,
íî èç-çà íåáîëüøîé òîëùèíû ïëåíêè (èçìåðÿëàñü ýë-
ëèïñîìåòðè÷åñêèì ìåòîäîì) íàáëþäàåòñÿ çíà÷èòåëü-
íàÿ ôîòî÷óâñòâèòåëüíîñòü â êîðîòêîâîëíîâîé îáëàñòè
ñïåêòðà. Ñ óâåëè÷åíèåì äëèòåëüíîñòè îòæèãà (êðèâàÿ
2) âûñîêîýíåðãåòè÷åñêèé ïîãëîùàþùèé êðàé ÃÑ InS/
InSe ñòàíîâèòñÿ áîëåå âûðàæåííûì, ÷òî ñâÿçàíî ñ óòîë-
ùåíèåì ôîðìèðóåìîé ïëåíêè. Äëÿ ìàêñèìàëüíîãî
âðåìåíè òåðìîîáðàáîòêè (êðèâàÿ 3) íà çàâèñèìîñòè
÷åòêî íàáëþäàåòñÿ òàê íàçûâàåìûé ýôôåêò �îêíà�, ãäå
îáëàñòü ôîòî÷óâñòâèòåëüíîñòè îãðàíè÷åíà êðàÿìè ñîá-
ñòâåííîãî ïîãëîùåíèÿ ñåëåíèäà èíäèÿ è ñóëüôèäà èí-
äèÿ. Ýêñòðàïîëÿöèÿ ïðÿìîëèíåéíûõ ó÷àñòêîâ çàâèñè-
ìîñòåé (ηhν)2=f(hν) è (ηhν)1/2=f(hν) ïîçâîëèëà
îïðåäåëèòü âåëè÷èíû ïðÿìûõ è íåïðÿìûõ ìåæçîííûõ
ïåðåõîäîâ, êîòîðûå ñîñòàâèëè Ed
g≈1,7 ýÂ è Ein
g≈1,95 ýÂ,
ñîîòâåòñòâåííî, ÷òî âïîëíå ñîãëàñóåòñÿ ñ ëèòåðàòóð-
íûìè äàííûìè äëÿ InS [4].
Ïàðàìåòðû ýëåìåíòàðíîé ÿ÷åéêè ïîëó÷åííûõ êðè-
ñòàëëè÷åñêèõ ïëåíîê InS, îïðåäåëåííûå ðåíòãåíîâ-
ñêèì ìåòîäîì � a=3,94±0,02 Å, b=4,44±0,04 Å,
c=10,65±0,03 Å � ñîâïàäàþò ñ ïðèâåäåííûìè â
[5, ñ. 114].
Âûâîäû
Óñòàíîâëåíî, ÷òî äëèòåëüíûé îòæèã ìîíîêðèñòàë-
ëîâ ñåëåíèäà èíäèÿ â ïàðàõ ñåðû ïðè îïðåäåëåííûõ
ðåæèìàõ ïðèâîäèò ê îáðàçîâàíèþ âûïðÿìëÿþùèõ
ñòðóêòóð InS/InSe, ïðè÷åì ïî ñâîèì õàðàêòåðèñòè-
êàì àíèçîòèïíàÿ ÃÑ n-InS/p-InSe ñóùåñòâåííî ïðå-
âîñõîäèò åå èçîòèïíûé àíàëîã. Õàðàêòåð ïðîòåêàíèÿ
òîêà â òàêîé ÃÑ îáóñëîâëèâàåòñÿ íàäáàðüåðíûì ìå-
õàíèçìîì.
Ïðåäñòàâëåííûå ðåçóëüòàòû óêàçûâàþò, ÷òî âû-
áðàííûå òåìïåðàòóðà è äëèòåëüíîñòü ïðîöåññà òåðìî-
îáðàáîòêè ïîçâîëÿþò ïîëó÷àòü ïîëóïðîâîäíèêîâûå
ïåðåõîäû ñ óäîâëåòâîðèòåëüíûìè õàðàêòåðèñòèêàìè.
Òàêèå ñòðóêòóðû ìîãóò íàéòè ïðèìåíåíèå â êà÷åñòâå
óçêîñåëåêòèâíûõ ôîòîïðåîáðàçîâàòåëåé îïòè÷åñêîãî
èçëó÷åíèÿ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Áàêóìåíêî Â. Ë., Êîâàëþê Ç. Ä., Êóðáàòîâ Ë. Í. è äð. Èññëå-
äîâàíèå ãåòåðîïåðåõîäîâ InSe�GaSe, ïðèãîòîâëåííûõ ïîñàäêîé
íà îïòè÷åñêèé êîíòàêò // Ôèçèêà è òåõíèêà ïîëóïðîâîäíèêîâ.�
1980.� Ò. 14, ¹ 6.� Ñ. 1115�1119.
