Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. До...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862692752918052864 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. |
| citation_txt | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы.
Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. Досліджені електричні і фотоелектричніотриманих структур показали перевагу анізотипної гетероструктури n-InS/p-InSe над її ізотипним аналогом. Проведено порівняння спектральних характеристик гетероструктур n-InS/p-InSe, отриманих при різній тривалості відпалу. Для плівки INS визначена величина міжзонних переходів, а також параметри елементарної кристалічної комірки.·
InS/InSe heterostructures were created by a long-term (during 120 h) thermal processing of InSe monocrystals in sulfur vapor. Investigations of electrical and photoelectric properties of structures manufactured by this method showed essential advantage of the anysotype heterostructure n-InS/p-InSe in comparison with its isotype analog. A comparison of the spectral properties of n-InS/p-InSe heterostructures obtained at different times of annealing were performed. The quantities of interband transitions and parameters of the unit lattice cell were determined defined for the InS film.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:19:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52030 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:19:04Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. 2013-12-22T21:35:23Z 2013-12-22T21:35:23Z 2009 Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030 Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. Досліджені електричні і фотоелектричніотриманих структур показали перевагу анізотипної гетероструктури n-InS/p-InSe над її ізотипним аналогом. Проведено порівняння спектральних характеристик гетероструктур n-InS/p-InSe, отриманих при різній тривалості відпалу. Для плівки INS визначена величина міжзонних переходів, а також параметри елементарної кристалічної комірки.· InS/InSe heterostructures were created by a long-term (during 120 h) thermal processing of InSe monocrystals in sulfur vapor. Investigations of electrical and photoelectric properties of structures manufactured by this method showed essential advantage of the anysotype heterostructure n-InS/p-InSe in comparison with its isotype analog. A comparison of the spectral properties of n-InS/p-InSe heterostructures obtained at different times of annealing were performed. The quantities of interband transitions and parameters of the unit lattice cell were determined defined for the InS film. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы Гетероструктури, що отримані методом відпалу монокристалів InSe у парах сірки Heterostructures manufactured by annealing of InSe monocrystals in sulfur vapor Article published earlier |
| spellingShingle | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. Материалы электроники |
| title | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_alt | Гетероструктури, що отримані методом відпалу монокристалів InSe у парах сірки Heterostructures manufactured by annealing of InSe monocrystals in sulfur vapor |
| title_full | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_fullStr | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_full_unstemmed | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_short | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_sort | гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов inse в парах серы |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT kušniroi geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT sidoron geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT netâgavv geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT kovalûkzd geterostrukturiŝootrimanímetodomvídpalumonokristalívinseuparahsírki AT kušniroi geterostrukturiŝootrimanímetodomvídpalumonokristalívinseuparahsírki AT sidoron geterostrukturiŝootrimanímetodomvídpalumonokristalívinseuparahsírki AT netâgavv geterostrukturiŝootrimanímetodomvídpalumonokristalívinseuparahsírki AT kovalûkzd heterostructuresmanufacturedbyannealingofinsemonocrystalsinsulfurvapor AT kušniroi heterostructuresmanufacturedbyannealingofinsemonocrystalsinsulfurvapor AT sidoron heterostructuresmanufacturedbyannealingofinsemonocrystalsinsulfurvapor AT netâgavv heterostructuresmanufacturedbyannealingofinsemonocrystalsinsulfurvapor |