2. Êàòåðèí÷óê Â. Í., Êîâàëþê Ç. Ä. Ãåòåðîïåðåõîäû èç InSe,
ñôîðìèðîâàííûå òåðìè÷åñêèì îêèñëåíèåì êðèñòàëëè÷åñêîé ïîä-
ëîæêè // Ïèñüìà â ÆÒÔ.� 1992.� Ò. 18, ¹ 12.� Ñ. 70�72.
3. Goodman A. M. Metal�semiconductor barrier height measu-
rement by the differential capacitance method � one carrier system
// Journal of Applied Physic.� 1963.� Vol. 34, N 2.� P. 329�338.
4. Qasrawi A. F., Gasanly N. M. Photoelectronic and electrical
properties of InS crystals // Semiconductor Science Technology.�
2002.� Vol. 17.� P. 1288�1292.
5. Ãàâðèëåíêî Â. È., Ãðåõîâ À. Ì., Êîðáóòÿê Ä. Â., Ëèòîâ÷åí-
êî Â. Ã. Îïòè÷åñêèå ñâîéñòâà ïîëóïðîâîäíèêîâ.� Ê.: Íàóêîâà
äóìêà, 1987.
J, À/ñì2
10�3
10�4
10�5
10�6
10�7
0 0,25 0,50 0,75 V, Â
n=1,5 4
3
2
1
Ðèñ. 1. ÂÀÕ ÃÑ n-InS/p-InSe ïðè ðàçëè÷íûõ çíà÷åíèÿõ
òåìïåðàòóðû (â Ê):
1 � 253; 2 � 270; 3 � 290; 4 � 320
η,
îòí. åä.
0,8
0,6
0,4
0,2
0
1,2 1,6 2,0 2,4 hν, ýÂ
1
2
3
Ðèñ. 3. Ñïåêòðàëüíûå çàâèñèìîñòè ôîòîîòâåòà äëÿ ÃÑ
n-InS/p-InSe, ïîëó÷åííûõ ïðè ðàçëè÷íîì âðåìåíè
îòæèãà (â ÷àñàõ):
1 � 24; 2 � 72; 3 � 120
5
4
3
2
1
0
S2 /
C
2 ,
1
018
ñ
ì
4 /
Ô
2 V
,
Â
1,0
0,6
0,2
4·1010 (2πf )2
Vbi=0,6 Â
V
3=
1,
09
Â
V
2=
0,
83
Â
V
1=
0,
62
Â
3
2
1
�1 0 1 2 V, Â
Ðèñ. 2. ÂÔÕ ÃÑ n-InS/p-InSe ïðè ðàçëè÷íûõ ÷àñòîòàõ (â êÃö):
1 � 10; 2 � 20; 3 � 30
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52030 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:19:04Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. 2013-12-22T21:35:23Z 2013-12-22T21:35:23Z 2009 Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030 Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. Досліджені електричні і фотоелектричніотриманих структур показали перевагу анізотипної гетероструктури n-InS/p-InSe над її ізотипним аналогом. Проведено порівняння спектральних характеристик гетероструктур n-InS/p-InSe, отриманих при різній тривалості відпалу. Для плівки INS визначена величина міжзонних переходів, а також параметри елементарної кристалічної комірки.· InS/InSe heterostructures were created by a long-term (during 120 h) thermal processing of InSe monocrystals in sulfur vapor. Investigations of electrical and photoelectric properties of structures manufactured by this method showed essential advantage of the anysotype heterostructure n-InS/p-InSe in comparison with its isotype analog. A comparison of the spectral properties of n-InS/p-InSe heterostructures obtained at different times of annealing were performed. The quantities of interband transitions and parameters of the unit lattice cell were determined defined for the InS film. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы Гетероструктури, що отримані методом відпалу монокристалів InSe у парах сірки Heterostructures manufactured by annealing of InSe monocrystals in sulfur vapor Article published earlier |
| spellingShingle | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. Материалы электроники |
| title | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_alt | Гетероструктури, що отримані методом відпалу монокристалів InSe у парах сірки Heterostructures manufactured by annealing of InSe monocrystals in sulfur vapor |
| title_full | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_fullStr | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_full_unstemmed | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_short | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_sort | гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов inse в парах серы |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT kušniroi geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT sidoron geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT netâgavv geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT kovalûkzd geterostrukturiŝootrimanímetodomvídpalumonokristalívinseuparahsírki AT kušniroi geterostrukturiŝootrimanímetodomvídpalumonokristalívinseuparahsírki AT sidoron geterostrukturiŝootrimanímetodomvídpalumonokristalívinseuparahsírki AT netâgavv geterostrukturiŝootrimanímetodomvídpalumonokristalívinseuparahsírki AT kovalûkzd heterostructuresmanufacturedbyannealingofinsemonocrystalsinsulfurvapor AT kušniroi heterostructuresmanufacturedbyannealingofinsemonocrystalsinsulfurvapor AT sidoron heterostructuresmanufacturedbyannealingofinsemonocrystalsinsulfurvapor AT netâgavv heterostructuresmanufacturedbyannealingofinsemonocrystalsinsulfurvapor |